【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造技术，特别涉及一种应用于具有封装的功率半导体装置中而有效的技术，所述封装是指经由导电性接着剂等而将半导体芯片(semiconductor chip)接合于引线框的芯片垫(die pad)部上。
技术介绍
便携式信息设备的电力控制开关或者充放电保护电路开关等所使用的功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)，是被密封在SOP (Small OutLine Package,小外型封装)8等的小型表面安装封装中。此种功率半导体装置用表面安装封装例如具有如下构造。即，形成有功率MOSFET的半导体芯片以其主面朝上的状态而搭载在与漏极引线一体形成的芯片垫部之上，且经由Ag膏的等导电性接着剂而黏接到芯片垫部上。在半导体芯片的背面上，形成有连接于功率MOSFET的漏极的漏极电极。另一方面，在半导体芯片的主面上，形成有源极垫与栅极垫。为了降低功率MOSFET的导通电阻，源极垫是以相比栅极垫较大的面积所构成。源极垫与栅极垫分别经由Au线而...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于： 包含： 引线框，其具有芯片垫部和配置在所述芯片垫部附近的第一引线； 半导体芯片，其以面朝上方式搭载在所述芯片垫部上，且在主面上具有第一垫； 导电体，其将所述第一引线与所述第一垫电性连接； 及 树脂封装，其将所述芯片垫部、所述半导体芯片、所述导电体和所述第一引线的内部引线部加以密封；且 在所述引线框的表面上，形成有将Ａｇ的纳米粒子烧结所成的第一多孔质金属层； 所述芯片垫部与所述半导体芯片的背面经由Ａｇ膏而黏接 在一起。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷藤雄一，中条卓也，冈浩伟，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。