碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置制造方法及图纸

本技术提供了碳化硅半导体功率器件技术领域一种碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，包括吸附载台、中空载台以及升降顶针，吸附载台上设置气孔，中空载台上设置托块，且吸附载台设置在中空载台内，中空载台底端连接升降顶针。本技术通过中空载台利用晶圆边缘来搭载晶圆，可以免除气孔吸附力和晶圆中心部分的支持力，防止晶圆产生形变以及表面发生弯曲，可以对晶圆测量工艺产生极大改善作用；中空载台由升降顶针直接控制，晶圆传动时通过机械手落到中空载台上，中空载台落下，晶圆继而可以落到吸附载台上，无论升降动作，晶圆都处于绝对安全且相对静止的状态，不受外界干扰，解决传动时的风险性问题，保证制程工艺的顺利实施。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及碳化硅半导体功率器件，具体地，涉及一种碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置。

技术介绍

1、对于碳化硅晶圆的测量工艺来讲，当需要测量一些物理量比如晶圆翘曲度、弯曲度、应力、反射率等时需要晶圆不受载台的支持力和气孔的吸力，因为气孔的吸附力可能会导致晶圆产生形变，表面发生弯曲，这样对于反射率来说，会因为外力形变而散射掉部分光强，反射光强就会偏低，最终测量结果偏低，影响测量结果准确性。对于晶圆在机械传动时，必须要求晶圆在载片台上位置要保持相对静止，否则在载台xy方向移动中，晶圆的位置会发生偏移影响测量结果或者制程工艺的顺利实施。

技术实现思路

1、针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置。

2、根据本技术提供的一种碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，包括吸附载台、中空载台以及升降顶针；

3、所述吸附载台上设置气孔，所述中空载台上设置托块，且所述吸附载台设置在所述中空载台内，所述中空载台底端连接所述升降顶针。

4、一些实施方式中，所述气孔开设在所述吸附载台表面上任意位置处，所述吸附载台通过所述气孔吸附所述晶圆。

5、一些实施方式中，所述托块设置在所述中空载台两端，所述中空载台通过两端所述托块托起所述晶圆。

6、一些实施方式中，所述中空载台通过所述升降顶针向上抬起移动或向下降低移动。

7、一些实施方式中，所述吸附载台沿xy轴方向移动。

8、一些实施方式中，两端所述托块上凸出端面与所述吸附载台两侧凹槽相互契合设置。

9、一些实施方式中，所述吸附载台两端凸出端面与所述中空载台两端内壁面贴合设置。

10、一些实施方式中，所述中空载台直径大小大于所述吸附载台直径大小设置。

11、一些实施方式中，所述中空载台上一侧连接光电传感器。

12、与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：

13、本技术通过设置吸附载台和中空载台为一体化结构，并在吸附载台上设置气孔，在中空载台上设置托块，且吸附载台设置在中空载台内，中空载台底端连接升降顶针；

14、中空载台利用晶圆边缘来搭载晶圆，可以免除气孔吸附力和晶圆中心部分的支持力，防止晶圆产生形变以及表面发生弯曲，可以对晶圆测量工艺产生极大改善作用；

15、中空载台由升降顶针直接控制，晶圆传动时通过机械手落到中空载台上，中空载台落下，晶圆继而可以落到吸附载台上，无论升降动作，晶圆都处于绝对安全且相对静止的状态，不受外界干扰，解决传动时的风险性问题，保证制程工艺的顺利实施。

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【技术保护点】

1.一种碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，包括吸附载台(1)、中空载台(2)以及升降顶针(3)；

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述气孔(11)开设在所述吸附载台(1)表面上任意位置处，所述吸附载台(1)通过所述气孔(11)吸附所述晶圆(4)。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述托块(21)设置在所述中空载台(2)两端，所述中空载台(2)通过两端所述托块(21)托起所述晶圆(4)。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述中空载台(2)通过所述升降顶针(3)向上抬起移动或向下降低移动。

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述吸附载台(1)沿XY轴方向移动。

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，两端所述托块(21)上凸出端面与所述吸附载台(1)两侧凹槽(12)相互契合设置。

7.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述吸附载台(1)两端凸出端面与所述中空载台(2)两端内壁面贴合设置。

8.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述中空载台(2)直径大小大于所述吸附载台(1)直径大小设置。

9.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述中空载台(2)上一侧连接光电传感器(5)。

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【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，包括吸附载台(1)、中空载台(2)以及升降顶针(3)；

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述气孔(11)开设在所述吸附载台(1)表面上任意位置处，所述吸附载台(1)通过所述气孔(11)吸附所述晶圆(4)。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述托块(21)设置在所述中空载台(2)两端，所述中空载台(2)通过两端所述托块(21)托起所述晶圆(4)。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的吸附及中空一体式载片台装置，其特征在于，所述中空载台(2)通过所述升降顶针(3)向上抬起移动或向下降低移动。

5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭东，周通，
申请(专利权)人：淄博绿能芯创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：