适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备，包括：吸附台面，在AOI设备的吸附台面上用于吸附晶圆的上表面开设多个PV孔，所述PV孔设置在吸附台面边缘处，在AOI设备上位于吸附台面的外边缘处设置多个用于升降晶圆的顶杆升降孔。本发明专利技术取消传统硅晶圆AOI设备上的PV凹槽，在吸附台面的上表面边缘处设置PV孔，解决了PV凹槽对碳化硅晶圆质量检测造成的干扰，且不影响对碳化硅晶圆的吸附效果。的吸附效果。的吸附效果。

【技术实现步骤摘要】
适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备


[0001]本专利技术涉及半导体加工领域，具体地，涉及一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备。

技术介绍

[0002]AOI设备又名AOI光学自动检测设备，现已成为电子制造业确保产品质量的重要检测工具和过程质量控制工具，在晶圆(wafer)生产过程中，需要AOI设备固定住晶圆进行拍摄检测。对于12寸硅晶圆FAB厂所采用的AOI设备的chuck会有环装的PV凹槽，在PV凹槽中有PV孔，通过PV孔以及PV凹槽的负压吸住晶圆，参照图1所示。在应用于新兴碳化硅FAB厂中时，目前碳化硅晶圆的尺寸通常为6寸，由于碳化硅晶圆相较于硅晶圆是透明的，并且碳化硅晶圆的尺寸明显小于硅晶圆尺寸，PV凹槽的台阶状阴影会被AOI设备拍照时跟碳化硅晶圆一起拍摄进去，导致照片中的晶圆图像会有一圈圈PV凹槽的环形印子，在分析检测缺陷时，会把这个环形印子误检测，影响测量。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备。
[0004]根据本专利技术提供的一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置，包括：吸附台面，在AOI设备的吸附台面上用于吸附晶圆的上表面开设多个PV孔，所述PV孔设置在吸附台面边缘处，在AOI设备上位于吸附台面的外边缘处设置多个用于升降晶圆的顶杆升降孔。
[0005]优选地，所述PV孔设置为3个，PV孔均匀分布在吸附台面的边缘内侧。
[0006]优选地，所述顶杆升降孔设置为3个，顶杆升降孔均匀分布在吸附台面的边缘外侧，且顶杆升降孔与PV孔交错设置。
[0007]优选地，所述吸附台面的上表面为灰色磨砂陶瓷面。
[0008]优选地，所述吸附台面的上表面尺寸小于6寸碳化硅晶圆的尺寸，所述PV孔和顶杆升降孔位于被吸附碳化硅晶圆边缘1
‑
2cm宽度的环装无效区域内。
[0009]根据本专利技术提供的一种适用于碳化硅FAB厂的AOI设备，包括商述的适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置。
[0010]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
[0011]1、本专利技术取消传统硅晶圆AOI设备上的PV凹槽，在吸附台面的上表面边缘处设置PV孔，解决了PV凹槽对碳化硅晶圆质量检测造成的干扰，且不影响对碳化硅晶圆的吸附效果。
[0012]2、本专利技术在吸附台面的上边面设置灰色磨砂陶瓷面，对碳化硅晶圆检测时拍摄的照片需要进行灰度处理，灰色磨砂可以使碳化硅晶圆在AOI光照下很容易调试到灰阶值110左右，这样对于处在50以下或者200以上的亮暗缺陷都有非常强的辨识能力，提高辨识度，降低漏检的情况。
附图说明
[0013]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0014]图1为现有吸附装置的俯视图；
[0015]图2为现有吸附装置的仰视图；
[0016]图3为本专利技术公开的晶圆吸附装置的俯视图；
[0017]图4为本专利技术公开的晶圆吸附装置的仰视图。
[0018]附图标记说明：
[0019]PV凹槽101
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PV孔201
[0020]PV吸孔102
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顶杆升降孔202
[0021]liftpin升降孔103
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灰色磨砂陶瓷面203
[0022]陶瓷上表面104
具体实施方式
[0023]下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。
[0024]本专利技术公开一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置，基于现有的硅晶圆AOI设备上的吸附装置改进而来，参照图1，为现有的12寸硅晶圆吸附装置，包括PV凹槽101，PV凹槽101呈现多条环装的凹槽，通过中间三条直线凹槽讲环装凹槽联通，在环装凹槽中设置有3个PV吸孔102，通过PV凹槽101和PV吸孔102的负压吸住晶圆，但是在应用于碳化硅晶圆时，由于碳化硅晶圆相较于硅晶圆时透明的，因此PV凹槽101会被AOI设备拍照时一同拍进去，在分析缺陷时会造成干扰。吸附装置的上表面为陶瓷上表面104，在吸附装置的表面还设置有多个liftpin升降孔103，于升降硅晶圆，而目前碳化硅晶圆国内外的条件只能做到6寸，不需要大面积的吸附PV凹槽才能吸附。
[0025]本专利技术公开的适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置包括：吸附台面，在AOI设备的吸附台面上用于吸附晶圆的上表面开设多个PV孔201，所述PV孔201设置在吸附台面边缘处，在AOI设备上位于吸附台面的外边缘处设置多个用于升降晶圆的顶杆升降孔202。所述PV孔201设置为3个，PV孔201均匀分布在吸附台面的边缘内侧。所述顶杆升降孔202设置为3个，顶杆升降孔202均匀分布在吸附台面的边缘外侧，且顶杆升降孔202与PV孔201交错设置。
[0026]所述吸附台面的上表面尺寸小于6寸碳化硅晶圆的尺寸，所述PV孔201和顶杆升降孔202位于被吸附碳化硅晶圆边缘1
‑
2cm宽度的环装无效区域内。取消了PV孔201和PV凹槽在吸附台面中间的，将PV孔201转移到吸附台面边缘，由于吸附台面的半径缩小，顶碳化硅晶圆的顶杆升降孔202202放置在吸附台面的外边，杜绝了顶杆升降孔202和PV孔201的印子进入AOI的拍照中去。
[0027]因为碳化硅目前被用来做功率器件，晶圆上晶粒的die宽度比较大，边缘的die不完整，且晶圆边缘有1cm以上的无效区域是没有die的，所以这样的改装不会对实际产生重
要的影响。将PV孔201转移到吸附台面的边缘地区，这样测量时只要去出边缘不进行检测就可以正常使用了。正常晶圆id被打在平边处，会有2cm左右的位置，我们只要刨除晶圆边缘的无效区和规定测量去除边缘的宽度就可以使整片晶圆几乎绝大部分的有源区可以正常测试。
[0028]所述吸附台面的上表面为灰色磨砂陶瓷面203。采用灰色磨砂是因为：AOI设备的缺陷检测是使用拍照后，对照片的灰阶进行处理的原理。灰阶的值在0
‑
255，我们采用灰色磨砂可以使我们的碳化硅产品在AOI的光下轻易调试到灰阶值110左右，这样对于处在50以下，或者200以上的亮暗缺陷都有非常强的辨识能力，而且不会发生误检或误检我们非缺陷的区域(灰阶110左右)非常的小，而原来的吸附台面没有使用灰色磨砂则很难调试到这样，即便将光强打到很大，也做不到这样的效果，会使碳化硅晶圆整体处于更高或者更低的灰阶(比如整体在60灰阶，那么当一个缺陷55灰阶时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置，其特征在于，包括：吸附台面，在AOI设备的吸附台面上用于吸附晶圆的上表面开设多个PV孔，所述PV孔设置在吸附台面边缘处，在AOI设备上位于吸附台面的外边缘处设置多个用于升降晶圆的顶杆升降孔。2.根据权利要求1所述的适用于碳化硅厂的AOI设备的晶圆吸附装置，其特征在于：所述PV孔设置为3个，PV孔均匀分布在吸附台面的边缘内侧。3.根据权利要求1所述的适用于碳化硅厂的AOI设备的晶圆吸附装置，其特征在于：所述顶杆升降孔设置为3个，顶杆升降孔均匀分布在吸附台面的边缘外侧，且顶杆升降孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭东，
申请(专利权)人：淄博绿能芯创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：