本实用新型专利技术提供了一种晶圆识别装置，包括：光束发射组件、光束发射头、光束接收组件以及光束接收头；光束发射组件与光束发射头通过光纤连接，光束接收组件与光束接收头通过光纤连接；光束发射头和光束接收头设置在待测晶圆的同一侧，光束发射头和光束接收头位于同一平面内；光束发射头的发射端朝向待测晶圆的圆心设置，光束接收头的接收端朝向待测晶圆的圆心设置；光束发射组件通过光束发射头发射的光线经待测晶圆反射后到达光束接收头，光束接收组件通过光束接收头接收光线。本实用新型专利技术解决了要同时检测硅片和碳化硅片两种晶圆时和碳化硅片间因型号不同而无法识别的问题。硅片间因型号不同而无法识别的问题。硅片间因型号不同而无法识别的问题。
【技术实现步骤摘要】
晶圆识别装置
[0001]本技术涉及半导体制造
，具体地，涉及晶圆识别装置，尤其是可以同时识别碳化硅片和硅片的晶圆识别装置。
技术介绍
[0002]现有的硅片识别器由晶圆识别器光束发射端产生入射光射到晶圆上面，光经过晶圆的折射后进入晶圆识别器光束接收端，接受端根据接收到的光信号的强弱来分辨晶圆是否存在，如果光信号弱，则晶圆存在，如果光信号强，则晶圆不存在。接收端对光信号的强弱阈值是传统硅片识别器制造时根据硅片的折射率、消光系数所定的确定值，不能更改，当测量碳化硅片时，由于碳化硅片透明度和硅片不一样，导致识别不到碳化硅片的存在，当想要将晶圆识别器同时应用硅片和碳化硅片时，会由于硅片和碳化硅片的折射率不同导致接收端光信号强弱不一致，无法做到兼容，除此之外，碳化硅片间因为批次、厂家不同，碳化硅片间也会产生透光率不一致的情况，上述问题导致传统的硅片识别器根据硅的折射率和消光系数所建的阈值无法去兼容识别硅片和碳化硅片。
[0003]发射端处入射的光经过待测晶圆后，因为新型碳化硅厂要同时使用碳化硅晶圆和硅晶圆两种类型的晶圆，碳化硅厂使用硅晶圆的原因是由于碳化硅价格是硅的百倍，需要用硅片做日常的测机、挡片、监控等，也可能会同时生产两种类型衬底的产品。透过待测晶圆后，光的强度会根据待测晶圆材料的物理特性(折射率，消光系数)发生变化，导致接收端接收到的光强差异大，从可见光肉眼的角度，存在如下情况：硅晶圆是不透明的、碳化硅晶圆是透明的、不存在晶圆时三种状态。不应碳化硅时，因为透过硅片和不存在晶圆两种状态差异很大，当存在硅片时，因为不透明，接收端处透光晶圆的光强非常的低，可以明显区分出有晶圆，但是当碳化硅厂要同时做两种类型兼容时，由于碳化硅片是透明的，硅片不透明，当待测晶圆是碳化硅晶圆时，接收端接收到的光强足够大，会被判断成没有晶圆，所以有了碳化硅片识别不出来的问题。
[0004]碳化硅片由于目前国内的工艺制造，各个厂家、同一厂家不同批次、同一批次不同片间都存在透光率不一致，而且碳化硅片的透明导致接收到的光强与没有晶圆时差距没有像硅片那么大，且碳化硅片不同片间又存在透光率不一致的原因，即使定制使用一种把识别阈值降低的识别器，仍然会有识别不出来的现象。
[0005]原来的识别器是使用了入射光经过晶圆折射后到接收端。对于碳化硅片和硅片，以300nm的光为例，300nm的光在碳化硅片有消光系数仅有1.18左右，而在硅片上消光系数有4.1左右，这种情况下，碳化硅片的折射率为2.95左右，硅片的在5.1左右，差距很大，使现有的晶圆识别器识别很难兼容两种类型。
[0006]公开号为CN203774311U的专利文献公开了一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构；在晶圆的边缘表面形成3D结构的晶圆识别结构。该专利文献与本申请的技术方案不同。
技术实现思路
[0007]针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种晶圆识别装置。
[0008]根据本技术提供的一种晶圆识别装置，包括：光束发射组件、光束发射头、光束接收组件以及光束接收头；
[0009]所述光束发射组件与所述光束发射头通过光纤连接，所述光束接收组件与所述光束接收头通过光纤连接；
[0010]所述光束发射头和所述光束接收头设置在待测晶圆的同一侧，所述光束发射头和所述光束接收头位于同一平面内；
[0011]所述光束发射头的发射端朝向待测晶圆的圆心设置，所述光束接收头的接收端朝向所述待测晶圆的圆心设置；
[0012]所述光束发射组件通过所述光束发射头发射的光线经所述待测晶圆反射后到达所述光束接收头，所述光束接收组件通过所述光束接收头接收光线。
[0013]优选的，还包括面板支架，所述面板支架位于所述待测晶圆的上方，所述光束发射头和所述光束接收头均设置在所述面板支架上。
[0014]优选的，所述光束发射头和所述光束接收头通过固定螺丝固定设置在所述面板支架上。
[0015]优选的，还包括工控机，所述光束发射组件和所述光束接收组件均与所述工控机的控制端口连接。
[0016]优选的，所述光束发射组件为近红外光源。
[0017]优选的，所述光束接收组件为光谱仪。
[0018]优选的，所述光谱仪为近红外光纤光谱仪或微型光纤光谱仪。
[0019]优选的，所述光纤为反射光纤。
[0020]优选的，所述光束发射组件和所述光束接收组件关于所述待测圆晶的中轴线对称设置。
[0021]优选的，所述光束接收组件的接受光的阈值在0.1～0.18。
[0022]与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：
[0023]1、本技术的光束发射组件发射的光通过光束发射头斜射到待测晶圆上面，在待测晶圆上面发生反射，反射光进入到光束接收头，通过光束接收头进入光束接收组件；当不存在待测晶圆时，光束发射组件发出的入射光不会发生反射，反射光无法被光束接收组件的接收端收集到，可以轻松识别出没有待测晶圆；
[0024]2、本技术通过采用在晶圆识别器接收端设置光谱仪，对接收光的光强进行精确分析测量，通过光强的差别，解决了要同时检测硅片和碳化硅片两种晶圆时，而无法识别的问题，也解决了要同时检测不同型号的碳化硅片时，而无法识别的问题；
[0025]3、本技术通过光束接收组件是否接收到反射光进而判断是否存在待测晶圆，同时通过光束接收组件对光强进行分析，解决了现有的碳化硅晶圆制造厂的工艺设备和量测设备无法同时兼容识别硅片和碳化硅片的问题。
附图说明
[0026]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特
征、目的和优点将会变得更明显：
[0027]图1为本技术的晶圆识别装置的结构框图。
[0028]图中示出：
[0029]光束发射头1
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光束接收组件5
[0030]待测晶圆2
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面板支架6
[0031]光束接收头3
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固定螺丝7
[0032]光束发射组件4
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控制端口8
具体实施方式
[0033]下面结合具体实施例对本技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本技术，但不以任何形式限制本技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本技术的保护范围。
[0034]实施例1：
[0035]如图1所示，本实施例提供一种晶圆识别装置，包括：光束发射组件4、光束发射头1、光束接收组件5以及光束接收头3，光束发射组件4与光束发射头1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆识别装置，其特征在于，包括：光束发射组件(4)、光束发射头(1)、光束接收组件(5)以及光束接收头(3)；所述光束发射组件(4)与所述光束发射头(1)通过光纤连接，所述光束接收组件(5)与所述光束接收头(3)通过光纤连接；所述光束发射头(1)和所述光束接收头(3)设置在待测晶圆(2)的同一侧，所述光束发射头(1)和所述光束接收头(3)位于同一平面内；所述光束发射头(1)的发射端朝向待测晶圆(2)的圆心设置，所述光束接收头(3)的接收端朝向所述待测晶圆(2)的圆心设置；所述光束发射组件(4)通过所述光束发射头(1)发射的光线经所述待测晶圆(2)反射后到达所述光束接收头(3)，所述光束接收组件(5)通过所述光束接收头(3)接收光线。2.根据权利要求1所述的晶圆识别装置，其特征在于，还包括面板支架(6)，所述面板支架(6)位于所述待测晶圆(2)的上方，所述光束发射头(1)和所述光束接收...
【专利技术属性】
技术研发人员：王旭东，
申请(专利权)人：淄博绿能芯创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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