纳流体测试器件的制备方法技术

一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层；抛光表面，去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层；再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流体通道；最后淀积一层绝缘材料将纳流体通道封顶，再在通道两端开孔并在通道两侧的金属上引出电极即可形成纳流体测试器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳
，特别涉及一种。本专利技术提出了一种采用侧墙工艺、湿法腐蚀方法和化学机械抛光(CMP)制备纳流体测试器件的方法。该方法尽量避免使用电子束曝光的成本高、周期长的不足，制备方法简单，可控性好，在突破光刻分辨率限制及提高纳流体测试器件的制备效率等方面具有很大的优越性。
技术介绍
纳流通道在微纳米
尤其是在微纳米生物领域有着广泛的应用。将纳流通道与电极相结合构成的纳流体测试器件，可以实现对DNA/RNA、蛋白质及多肤、药物、毒品和氨基酸等进行检测分析，应用在基因测序、药物筛选、蛋白组学、临床诊断等领域。为了实现这种纳流体测试器件，首先必须获得宽度为纳米级的纳流通道，然后再在通道内制作间距更小的电极。但是，在宽度为纳米级的纳流通道内制备间距更小的电极，存在非常的技术困难；即使能实现，也存在重复性差和成本高的缺陷。因此，如何实现纳流通道和电极的有效的结合成为我们研究的重要方向。 目前，纳米结构的制备方法主要有光刻、电子束刻蚀、聚焦离子束刻蚀、微接触印刷、电化学方法和电迁移方法等。但是，光学光刻方法受到光波波长限制，刻蚀的极限在微米量级，难以达到纳米量级；微接触印本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳流体测试器件的制备方法，包括如下步骤：　　步骤１：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层和基底材料层；　　步骤２：用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；　　步骤３：在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；　　步骤４：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；　　步骤５：用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；　　步骤６：采用光刻或电子束光刻＋薄膜淀积＋剥离工艺在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；　　步骤７：再用薄膜淀积工艺，在电热绝缘材...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张加勇，王晓峰，王晓东，杨富华，马慧莉，程凯芳，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]