【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种电平位移器和半导体器件。
技术介绍
1、高压功率栅极驱动芯片通常采用高压电路和低压电路的兼容工艺来实现。高压侧电路和低压侧电路之间通过电平位移器(level shifter)将来自低压侧电路的控制信号转换成高压侧电路的控制信号，以向高压侧电路传递，用来控制高压侧电路，实现了高压侧电路和低压侧电路之间的电平转换。
2、其中，在电平位移器的外周设置有隔离区域，用于隔离高压侧电路和电平位移器，防止漏电影响器件之间的功能。目前，隔离区域内的隔离方式例如包括：介质隔离(利用氧化物等绝缘介质对衬底内的器件结构进行隔离)、自隔离(依靠器件自身耗尽层耐压来实现器件之间的隔离)、结隔离(利用pn反向偏置的原理进行隔离)等。在对隔离区域进行设计时，除了要保证隔离区域本身具备足够的耐压，以确保高压侧电路和电平位移器之间的隔离性能的同时，通常还需要兼顾电平位移器的耐压性能。
3、因此，如何在保证隔离区域的耐压性能的同时，提高电平位移器的击穿电压，始终是领域内的一个重要研究课题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种电平位移器，其可以有效提高电平位移器的击穿电压，优化器件的耐压性能。
2、为此，本技术提供了一种电平位移器，包括：衬底；场效应晶体管，包括：形成在所述衬底内的第一掺杂类型的漏区和第一掺杂类型的源区、以及形成在所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构位于所述源区和所述漏区之间；以及，至少一个第二掺杂类型的隔离掺杂区，所述隔离掺杂区沿
3、可选的，所述非掺杂区为所述隔离掺杂区的离子注入工艺中未进行离子注入的区域。
4、可选的，所述非掺杂区包括：形成在所述隔离掺杂区内的凹槽。进一步的，所述非掺杂区还可包括填充在所述凹槽内的非掺杂材料。
5、可选的，所述反型掺杂区为利用离子注入工艺进行第一掺杂类型的离子注入形成的区域；或者，所述反型掺杂区包括：形成在所述隔离掺杂区内的凹槽和填充在所述凹槽内的第一掺杂类型材料。
6、可选的，所述隔离掺杂区内设置有至少两个非掺杂区，至少两个非掺杂区以相对于所述场效应晶体管由近至远的方向依次排布；或者，所述隔离掺杂区内设置有至少两个反型掺杂区，至少两个反型掺杂区以相对于所述场效应晶体管由近至远的方向依次排布。
7、可选的，所述衬底包括由下至上依次设置的第二掺杂类型的基底和第一掺杂类型的外延层，所述场效应晶体管形成在所述外延层上。以及，所述电平位移器包括由下至上依次设置且相互连接的至少两个所述隔离掺杂区，其中位于最底层的隔离掺杂区由所述基底向上扩展至所述外延层内。
8、可选的，至少两个所述隔离掺杂区包括由外延层顶表面向内扩展至外延层内的第二掺杂类型的第一浅阱区。以及，所述电平位移器还包括由外延层顶表面向内扩展至外延层内的第二掺杂类型的第二浅阱区，所述第二浅阱区位于所述栅极结构的靠近源区的一侧，所述源区形成在所述第二浅阱区内，并且所述第一浅阱区从所述漏区的外侧环绕所述场效应晶体管而延伸至所述第二浅阱区以和所述第二浅阱区连接。
9、可选的，至少两个所述隔离掺杂区还包括位于所述第一浅阱区下方且由上至下依次连接的第二掺杂类型的第一深阱区和第二掺杂类型的第一掩埋区。以及，所述电平位移器还包括位于所述第二浅阱区下方且由上至下依次连接的第二掺杂类型的第二深阱区和的第二掺杂类型的第二掩埋区，所述第一深阱区从所述漏区的外侧环绕所述场效应晶体管而延伸至所述第二深阱区以和所述第二深阱区连接，所述第一掩埋区从所述漏区的外侧环绕所述场效应晶体管而延伸至所述第二掩埋区以和所述第二掩埋区连接。
10、可选的，所述电平位移器还包括第一掺杂类型的第三阱区，所述第三阱区位于所述栅极结构的靠近漏区的一侧，所述漏区形成在所述第三阱区内。
11、可选的，所述电平位移器还包括第一掺杂类型的第三掩埋区，所述第三掩埋区设置在所述第三阱区的下方并朝向所述隔离掺杂区横向延伸，以使所述第三掩埋区部分超出所述第三阱区的投影范围。
12、可选的，所述第三掩埋区为连续延伸的掺杂区；或者，所述第三掩埋区包括间隔排布的多个掺杂区。
13、本技术还提供了一种半导体器件，包括如上所述的电平位移器和高压侧电路，所述高压侧电路位于隔离掺杂区远离场效应晶体管的一侧。
14、可选的，所述高压侧电路包括第一掺杂类型的第四阱区和第四掩埋区，所述第四掩埋区设置在所述第四阱区的下方并由所述基底向上延伸至所述外延层中。
15、可选的，所述电平位移器还包括第一掺杂类型的第三阱区和第一掺杂类型的第三掩埋区，所述第三阱区位于栅极结构的靠近漏区的一侧，所述漏区形成在所述第三阱区内；所述第三掩埋区设置在所述第三阱区的下方并朝向所述隔离掺杂区横向延伸，以使所述第三掩埋区部分超出所述第三阱区的投影范围；以及，所述第三掩埋区和第三阱区之间的空间交叠面积小于所述第四掩埋区和第四阱区之间的空间交叠面积。
16、本技术提供的电平位移器中，在至少一个隔离掺杂区内还设定有非掺杂区或者反型掺杂区，以降低隔离掺杂区内的整体离子量，有利于降低隔离掺杂区被横向耗尽的难度，提高电平位移器的整体耐压性能，实现了在提高电平位移器的击穿电压的同时，还能够保证隔离区域的隔离性能和耐压性能，保证了高压侧电路与漏端之间无漏电现象。此外，本技术提供的非掺杂区和反型掺杂区在隔离掺杂区内以连续延伸的方式设置，因此该非掺杂区和反型掺杂区的制备难度低，工艺更易于控制，有利于提高产品合格率，可适用于大批量的生产。
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1.一种电平位移器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区为所述隔离掺杂区的离子注入工艺中未进行离子注入的区域。
3.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区包括：形成在所述隔离掺杂区内的凹槽。
4.如权利要求3所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区还包括填充在所述凹槽内的非掺杂材料。
5.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述反型掺杂区为利用离子注入工艺进行第一掺杂类型的离子注入形成的区域；或者，所述反型掺杂区包括：形成在所述隔离掺杂区内的凹槽和填充在所述凹槽内的第一掺杂类型材料。
6.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离掺杂区内设置有至少两个非掺杂区，至少两个非掺杂区以相对于所述场效应晶体管由近至远的方向依次排布；或者，
7.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述衬底包括由下至上依次设置的第二掺杂类型的基底和第一掺杂类型的外延层，所述场效应晶体管形成在所述外延层上；
8.如权利要求7所述的电平位移器，其特征
9.如权利要求8所述的电平位移器，其特征在于，至少两个所述隔离掺杂区还包括位于所述第一浅阱区下方且由上至下依次连接的第二掺杂类型的第一深阱区和第二掺杂类型的第一掩埋区；以及，
10.如权利要求9所述的电平位移器，其特征在于，所述反型掺杂区仅形成在所述第一浅阱区中；或者，所述反型掺杂区由所述第一浅阱区向下延伸至所述第一深阱区中；
11.如权利要求9所述的电平位移器，其特征在于，所述反型掺杂区由所述第一浅阱区向下依次延伸至所述第一深阱区和所述第一掩埋区中。
12.如权利要求9所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区由所述第一浅阱区向下依次延伸至所述第一深阱区和所述第一掩埋区中。
13.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述电平位移器还包括第一掺杂类型的第三阱区，所述第三阱区位于所述栅极结构的靠近漏区的一侧，所述漏区形成在所述第三阱区内。
14.如权利要求13所述的电平位移器，其特征在于，所述电平位移器还包括第一掺杂类型的第三掩埋区，所述第三掩埋区设置在所述第三阱区的下方。
15.如权利要求14所述的电平位移器，其特征在于，所述第三掩埋区为连续延伸的掺杂区；或者，所述第三掩埋区包括间隔排布的多个掺杂区。
16.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-15任一项所述的电平位移器和高压侧电路，所述高压侧电路位于隔离掺杂区远离场效应晶体管的一侧。
17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述高压侧电路包括第一掺杂类型的第四阱区和第四掩埋区，所述第四掩埋区设置在所述第四阱区的下方并由基底向上延伸至外延层中。
18.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述电平位移器还包括第一掺杂类型的第三阱区和第一掺杂类型的第三掩埋区，所述第三阱区位于栅极结构的靠近漏区的一侧，所述漏区形成在所述第三阱区内，所述第三掩埋区设置在所述第三阱区的下方；
...【技术特征摘要】
1.一种电平位移器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区为所述隔离掺杂区的离子注入工艺中未进行离子注入的区域。
3.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区包括：形成在所述隔离掺杂区内的凹槽。
4.如权利要求3所述的电平位移器，其特征在于，所述非掺杂区还包括填充在所述凹槽内的非掺杂材料。
5.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述反型掺杂区为利用离子注入工艺进行第一掺杂类型的离子注入形成的区域；或者，所述反型掺杂区包括：形成在所述隔离掺杂区内的凹槽和填充在所述凹槽内的第一掺杂类型材料。
6.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离掺杂区内设置有至少两个非掺杂区，至少两个非掺杂区以相对于所述场效应晶体管由近至远的方向依次排布；或者，
7.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述衬底包括由下至上依次设置的第二掺杂类型的基底和第一掺杂类型的外延层，所述场效应晶体管形成在所述外延层上；
8.如权利要求7所述的电平位移器，其特征在于，至少两个所述隔离掺杂区包括由外延层顶表面向内扩展至外延层内的第二掺杂类型的第一浅阱区；以及，
9.如权利要求8所述的电平位移器，其特征在于，至少两个所述隔离掺杂区还包括位于所述第一浅阱区下方且由上至下依次连接的第二掺杂类型的第一深阱区和第二掺杂类型的第一掩埋区；以及，
10.如权利要求9所述的电平位移器，其特征在于，所述反型掺杂区仅形成在所述第一浅阱区中；或者，所述反...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮亮，李勇，孙伟，王聪，
申请(专利权)人：中芯先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：
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