光刻版框架及其制造方法技术

本申请提供一种光刻版框架及光刻版框架制造方法，涉及半导体制造技术领域。本发明专利技术基于不同光刻机的不同视场，引入子框架单元概念，根据各个不同的光刻机视场分别在横向和纵向可排布的芯粒数量的最大公约数确定最小框架单元的尺寸，再将子框架单元通过在横向和纵向平移复制的方式得到最终的光刻版框架。如此，可以在不牺牲光刻机使用的最大曝光视场的前提下，通过光刻版框架的优化，实现高自由度的不同视场光刻机之间的匹配使用。不同视场光刻机匹配使用过程中不需要进行复杂的计算，按照各自的框架进行程序编辑即可，进而使得本申请的光刻版框架的实用性更强，可以跨多个曝光视场匹配使用光刻机，使得光刻机产能利用率能够得到有效的提升。够得到有效的提升。够得到有效的提升。

【技术实现步骤摘要】
光刻版框架及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体生产
，具体而言，涉及一种光刻版框架及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，光刻机设备不断更新，在生产制造中，产品的不同光刻层需要搭配使用新型号的高分辨率光刻机和旧型号的光刻机，以实现先进光刻机只加工高精度要求的光刻刻次，物尽其用，旧型号的光刻机进行线条精度要求不严格的光刻刻次的加工，搭配使用降低成本投入，达到经济效益最优化。而在此过程中，以一种典型的光刻机设备系列为例，新型号光源248nm波长以下的光刻机曝光视场一般为25mm*33mm，光源为365nm波长以上的I线/G线光刻机一般为22mm*22mm、20mm*20mm、15mm*15mm曝光视场，目前各产线光刻机的搭配使用方式不够理想，而影响生产成本以及光刻机的利用率。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种光刻版框架及其制造方法。
[0004]本专利技术的第一方面，提供了一种光刻版框架，适用于至少两种具有不同曝光视场面积的光刻机，所述光刻版框架包括阵列排列的S*T个子框架单元，其中：
[0005]至少两种所述光刻机中的第k种光刻机的曝光视场面积被定义为S
k
＝A
k
*B
k
，A
k
为所述第k种光刻机的曝光视场的宽度尺寸，B
k
为所述第k种光刻机的曝光视场的长度尺寸，所述第k种光刻机的曝光视场可容纳的芯粒区域数量为N/>k
＝N
xk
*N
yk
，N
xk
＝ITN(A
k
/x)，N
yk
＝ITN(B
k
/y)，x为所述芯粒区域的宽度尺寸，y为所述芯粒的长度尺寸；
[0006]所述子框架单元的宽度尺寸为N
x
*x，子框架单元的长度尺寸为N
y
*y，所述N
x
为N
xk
的最大公约数，N
y
为N
yk
的最大公约数；
[0007]所述光刻版框架的宽度为N
x
*x*S且N
x
*x*S＜A
k
，所述光刻版框架的长度为N
y
*y*T且N
y
*y*T＜B
k
。
[0008]在一种可能的实施方式中，所述光刻版框架以所述子框架单元为基础版图区域，所述基础版图区域内的横向划片线和纵向划片线上设有对位标记。
[0009]在一种可能的实施方式中，所述横向划片线和所述纵向划片线上还设有测试标记。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述A
k
的取值为15mm
‑
25mm，所述B
k
的取值为17.5mm
‑
33mm。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述A
k
的取值为15mm、15.5mm、18mm、22mm、24.5mm或25mm，所述B
k
的取值为17.5mm、18mm、20.2mm、25.2mm、32.5mm或33mm。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述x的取值为0.1mm
‑
1.8mm，所述y的取值为0.1mm
‑
2mm。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述x的取值为0.1、0.7、0.9、1.4、1.7、2.0，所述y的取
值为0.1、0.6、0.8、1.3、1.5、1.8。
[0014]一种光刻版制造方法，所述方法包括：
[0015]确定所述光刻版框架所适用的至少两种不同光刻机中的每种光刻机的曝光视场面积，其中，所述曝光视场面积被定义为S
k
＝A
k
*B
k
，A
k
为所述至少两种不同光刻机中第k种光刻机的曝光视场的宽度尺寸，B
k
为所述第k种光刻机的曝光视场的长度尺寸，所述第k种光刻机的曝光视场可容纳的芯粒数量为N
k
＝N
xk
*N
yk
，N
xk
＝ITN(A
k
/x)，N
yk
＝ITN(B
k
/y)；
[0016]确定被各所述光刻机加工的芯粒的尺寸参数x和y，x为所述芯粒的宽度尺寸，y为所述芯粒的长度尺寸；
[0017]设定N
xk
的最大公约数N
x
为最小框架单元中横向排布的芯粒数量，设定N
yk
的最大公约数N
y
为最小框架单元中纵向排布的芯粒数量；
[0018]在一基板的横向和纵向上分别制作形成阵列排列的S*T个子框架单元形成光刻版框架，所述子框架单元的宽度尺寸为N
x
*x、长度尺寸为N
y
*y。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述在一基板的横向和纵向上分别制作形成阵列排列的S*T个子框架单元形成光刻版框架，包括：
[0020]在所述基板上形成遮光层，然后在所述遮光层上制作所述子框架单元形成所述光刻版框架。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0022]将所述光刻版框架上的子框架单元作为基础版图区域，并在所述基础版图区域内的横向划片线和纵向划片线上设置对位标记和测试标记。
[0023]相对于现有技术而言，本申请实施例在将光刻版框架的设计过程中，基于不同光刻机的不同视场，引入子框架单元(最小框架单元)概念，根据各个不同的光刻机视场分别在横向和纵向可排布的芯粒数量的最大公约数确定最小框架单元的尺寸，然后将子框架单元通过在横向和纵向平移复制的方式得到最终的光刻版框架。
[0024]如此，可以在不牺牲光刻机使用的最大曝光视场的前提下，通过光刻版框架的设计优化，实现高自由度的不同视场光刻机之间的匹配使用。同时，不同视场光刻机匹配使用过程中不需要进行复杂的计算，按照各自的框架进行程序编辑即可，进而使得本申请的光刻版框架的实用性更强，可以跨多个曝光视场匹配使用光刻机，使得光刻机产能利用率能够得到有效的提升。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0026]图1为本申请实施例提供的光刻版框架的结构示意图；
[0027]图2为光刻机视场与芯片匹配状态示意图；
[0028]图3为芯粒区域的尺寸示意图；
[0029]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻版框架，适用于至少两种具有不同曝光视场面积的光刻机，其特征在于，所述光刻版框架包括阵列排列的S*T个子框架单元，其中：至少两种所述光刻机中的第k种光刻机的曝光视场面积被定义为S
k
＝A
k
*B
k
，A
k
为所述第k种光刻机的曝光视场的宽度尺寸，B
k
为所述第k种光刻机的曝光视场的长度尺寸，所述第k种光刻机的曝光视场可容纳的芯粒区域数量为N
k
＝N
xk
*N
yk
，N
xk
＝ITN(A
k
/x)，N
yk
＝ITN(B
k
/y)，x为所述芯粒区域的宽度尺寸，y为所述芯粒的长度尺寸；所述子框架单元的宽度尺寸为N
x
*x，子框架单元的长度尺寸为N
y
*y，所述N
x
为N
xk
的最大公约数，N
y
为N
yk
的最大公约数；所述光刻版框架的宽度为N
x
*x*S且N
x
*x*S＜A
k
，所述光刻版框架的长度为N
y
*y*T且N
y
*y*T＜B
k
。2.根据权利要求1所述的光刻版框架，其特征在于，所述光刻版框架以所述子框架单元为基础版图区域，所述基础版图区域内的横向划片线和纵向划片线上设有对位标记。3.根据权利要求2所述的光刻版框架设计方法，其特征在于，所述横向划片线和所述纵向划片线上还设有测试标记。4.根据权利要求1所述的光刻版框架设计方法，其特征在于，所述A
k
的取值为15mm
‑
25mm，所述B
k
的取值为17.5mm
‑
33mm。5.根据权利要求4所述的光刻版框架设计方法，其特征在于，所述A
k
的取值为15mm、15.5mm、18mm、22mm、24.5mm或25mm，所述B
k
的取值为17.5mm、18mm、...

【专利技术属性】
技术研发人员：白金，张德治，赵一铭，马占良，尚彦超，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：