MOS制造技术

本实用新型专利技术提供了一种

【技术实现步骤摘要】
MOS场效应晶体管的测试夹具及其测试板


[0001]本技术涉及半导体器件测试
，更具体地涉及一种
MOS
场效应晶体管的测试夹具及其测试板
。

技术介绍

[0002]MOS
场效应晶体管通常具有多种封装形式，由于不同封装形式的引脚定义不同，因此在测试时需要采用与封装形式匹配的测试夹具
。
而现有的夹具仅针对一种封装形式，因此在进行测试时不得不根据被测器件的封装形式定制测试夹具和测试板
。
[0003]例如，碳化硅金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管
(SiC Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor
，
SiC MOSFET)
作为当前热门的功率器件，通常采用三引脚
TO247
‑
3L、
四引脚
TO247
‑
4L
两种封装形式
。
在进行器件测试时，例如高温门极偏置测试
、
高压高温高湿反偏测试
、
高温反偏测试等可靠性测试，均需根据要测试的
SiC MOSFET
的封装形式定制测试夹具，配套对应老化板，并定制最后测试
(Final Test
，
FT)
的测试板，从而降低了
SiC MOSFET
的测试效率，提高了半导体产品的测试费用
。
[0004]因此，如何提高晶体管的测试效率，降低半导体产品测试费用，成为亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0005]考虑到上述问题而提出了本技术
。
本技术提供了一种
MOS
场效应晶体管的测试夹具及其测试板，该测试夹具能够同时满足两种封装形式的场效应晶体管的装配，使场效应晶体管在测试时无需根据封装形式更换测试板，从而能够有效地提高半导体器件的测试效率，降低半导体产品测试费用
。
[0006]本技术第一方面提供了一种
MOS
场效应晶体管的测试夹具，所述
MOS
场效应晶体管具有栅极引脚
、
漏极引脚
、
源极引脚，或者，所述
MOS
场效应晶体管具有栅极引脚
、
漏极引脚
、
源极引脚
、
驱动器源极引脚，所述测试夹具包括本体，设置于所述本体中的第一栅极插孔
、
漏极插孔
、
源极插孔
、
驱动器源极插孔和第二栅极插孔，其中，所述第一栅极插孔用于容纳所述栅极引脚，所述漏极插孔用于容纳所述漏极引脚，所述源极插孔用于容纳所述源极引脚，所述驱动器源极插孔用于容纳所述驱动器源极引脚，所述第二栅极插孔用于容纳所述栅极引脚
。
[0007]在本申请的一个实施例中，所述第一栅极插孔
、
所述漏极插孔
、
所述源极插孔
、
所述第二栅极插孔的排布间距和排布顺序依据所述
MOS
场效应晶体管的封装形式确定
。
[0008]在本申请的一个实施例中，所述排布顺序包括第一方向上按照所述第一栅极插孔
、
所述漏极插孔
、
所述源极插孔的顺序排布
。
[0009]在本申请的一个实施例中，所述排布顺序还包括第二方向上按照第二栅极插孔
、
所述驱动器源极插孔
、
所述源极插孔
、
所述漏极插孔的顺序排布
。
[0010]在本申请的一个实施例中，第一栅极插孔
、
所述漏极插孔
、
所述源极插孔
、
所述第
二栅极插孔依次等间距排布，所述驱动器源极插孔位于所述源极插孔和所述第二栅极插孔中间
。
[0011]在本申请的一个实施例中，所述第一栅极插孔的开孔尺寸大于所述漏极插孔
、
所述源极插孔的开孔尺寸；和
/
或
[0012]在所述第二方向上，所述源极插孔和所述漏极插孔之间的间隔大于所述源极插孔和所述驱动器源极插孔之间的间隔
。
[0013]本技术第二方面提供了一种
MOS
场效应晶体管的测试板，包括：
[0014]测试母板，
[0015]一个或多个如上第一方面中任一项所述的测试夹具
。
[0016]在本申请的一个实施例中，所述测试夹具通过焊接
、
簧片形变接触
、PIN
针形变接触中的任意一种方式安装于所述测试母板上
。
[0017]在本申请的一个实施例中，所述测试母板为印刷电路板，所述印刷电路板设置有导电布线，所述测试夹具通过所述导电布线接收测试信号以实现测试
。
[0018]在本申请的一个实施例中，所述测试板用于
FT
测试或老化测试
。
[0019]本技术实施例的
MOS
场效应晶体管的测试夹具，能够同时满足两种封装形式的场效应晶体管的装配，使场效应晶体管在测试时无需根据封装形式更换测试板，从而有效地提高了半导体器件的测试效率，降低了半导体产品测试费用
。
附图说明
[0020]通过结合附图对本技术实施例进行更详细的描述，本技术的上述以及其它目的
、
特征和优势将变得更加明显
。
附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制
。
在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤
。
[0021]图
1a
是三引脚封装
TO247
‑
3L
的
SiC MOSFET
的示意性剖视图；
[0022]图
1b
是四引脚封装
TO247
‑
4L
的
SiC MOSFET
的示意性剖视图；
[0023]图2是根据本技术一实施例的
MOS
场效应晶体管的测试夹具的示意性俯视图；
[0024]图3是根据本技术另一实施例的
MOS
场效应晶体管的测试夹具的示意性俯视图；
[0025]图4是根据本技术一实施例的测试板的示意性框图；
[0026]图5是根据本技术一实施例的
HTRB
老化板的示意性电路连接图；
[0027]图6是根据本技术一实施例的...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MOS
场效应晶体管的测试夹具，所述
MOS
场效应晶体管具有栅极引脚
、
漏极引脚
、
源极引脚，或者，所述
MOS
场效应晶体管具有栅极引脚
、
漏极引脚
、
源极引脚
、
驱动器源极引脚，其特征在于，所述测试夹具包括本体，设置于所述本体中的第一栅极插孔
、
漏极插孔
、
源极插孔
、
驱动器源极插孔和第二栅极插孔，其中，所述第一栅极插孔用于容纳所述栅极引脚，所述漏极插孔用于容纳所述漏极引脚，所述源极插孔用于容纳所述源极引脚，所述驱动器源极插孔用于容纳所述驱动器源极引脚，所述第二栅极插孔用于容纳所述栅极引脚
。2.
如权利要求1所述的
MOS
场效应晶体管的测试夹具，其特征在于，所述第一栅极插孔
、
所述漏极插孔
、
所述源极插孔
、
所述第二栅极插孔
、
所述驱动器源极插孔的排布间距和排布顺序依据所述
MOS
场效应晶体管的封装形式确定
。3.
如权利要求2所述的
MOS
场效应晶体管的测试夹具，其特征在于，所述排布顺序包括第一方向上按照所述第一栅极插孔
、
所述漏极插孔
、
所述源极插孔的顺序排布
。4.
如权利要求2所述的
MOS
场效应晶体管的测试夹具，其特征在于，所述排布顺序还包括第二方向上按照第二栅极插孔
、
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，
申请(专利权)人：中芯先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：