基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够一边实现基板的温度的低温化一边对形成于基板的膜进行改性处理。本发明专利技术的技术具有：处理室，其对形成有处理对象膜和作用对象膜的基板进行处理；以及电磁波发生器，其向处理室供给电磁波，当对基板照射电磁波时，作用对象膜发热，对处理对象膜进行改性处理。进行改性处理。进行改性处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]作为半导体装置(半导体器件)的制造工序的一工序，例如具有以退火处理为代表的改性处理，该退火处理是使用加热装置对处理室内的基板进行加热，使形成于基板的表面的薄膜中的成分、晶体结构变化，或者修复形成的薄膜内的晶体缺陷等。在近年来的半导体器件中，微细化、高集成化变得显著，与此相伴地要求对形成有具有高纵横比的图案的高密度的基板的改性处理。作为这样的对高密度基板的改性处理方法，正在研究使用了微波的热处理方法。作为一例，可举出专利文献1记载的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
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70045号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在现有的使用了微波的处理中，根据形成于基板上的膜，有时还存在受热历程的影响的膜，难以既满足在器件制造工序中所要求的热历程，又以低温对形成于基板上的膜进行期望的热处理(改性处理)。
[0008]本公开的目的在于，提供一种能够一边实现基板的温度的低温化，一边对形成于基板的膜进行改性处理的基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]本专利技术提供一种技术，其具有：处理室，其对形成有处理对象膜和作用对象膜的基板进行处理；以及电磁波发生器，其向上述处理室供给电磁波，当对上述基板照射上述电磁波时，上述作用对象膜发热，对上述处理对象膜进行改性处理。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本公开的一方案，能够提供一种能够一边实现基板的温度的低温化，一边对形成于基板的膜进行改性处理的结构。
附图说明
[0013]图1是表示适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的概略结构的纵剖视图。
[0014]图2是表示适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的概略结构的横剖视图。
[0015]图3是适用于本公开的实施方式的基板处理装置的单片型处理炉的概略结构图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。
[0016]图4是适用于本公开的基板处理装置的控制器的概略结构图。
[0017]图5是表示本公开的基板处理的流程的图。
[0018]图6是表示适用于本公开的实施方式的基板上的膜的结构的剖视图。
[0019]图7是表示本公开中的改性处理后的非晶态膜的折射率的一例的图。
[0020]图8是表示本公开中的改性处理后的非晶态膜的薄层电阻的一例的图。
[0021]图9是表示适用于本公开的实施方式的基板上的膜的结构的变形例1的立体图。
[0022]图10是表示适用于本公开的实施方式的基板上的膜的结构的变形例2的剖视图。
[0023]图中：
[0024]100—基板处理装置，200—晶圆(基板)，201—处理室，655—微波振荡器(电磁波源、电磁波振荡器)，2002—P
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doped
‑
Si膜(处理对象膜、目标膜)，2003—SiOC膜(作用对象膜、辅助膜)。
具体实施方式
[0025]以下，基于附图对本公开的一实施方式进行说明。另外，以下的说明使用的附图均是示意性的图，附图所示的各要素的尺寸关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸关系、各要素的比率等也未必一致。
[0026](1)基板处理装置的结构
[0027]在本实施方式中，本公开的基板处理装置100构成为对晶圆实施各种热处理的单片式热处理装置，采用进行后述的使用了电磁波的退火处理(改性处理)的装置进行说明。在本实施方式的基板处理装置100中，使用FOUP(Front Opening Unified Pod：以下，称为晶圆盒)110作为在内部容纳作为基板的晶圆200的收纳容器(载体)。晶圆盒110还作为用于将晶圆200在各种基板处理装置间搬送的搬送容器使用。
[0028]如图1及图2所示，基板处理装置100具备：搬送箱体(箱体)202，其在内部具有搬送晶圆200的搬送室(搬送区)203；以及作为后述的处理容器的壳体102
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1、102
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2，其设于搬送箱体202的侧壁，且在内部分别具有对晶圆200进行处理的处理室201
‑
1、201
‑
2。在搬送室203的箱体前侧即图1的右侧(图2的下侧)配置有用于开闭晶圆盒110的盖且将晶圆200在搬送室203搬入/搬出的作为晶圆盒开闭机构的装载端口单元(LP)106。装载端口单元106具备箱体106a、工作台106b、以及开启器106c，工作台106b载置晶圆盒110，构成为使晶圆盒110接近形成于搬送室203的箱体前方的基板搬入搬出口134，且通过开启器106c使设置于晶圆盒110的未图示的盖开闭。另外，箱体202具有净化气体循环构造，该净化气体循环构造设有用于使N2等净化气体在搬送室203内循环的清洁单元166。
[0029]在搬送室203的箱体202的后侧即图1的左侧(图2的上侧)分别配置有对处理室201
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1、202
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2进行开闭的闸阀205
‑
1、205
‑
2。在搬送室203设置有作为移载晶圆200的基板移载机构(基板移载机器人)的移载机125。移载机125由载置晶圆200的作为载置部的夹钳(臂)125a
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1、125a
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2、能够使夹钳125a
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1、125a
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2分别沿水平方向旋转或直动的移载装置125b、以及使移载装置125b升降的移载装置升降机125c构成。通过夹钳125a
‑
1、125a
‑
2、移载装置125b、移载装置升降机125c的连续动作，能够在后述的基板保持件(晶舟)217、晶圆盒110装填(装入)或移除(卸出)晶圆200。以下，在不需要特别区别地说明壳体102
‑
1、102
‑
2、处理室201
‑
1、201
‑
2、夹钳125a
‑
1以及125a
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2的每一个的情况下，简记为壳体102、处理室201、夹钳125a。
[0030]如图1所示，在搬送室203的上方空间且比清洁单元166靠下方，在晶圆冷却台109
上设有用于冷却进行了处理的晶圆200的晶圆冷却用载置件108。晶圆冷却用载置件108具有与后述的作为基板保持件的晶舟217相同的构造，且构成为能够利用多个晶圆保持槽(保持部)将多张晶圆200水平保持垂直多层。晶圆冷却用载置件108以及晶圆冷却台109设置于比基板搬入搬出口134以及闸阀205的设置位置靠上方，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对形成有处理对象膜和作用对象膜的基板进行处理；以及电磁波发生器，其向所述处理室供给电磁波，当对所述基板照射所述电磁波时，所述作用对象膜发热，对所述处理对象膜进行改性处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述作用对象膜设于所述处理对象膜的表面。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述作用对象膜与所述处理对象膜相邻地设置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述作用对象膜设于所述处理对象膜的两侧。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板形成有多个所述处理对象膜，所述作用对象膜以覆盖形成有多个的所述处理对象膜的方式设置。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理对象膜是添加有磷的硅膜。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述作用对象膜是含碳的硅氧化膜。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，当照射所述电磁波时，所述含碳的硅氧化膜发热，将所述添加有磷的硅膜加热使其晶化。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述改性处理结束后，去除所述作用对象膜。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述电磁波是微波。11.根据权利要求10所述的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木伸也，道田典明，山本克彦，中川崇，汤浅和宏，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：