【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件领域，特别是指一种新型的氮化镓(GaN)基紫外-红外双 色探测器及制作方法。
技术介绍
紫外-红外双色探测技术在诸如火灾、气象、军事探测等方面有着非常重要的应 用价值。采用紫外-红外双色探测，可以大大提高探测目标的识别概率。现在，紫外-红 外探测系统由于探测器或光学系统的限制，目前还无法实施紫外和红外共用同一探测器探 测，所使用的紫外-红外双色探测系统大多采用紫外、红外两个单独探测单元探测，系统结 构和信息处理非常复杂。若实现紫外、红外共用同一个探测器进行紫外-红外双色探测，不 仅可以使用一个光学系统，提高系统应用性能，而且可以大大提高探测效率。因此研究用同 一探测单元同时进行紫外_红外双色探测是非常必要的。 作为第三代半导体，氮化镓(GaN)及其系列材料(包括氮化铝、氮化铟、铝镓氮、铟 镓氮)以其光谱范围宽(覆盖了从紫外到红外全波段)、耐高温性和耐腐蚀性好，在光电子 学和微电子学领域内有巨大的应用价值。GaN基材料为紫外-红外双色探测器件的研制提 供了很好的材料基础，进行GaN基紫外-红外双色探测器的研究，可以大大推动紫外_红外 双色探...
【技术保护点】
一种氮化镓基紫外－红外双色探测器，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一紫外吸收层，该紫外吸收层制作在欧姆接触层上的一侧，该紫外吸收层的面积小于欧姆接触层的面积，在欧姆接触层的另一侧形成一台面；一红外吸收层，该红外吸收层制作在紫外吸收层上；一第一欧姆电极，该第一欧姆电极制作在红外吸收层上；一第二欧姆电极，该第二欧姆电极制作在欧姆接触层上的台面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓懿，赵德刚，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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