【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】操作量测系统、光刻设备及其方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年3月2日提交的美国临时专利申请号63/155,592的优先权,并且该申请的全部内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及一种操作图案形成装置(例如,掩模版)的方法。
技术介绍
[0004]光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,图案形成装置(其也被称为掩模或掩模版)可以被用来生成要被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如,硅晶片)上的(例如,包括一个或若干个管芯的一部分的)目标部分。图案的转印通常是经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进器,其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来辐照每个目标部分;以及所谓的扫描仪,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行于或反平行于该扫描方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法,包括:检测与图案形成装置和/或光刻设备相关联的数据;基于所述数据来执行评估测试;基于所述评估测试来确定是否继续曝光衬底;响应于确定不继续,使用处理器从多个动作中选择动作;以及在所述图案形成装置和/或所述光刻设备上执行所述动作。2.根据权利要求1所述的方法,其中检测与所述图案形成装置和/或所述光刻设备相关联的所述数据包括:检测与图案形成装置和/或光刻设备缺陷相关联的一个或多个指标。3.根据权利要求2所述的方法,其中:基于检测到的所述一个或多个指标从所述多个动作中选择所述动作;和/或所述图案形成装置和/或光刻设备缺陷是掩模版装载条件。4.根据权利要求1所述的方法,其中:检测与所述图案形成装置和/或所述光刻设备相关联的所述数据包括测量对准数据;执行所述评估测试包括将测量的所述对准数据与对准阈值进行比较;以及基于所述评估测试来确定是否继续曝光所述衬底包括确定测量的所述对准数据是否超过所述对准阈值。5.根据权利要求1所述的方法,还包括:在执行所选择的所述动作之后重复检测与所述图案形成装置和/或所述光刻设备相关联的所述数据。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个动作包括以下项中的至少一项:图案形成装置抽吸、图案形成装置重新装载和图案形成装置拒绝。7.根据权利要求1所述的方法,其中:基于所述数据来执行所述评估测试包括将检测到的所述数据与阈值进行比较;检测与所述图案形成装置和/或所述光刻设备相关联的所述数据包括检测来自传感器的数据;以及从所述传感器检测到的所述数据包括与所述图案形成装置相关联的以下项中的至少一项:温度数据、夹持时间数据和/或压力数据。8.根据权利要求1所述的方法,还包括:确定与所述图案形成装置和/或所述光刻设备相关联的先前评估测试结果;基于所述先前评估测试结果和所述评估测试来标识趋势;以及基于所述趋势来选择所述动作,其中当所述趋势指示所述图案形成装置中的缺陷时,所选择的所述动作是图案形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:B,
申请(专利权)人:ASML控股股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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