【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种电流比调节方法和装置、晶圆沉积设备。
技术介绍
1、在一些薄膜沉积工艺(例如化学气相沉积)中，需要使用到加热装置。其中一类加热装置为内圈和外圈同时加热，但是因为内外两部分的导热能力不同，因此需要对电流比(外圈电流比内圈电流)进行调节，以使得晶圆不同区域的温度尽可能保持一致，从而让晶圆不同区域的膜层致密程度趋于相同。
2、相关技术中，通常仅通过一个位置点的温度数据来调整内外圈的电流比。
3、但是，晶圆不同区域的导热能力是不同的，因此一个位置点的温度数据难以代表晶圆不同区域的温度情况，调节得到的电流比的准确性较差。
4、鉴于上述技术问题的存在，本专利技术提供一种新的电流比调节方法和装置、晶圆沉积设备。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、针对目前存在的问题，本申请一方面提供一种电流比调节方法，所述电流比调节方法应用于晶圆沉积，所述电流比调节方法包括：确定电流比区间，所述电流比区间的第一端点为最小电流比，第二端点为最大电流比；获取第一厚度减少数据，所述第一厚度减少数据为在所述电流比区间的中间电流比下沉积有第一膜层的晶圆，经过酸洗后所述第一膜层的厚度减少数据；在所述第一厚度减少数据不符合
3、在本申请的一个实施例中，所述获取第一厚度减少数据，包括：在所述电流比区间的中间电流比下对晶圆沉积所述第一膜层后，获取所述第一膜层的原始厚度数据；在对沉积有所述第一膜层的晶圆进行酸洗后，获取所述第一膜层余下的剩余厚度数据；根据所述原始厚度数据和所述剩余厚度数据作差得到所述第一厚度减少数据。
4、在本申请的一个实施例中，所述获取所述第一膜层的原始厚度数据，包括：在多个点位对所述第一膜层进行厚度检测，得到所述原始厚度数据；所述获取所述第一膜层余下的剩余厚度数据，包括：在所述多个点位对所述第一膜层余下的部分进行厚度检测，得到所述剩余厚度数据。
5、在本申请的一个实施例中，所述设定条件包括：所述第一厚度减少数据和设定厚度减少数据之间的差值不大于设定阈值；和/或根据所述第一厚度减少数据生成的晶圆测试图和根据所述设定厚度减少数据生成的晶圆测试图之间的颜色差不大于颜色差阈值。
6、在本申请的一个实施例中，所述确定所述中间电流比为新的最小电流比或者新的最大电流比，包括：根据第二厚度减少数据和所述第一厚度减少数据作差得到第一差值数据；根据第三厚度减少数据和所述第一厚度减少数据作差得到第二差值数据；在所述第一差值数据大于所述第二差值数据时，确定所述中间电流比为新的最小电流比，或者，在所述第一差值数据小于所述第二差值数据时，确定所述中间电流比为新的最大电流比；其中，所述第二厚度减少数据为在所述电流比区间的第一端点电流比下沉积有第二膜层的晶圆，经过酸洗后所述第二膜层的厚度减少数据；所述第三厚度减少数据为在所述电流比区间的第二端点电流比下沉积有第三膜层的晶圆，经过酸洗后所述第三膜层的厚度减少数据。
7、在本申请的一个实施例中，所述确定所述中间电流比为新的最小电流比或者新的最大电流比，包括：确定第二晶圆测试图和第一晶圆测试图之间的第一颜色差数据；确定第三晶圆测试图和所述第一晶圆测试图之间的第二颜色差数据；在所述第一颜色差数据小于所述第二颜色差数据时，确定所述中间电流比为新的最小电流比，或者，在所述第一颜色差数据大于所述第二颜色差数据时，确定所述中间电流比为新的最大电流比；其中，所述第一晶圆测试图根据所述第一厚度减少数据生成；所述第二晶圆测试图根据第二厚度减少数据生成，所述第二厚度减少数据为在所述电流比区间的第一端点电流比下沉积有第二膜层的晶圆，经过酸洗后所述第二膜层的厚度减少数据；所述第三晶圆测试图根据第三厚度减少数据生成，所述第三厚度减少数据为在所述电流比区间的第二端点电流比下沉积有第三膜层的晶圆，经过酸洗后所述第三膜层的厚度减少数据。
8、在本申请的一个实施例中，所述晶圆沉积的工艺为化学气相沉积。
9、根据本申请的又一方面，提供了一种电流比调节方法，所述电流比调节方法应用于晶圆沉积，所述电流比调节方法包括：根据至少一组晶圆沉积数据建立电流比预测模型，每组所述晶圆沉积数据包括电流比和在所述电流比下沉积有膜层的晶圆，经过酸洗后所述膜层的厚度减少数据；向所述电流比预测模型输入符合设定条件的厚度减少数据，并将由所述电流比预测模型输出的厚度减少数据符合设定条件时所对应的电流比作为目标电流比。
10、根据本申请的又一方面，提供了一种电流比调节装置，所述电流比调节装置应用于晶圆沉积，所述电流比调节装置包括存储器和处理器，所述存储器上存储有由所述处理器运行的计算机程序，其特征在于，所述计算机程序在由所述处理器运行时，使得所述处理器执行上述中任一项所述的电流比调节方法。
11、根据本申请的又一方面，提供了一种晶圆沉积设备，所述晶圆沉积设备包括晶圆加热元件和上述的电流比调节装置，所述晶圆加热元件包括外圈加热元件和内圈加热元件，所述内圈加热元件设置在所述外圈加热元件的内部，所述电流比调节装置用于调节所述外圈加热元件和所述内圈加热元件之间的电流比。
12、在本申请的一个实施例中，所述晶圆沉积设备为化学气相沉积装置。
13、本申请的电流比调节方法和装置、晶圆沉积设备，通过较少的调整次数即可查找到合适的电流比，而且通过第一厚度减少数据是否符合设定条件作为调整方向，调整方向明确，调节得到的目标电流比的准确高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电流比调节方法，其特征在于，所述电流比调节方法应用于晶圆沉积，所述电流比调节方法包括：
2.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述获取第一厚度减少数据，包括：
3.如权利要求2所述的电流比调节方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述设定条件包括：
5.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述确定所述中间电流比为新的最小电流比或者新的最大电流比，包括：
6.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述确定所述中间电流比为新的最小电流比或者新的最大电流比，包括：
7.如权利要求1～6中任一项所述的电流比调节方法，其特征在于，所述晶圆沉积的工艺为化学气相沉积。
8.一种电流比调节方法，其特征在于，所述电流比调节方法应用于晶圆沉积，所述电流比调节方法包括：
9.一种电流比调节装置，其特征在于，所述电流比调节装置应用于晶圆沉积，所述电流比调节装置包括存储器和处理器，所述存储器上存储有由所述处理器运行的计算机程序，其特征在于，所
10.一种晶圆沉积设备，其特征在于，所述晶圆沉积设备包括晶圆加热元件和如权利要求9所述的电流比调节装置，所述晶圆加热元件包括外圈加热元件和内圈加热元件，所述内圈加热元件设置在所述外圈加热元件的内部，所述电流比调节装置用于调节所述外圈加热元件和所述内圈加热元件之间的电流比。
11.如权利要求10所述的晶圆沉积设备，其特征在于，所述晶圆沉积设备为化学气相沉积装置。
...【技术特征摘要】
1.一种电流比调节方法，其特征在于，所述电流比调节方法应用于晶圆沉积，所述电流比调节方法包括：
2.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述获取第一厚度减少数据，包括：
3.如权利要求2所述的电流比调节方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述设定条件包括：
5.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述确定所述中间电流比为新的最小电流比或者新的最大电流比，包括：
6.如权利要求1所述的电流比调节方法，其特征在于，所述确定所述中间电流比为新的最小电流比或者新的最大电流比，包括：
7.如权利要求1～6中任一项所述的电流比调节方法，其特征在于，所述晶圆沉积的工艺为化学气相沉积。
8.一种电流比调节方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：章盟狄，王海涛，徐金辉，
申请(专利权)人：中芯先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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