陶瓷多层基板的制造方法技术

本发明专利技术提供可以准确且容易地制作陶瓷多层基板的陶瓷多层基板的制造方法及陶瓷多层基板的集合基板。形成在多块未烧成的陶瓷生片１３的层间具有未烧成的导体图案１４，包含多个形成陶瓷多层基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ的部分的未烧成陶瓷层叠体１２ａ。在陶瓷生片上沿陶瓷多层基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ的边界限定未烧成的边界限定导体图案１６。边界限定导体图案１６与陶瓷生片１３的烧成收缩特性不同，若将未烧成陶瓷层叠体１２ａ烧成，则在与边界限定导体图案１６邻接的部分形成空隙１８ａ、１８ｂ。已烧结的陶瓷层叠体１２ｂ以通过空隙１８ａ、１８ｂ的切断面被分割。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，具体涉及层叠多层陶瓷层而得的陶 瓷多层基板的制造方法。
技术介绍
层叠多层陶瓷层而得的陶瓷多层基板可以通过以包含多个份的形成陶瓷 多层基板的部分的集合基板的状态同时烧成，烧成后分割为l个个的陶瓷多层 基板，从而高效地进行制造。例如，专利文献l中揭示了将划了分割线的陶瓷生片转印层叠而形成层叠体，将层叠体进行热处理后，对分割线进行C02激光照射等而形成分割沟，进行分割，从而获得多块基板的技术方案。此外，专利文献2中揭示了预先在陶瓷生片的压接体的正反面中的至少一 方形成分割沟，热处理后使基板弯折，从而使龟裂自分割沟推进，进行分割， 获得多块基板的技术方案。专利文献l:日本专利实开平4-38071号公报专利文献2:日本专利特开平5-75262号公报
技术实现思路
但是，专利文献l的方法的规模大，而且需要高价的C02激光照射装置。此 外，激光照射需要的时间长，切断加工中基板可能会因热变形而破损，或者切 断面附近可能会因激光产生的热量而变形 变质。此外，专利文献2的方法可能会发生形成分割沟后的压接体在搬运时自分 割沟变形或破损等问题。此外，热处理后使基板弯折时，可能会在偏离分割沟 的预想之外的位置裂开，产生次品。即使是可以沿分割沟分割的情况下，也可 能会切断面形成不规则的形状而不符合标准。本专利技术鉴于上述实际情况而试图提供可以准确且容易地制造陶瓷多层基板的及陶瓷多层基板的集合基板。为了解决上述课题，本专利技术提供如下构成的。 具备(l)形成层叠多层未烧成的陶瓷层而成的 未烧成陶瓷层叠体的第l工序；(2)将前述未烧成陶瓷层叠体烧成，使未烧成的 前述陶瓷层烧结的第2工序；以及(3)将通过前述未烧成陶瓷层叠体的烧成而形 成的已烧结的陶瓷层叠体分割成多个部分片的第3工序。前述第l工序中所形成 的前述未烧成陶瓷层叠体包含在至少一层未烧成的前述陶瓷层的一个主面沿相当于前述第3工序中被分割的前述已烧结的陶瓷层叠体的前述部分片间的边界的部分配置的，烧成收缩特性与邻接的未烧成陶瓷层不同的未烧成的边界限定厚膜图案。前述第2工序中，由于前述边界限定厚膜图案与前述边界限定厚膜图案相接的前述陶瓷层的烧成收縮特性的差异，从前述陶瓷层的层叠方向观察时，邻接前述边界限定厚膜图案的外缘的至少一部分形成空隙。前述第3工序中，沿前述空隙将前述已烧结的陶瓷层叠体分割成多个前述部分片。如果采用上述方法，则已烧结的陶瓷层叠体中，由于陶瓷层与边界限定厚 膜图案的烧成收縮特性的差异，例如烧成收缩起始温度、烧成收缩结束温度、 烧成收縮率等的差异，在已烧结的边界限定厚膜图案的侧部形成空隙。已烧结 的陶瓷层叠体可以使切断面通过空隙，分割成部分片。分割己烧结的陶瓷层叠 体而形成的部分片可以是对应于最终制品而分割的l个个的单片，也可以是在 其后的工序中分割的包含多个单片的中间制品。未烧成的陶瓷层可以是将陶瓷 粉末成形为片状而得的陶瓷生片，也可以是将含陶瓷粉末的糊料印刷成层状而 得的厚膜印刷层。作为优选的一种方式，未烧成的前述边界限定厚膜图案的烧成收縮起始温 度比前述边界限定厚膜图案相接的未烧成的前述陶瓷层的烧成收縮起始温度 低。该情况下，第2工序中，随着烧成温度的上升，边界限定厚膜图案比其周 围的陶瓷层先开始收缩，因此在边界限定厚膜图案的侧部形成空隙。作为优选的另一种方式，未烧成的前述边界限定厚膜图案的烧成收縮率比 前述边界限定厚膜图案相接的前述陶瓷层烧成收縮率大。该情况下，通过第2工序烧成时，边界限定厚膜图案的收缩量比其周围的 陶瓷层的收縮量大，因此在边界限定厚膜图案的侧部形成空隙。理想的是，前述未烧成陶瓷层叠体具有多个前述边界限定厚膜图案，所述边界限定厚膜图案配置于未烧成的前述陶瓷层的不同的层间，且各自的外缘的 至少一部分沿在未烧成的前述陶瓷层的层叠方向延伸的共通的假想平面配置。该情况下，可以将在层叠方向延伸的多个空隙共通的假想平面作为边界来 分割已烧结的陶瓷层叠体。多个边界限定厚膜图案相对于共通的假想平面可以 仅配置于一侧，也可以配置于两侧。理想的是，前述第l工序中，包含在前述未烧成陶瓷层叠体的至少一个主 面密合在前述未烧成的前述陶瓷层的烧成温度下实质上不会烧结的未烧成的 收缩抑制用层的工序。在前述第2工序中，将密合了前述收縮抑制用层的前述 未烧成陶瓷层叠体在前述陶瓷层的烧结温度以上且前述收缩抑制用层实质上不会烧结的温度下烧成。在前述第2工序和第3工序之间，还具备将密合于前述已烧结的陶瓷层叠体的未烧成的前述收缩抑制用层除去的工序。该情况下，未烧成陶瓷层叠体的与层叠方向垂直的方向(即未烧成陶瓷层叠体的主面方向)的烧成收缩被收縮抑制用层抑制，未烧成陶瓷层叠体在其厚度方向上大幅烧成收縮，因此容易在边界限定厚膜图案的侧部产生空隙。 理想的是，前述未烧成的边界限定厚膜图案为包含导体材料的未烧成的边界限定导体图案。理想的是，在前述已烧结陶瓷层叠体的前述陶瓷层的层间具有构成内藏元 件的内部电路导体图案。前述内部电路导体图案与前述边界限定导体图案较好 是在电气上相互隔开。该情况下，内部电路导体图案在烧成后构成电容器、电感器、配线线路、 地线等内藏元件。内部电路导体图案与边界限定导体图案相互在电气上独立， 所以可以分别使用不同的材料。即，可以边界限定导体图案使用邻接边界限定 导体图案的外缘形成空隙的材料，内部电路导体图案使用不会邻接内部电路导 体图案(内藏元件)的外缘形成空隙的材料，材料选择的自由度高。理想的是，通过前述边界限定导体图案的至少一部分在前述已烧结的陶瓷 层叠体的前述陶瓷层的层间形成内藏元件。该情况下，边界限定导体图案可以兼有构成内藏元件的内部电路导体图案 的至少一部分。边界限定导体图案和内部电路导体图案可以使用同一材料，所 以能够简化工序。此外，因为不需要在边界限定导体图案和内部电路导体图案 之间设置间隔，所以能够实现陶瓷多层基板的小型化。另外，可以利用露出于 已烧结的陶瓷层叠体的切断面的边界限定导体图案将内部元件与外部电连接。理想的是，在将前述已烧结的陶瓷层叠体分割成多个部分片之前或之后， 具备在前述层叠体上搭载表面安装型电子部件的工序。此外，为了解决上述课题，本专利技术提供如下构成的陶瓷多层基板的集合基板。陶瓷多层基板的集合基板是具备相互接合的多层陶瓷层和配置于前述陶 瓷层间的至少一处的导体图案，包含多个形成陶瓷多层基板的部分的类型的集 合基板。从前述陶瓷层的层叠方向观察前述集合基板时，在前述陶瓷多层基板 间的边界邻接前述导体图案外缘的至少一部分形成有空隙。如果采用上述结构，则集合基板可以使切断面通过空隙，分割成包含l块 或2块以上的陶瓷多层基板的部分片。如果采用本专利技术，则利用由未烧成陶瓷层与未烧成边界限定厚膜图案的烧 成收縮特性的差异而形成的空隙，分割已烧结的层叠体，所以可以准确且容易 地制造陶瓷多层基板。艮P，已烧结的陶瓷层叠体的切断面通过空隙，因此几乎不会产生位置偏离 或形状的偏差。因此，不会发生在预想之外的位置被分割、切断时破损、切断 面不整齐的情况。此外，只要在未烧成陶瓷层叠体的所需位置与导体图案同样地形成厚膜图 案即可。通过进行烧成才形成空隙，所以未烧成陶瓷多层基板的搬运中不会因 空隙发生变形或破损。已烧结的陶瓷层叠体通过对空隙附近施加应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷多层基板的制造方法，该方法包括：　形成包含层叠的多层未烧成的陶瓷层的未烧成的陶瓷层叠体的第１工序；　烧制所述未烧成的陶瓷层叠体以烧结所述未烧成的陶瓷层的第２工序；以及　将通过烧制所述未烧成的陶瓷层叠体形成的已烧结的陶瓷层叠体分割成多个片的第３工序；　其中，所述第１工序中形成的未烧成的陶瓷层叠体包含在至少一层未烧成的陶瓷层的一个主表面上沿对应于所述第３工序中被分割的已烧结的陶瓷层叠体的片之间的边界的部分配置的，烧制收缩特性和与其邻接的未烧成的陶瓷层的不同的至少一个未烧成的边界限定厚膜图案；　在所述第２工序中，由于至少一个边界限定厚膜图案和与其相接的陶瓷层的烧制收缩特性的差异而形成空隙，从所述陶瓷层的层叠方向观察时，所述空隙与至少一个所述边界限定厚膜图案的外缘的至少一部分邻接；　在所述第３工序中，沿所述空隙将已烧结的陶瓷层叠体分割成多个片。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川村明义，筑泽孝之，池田哲也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]