【技术实现步骤摘要】
通孔样品的制备方法及检查通孔结构的方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种通孔样品的制备方法及检查通孔结构的方法
。
技术介绍
[0002]在半导体技术中,通孔结构可用于实现上下导电件之间的电性互连,因此通孔结构的参数特征即会对其电性传输性能造成一定的影响
。
例如,通孔结构的宽度需要满足要求,以使该通孔结构能够与上下导电件之间具备较大的接触面积;又例如,为了保证电性传导性能符合预期,则通常希望导电件在覆盖通孔结构的端部的同时,还进一步横向延伸出通孔结构的端部,以确保通孔结构和导电件之间的充分接触
。
[0003]目前,为了更直观的检查通孔结构,则可利用切片的方式获取切过通孔圆心的通孔样品
(
例如,
TEM
样品或者
FIB
样品
)
,从而可根据该通孔样品而得知该通孔结构其通孔的尺寸
、
通孔结构与上下导电件之间的连接状态等
。
现有技术中,在制备通孔结构的样品时,通常是对样品进行逐次切割,并基于肉眼识别的方式来判断切割后的通孔截面的宽度,直至得到通孔截面的最大宽度位置时停止切割,通孔结构的最大宽度位置即对应于切过通孔结构的圆心的截面位置
。
[0004]然而,采用上述方法制备样品时,由于是根据肉眼识别的方式来判断通孔结构的圆心位置,存在较大的误差,常常会导致对圆心的定位不精准,并且需要对样品执行不定次数的切割过程,增加样品的制备难度
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种通孔样品的制备方法,其特征在于,包括:提供一样品,所述样品内形成有通孔结构;对所述样品执行第一切割过程,以得到样品的第一纵向截面,并获得第一纵向截面内通孔结构的第一横向宽度;对所述样品执行第二切割过程,以得到样品的第二纵向截面,并获得第二纵向截面内通孔结构的第二横向宽度;根据第一横向宽度
、
第二横向宽度与通孔半径的关系式,得到所述第二切割过程的切割终点与通孔圆心之间的横向距离,以定位出所述通孔结构的圆心位置;以及,根据定位出的圆心位置对所述样品执行第三切割过程,以得到具有切过通孔圆心的第三纵向截面的通孔样品
。2.
如权利要求1所述的通孔样品的制备方法,其特征在于,利用切割设备对所述样品进行切割,所述切割设备的切割件以步进方式执行切割过程;在执行所述第一切割过程中,切割件由所述样品的一个边缘起始向内移动并进行切割;在执行所述第二切割过程中,切割件由第一切割过程的切割终点至第二切割过程的切割终点推进并切割
。3.
如权利要求2所述的通孔样品的制备方法,其特征在于,所述第二切割过程中由第一切割过程的切割终点至第二切割过程的切割终点的推进距离小于通孔半径的
1/2。4.
如权利要求1所述的通孔样品的制备方法,其特征在于,所述第一切割过程的切割终点至所述第二切割过程的切割终点之间具有第一横向距离,所述第二切割过程的切割终点至通孔圆心之间具有第二横向距离,根据所述第二横向距离相对于所述第一横向距离的倍数,控制切割设备执行所述第三切割过程的切割参数
。5.
如权利要求4所述的通孔样品的制备方法,其特征在于,所述第一横向距离等于切割设备的一个步进距离,根据所述第二横向距离相对于所述第一横向距离的倍数,控制切割设备的切割件以相应倍数的步进距离由所述第二切割过程的切割终点至通孔圆心移动并切割
。6.
如权利要求1所述的通孔样品的制备方法,其特征在于,在所述通孔结构的同一高度位置上,量取所述第一横向宽度和所述第二横向宽度
。7.
如权利要求1所述的通孔样品的制备方法,其特征在于,根据第一横向宽度
、
第二横向宽度与通孔半径的关系式,还用于计算出通孔结构的通孔半径;以及,在执行所述第三切割过程以得到第三纵向截面后,还量测出所述通孔结构的通孔半径,以利用...
【专利技术属性】
技术研发人员:王杰,
申请(专利权)人:中芯先锋集成电路制造绍兴有限公司,
类型:发明
国别省市:
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