【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩模版，尤其涉及一种eapsm掩模版及其制造方法。
技术介绍
1、随着集成电路设计的高速发展，掩模版图形设计的尺寸日益缩小，光学邻近效应越来越明显。越来越多的光学技术以及光学邻近校正技术被应用到光刻工艺中。曝光波长的短波长化在改善清晰度的同时会减少焦点深度，从而降低工艺过程的稳定性。为了保证光刻图形的精确性，相移掩膜(psm，phase shiftmask)技术越来越多地被采用。
2、eapsm(embedded attenuated psm-嵌入式衰减相移掩模版)指采用具有一定透光率的薄膜作为相移层，将所述薄膜覆盖于用于形成图案的相邻缝隙上，以构成掩模版图，并使通过所述相移层的透射光反相。现有技术的eapsm掩模版的制造过程中，其通常通过在由层叠设置的透明基板、相移层和遮光层组成的基材上，依次对遮光层和相移层进行刻蚀，获得所需的图形，由于需要先对相移层进行刻蚀，刻蚀相移层过程中需要将遮光层一并刻蚀，刻蚀完成后再对遮光层刻蚀成所需图案，导致遮光层需要进行两次刻蚀，增加了刻蚀步骤，导致制造流程多，生产效率低下，同时由于遮光层经过两次刻蚀，导致其缺陷率高，eapsm掩模版的整体精度不足。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种eapsm掩模版及其制造方法，旨在解决现有的eapsm掩模版制造流程多、生产效率低下、缺陷率高、eapsm掩模版的整体精度不足的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种eapsm掩模版的制造方法，包括以下步骤
3、提供基材，其中，所述基材包括自下而上层叠设置的透明基板、相移层和第一光刻胶层；
4、在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层；
5、沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；
6、去除所述第一光刻胶层；
7、在所述相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层填满各所述pattern区域；
8、在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层；
9、去除所述第二光刻胶层，获得所述eapsm掩模版。
10、优选地，所述提供基材的步骤包括：
11、提供透明石英作为所述透明基板；
12、在所述透明基板上沉积相移材料形成所述相移层；
13、在所述相移层上涂覆光刻胶形成所述第一光刻胶层。
14、优选地，所述相移材料的透过率为4％～15％，厚度为10nm～70nm。
15、优选地，所述在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层的步骤包括：
16、以所述第一预设图案为掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光；
17、通过显影液对所述第一光刻胶层进行显影处理，以露出所述第一预设图案下方的所述相移层。
18、优选地，所述沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域的步骤包括：
19、通过等离子刻蚀工艺刻蚀所述第一预设图案下方的所述相移层，直至露出所述透明基板，获得多个间隔设置的所述pattern区域。
20、优选地，所述在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层的步骤包括：
21、以所述第二预设图案为掩膜对所述第二光刻胶层进行曝光；
22、通过显影液对所述第二光刻胶层进行显影处理，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层；
23、在所述相移层上沉积遮光材料形成所述遮光层。
24、优选地，所述遮光材料的光学密度大于等于3。
25、优选地，所述遮光材料为铬。
26、优选地，所述去除所述第一光刻胶层的步骤之后还包括：
27、对各所述pattern区域进行检测，获取各所述pattern区域的残余位置和缺陷位置；
28、对各所述pattern区域中残余位置和缺陷位置进行修复。
29、本专利技术还提供一种eapsm掩模版，通过上述的eapsm掩模版的制造方法制成。
30、在本专利技术的技术方案中，通过采用仅由透明基板、相移层和第一光刻胶层组成的基材，在沿第一预设图案刻蚀相移层时，无需刻蚀遮光层，减少了刻蚀步骤，然后在刻蚀完相移层后，在通过光刻工艺形成第二预设图案，并沉积形成遮光层，无需对遮光层进行刻蚀，直接获得eapsm掩模版，减少了制造流程，提高了生产效率，同时由于遮光层通过直接沉积形成，不需要进行两次刻蚀，因此遮光层的缺陷率降低，eapsm掩模版的整体精度大幅提高。
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1.一种EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述提供基材的步骤包括：
3.如权利要求2所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述相移材料的透过率为4％～15％，厚度为10nm～70nm。
4.如权利要求1所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层的步骤包括：
5.如权利要求1所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域的步骤包括：
6.如权利要求1至5中任一项所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层的步骤包括：
7.如权利要求5所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述遮光材料的光学密度大于等于3。
8.如权利要求5所述的EAP
9.如权利要求1-5中任一项所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一光刻胶层的步骤之后还包括：
10.一种EAPSM掩模版，其特征在于，通过如权利要求1-9中任一项所述的EAPSM掩模版的制造方法制成。
...【技术特征摘要】
1.一种eapsm掩模版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的eapsm掩模版的制造方法，其特征在于，所述提供基材的步骤包括：
3.如权利要求2所述的eapsm掩模版的制造方法，其特征在于，所述相移材料的透过率为4％～15％，厚度为10nm～70nm。
4.如权利要求1所述的eapsm掩模版的制造方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层的步骤包括：
5.如权利要求1所述的eapsm掩模版的制造方法，其特征在于，所述沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域的步骤包括：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：黄执祥，王栋，雷健，白永智，何祥，
申请(专利权)人：深圳市龙图光罩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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