【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于使用曝光单元将特征转印到衬底上的光掩模、 具有该光掩模的半导体器件制造系统和使用该光掩模的半导体器件 制造方法。特别地，本专利技术涉及具有主特征和在该主特征附近形成 的次特征的光掩模。
技术介绍
随着半导体器件制造技术的发展，通过光刻工艺，形成在衬底 上的电路图案的尺寸变得越来越精细。在光刻工艺中，使用曝光单 元，将从光源发出的光辐射到光掩模，该光掩模形成有将要转印(转 化)到晶片上的特征(以下也称为"主特征"或"设计的特征")， 由此将对应于电路的特征转印(分辨)到衬底(晶片)上。为了形成较精细的电路图案，需要以具有足够聚焦深度(DOF) 的高分辨率来转印特征。然而，经过隔离设置的主特征获得的光由 于其波长有限而无法提供足够的聚焦深度。就这点而言，已知一种 方法，其使用这样的光掩模，该光掩模不仅具有主特征，而且具有 设置在主特征附近的作为次分辨率辅助特征(SRAF)的次特征，以 提高分辨率。例如，在美国专利No. 5,821,014的说明书(专利文献l)、美 国专利No. 5,447,810的说明书(专利文献2)和美国专利No. 5,242,...
【技术保护点】
一种光掩模，用于利用曝光单元将图案转印到衬底，所述光掩模包括： 多个主特征，设置在与要转印到所述衬底的所述图案对应的位置处； 多个第一次特征，与所述主特征的任何侧边相关联并且设置在与相关联的侧边间隔有预定距离的位置处；以及 一个第二次特征，设置在与当虚拟设置时形成相互重叠部分的所述第一次特征相关联的位置处，所述第二次特征设置为对所述第一次特征的替代， 其中所述第二次特征的属性基于所虚拟设置的与所述第二次特征相关联的所有第一次特征的属性来确定。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南出步，茂庭明美，坂井淳二郎，石桥学，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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