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本发明公开了一种光掩模、半导体器件制造系统和半导体器件制造方法，其即使在主特征随机设置的情况下也能够抑制聚焦深度的恶化。次特征由位于外部四边形内部的四边形次特征置换，该外部四边形包括原始次特征的最外部分作为其外围的一部分。置换后的次特征优选...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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