【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆腐蚀检测，具体而言，涉及一种晶圆腐蚀检测装置。
技术介绍
1、超薄晶圆减薄后需要腐蚀去除多余硅厚度达到最终的厚度标准，为达到严格的晶圆厚度标准，需要晶圆腐蚀检测装置对每片腐蚀前晶圆与腐蚀后晶圆进行片测厚度。
2、现有技术中的晶圆腐蚀检测装置包括光学探头模块、采集模块、传输模块以及供电模块。光学探头模块用于检测设置在腐蚀装置的俯视腔内的晶圆，在晶圆下方设置并半包覆晶圆的聚焦环，设置在聚焦环下方的静电吸盘，间隔晶圆并在晶圆上方设置的淋气头，淋气头包括至少两个喷淋孔洞。在工作状态下，基于光学探头模块所采集拍摄的淋气头图像确定两个喷淋孔洞的中心像素之间的相对距离、喷淋孔洞的孔内径的相对尺寸；基于喷淋孔洞的中心孔间距确定两个喷淋孔洞的中心孔间距的实际距离；确定每个喷淋孔洞的孔内径的实际尺寸，并基于实际尺寸判断淋气头内喷淋孔洞的腐蚀程度，以确定检测晶圆在腐蚀过程中的厚度。该晶圆腐蚀检测装置通过光学探头模块可以实时地检测晶圆在腐蚀过程中的厚度，从而可以使晶圆更容易达到相应的厚度标准。
3、然而，现有技术中晶圆腐蚀...
【技术保护点】
1.一种晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，所述竖直升降机构包括安装在所述腐蚀平台(1)顶面的升降电机(2)，所述升降电机(2)的电机轴上安装有竖直螺杆(5)，所述竖直螺杆(5)上通过竖直螺母(41)连接有位于水平方向的升降板(4)，所述升降板(4)的一端延伸至所述第一滑动槽(31)内，所述升降板(4)上开有位于所述腐蚀腔(1001)上方的检测通孔(42)，所述探头(8)通过所述检测通孔(42)对准所述腐蚀腔(1001)。
3.根据权利要求2所述的晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，所述竖直升降机构包括安装在所述腐蚀平台(1)顶面的升降电机(2)，所述升降电机(2)的电机轴上安装有竖直螺杆(5)，所述竖直螺杆(5)上通过竖直螺母(41)连接有位于水平方向的升降板(4)，所述升降板(4)的一端延伸至所述第一滑动槽(31)内，所述升降板(4)上开有位于所述腐蚀腔(1001)上方的检测通孔(42)，所述探头(8)通过所述检测通孔(42)对准所述腐蚀腔(1001)。
3.根据权利要求2所述的晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，所述第一水平调节机构(6)包括相对安装在所述升降板(4)顶面的两个第一安装板(65)，两个所述第一安装板(65)间通过轴承安装有第一水平螺杆(63)，所述第一水平螺杆(63)上通过第一水平螺母(61)安装有第一水平滑动板(64)，两个所述第一安装板(65)间还安装有穿过所述第一水平滑动板(64)的第一水平滑杆(62)，所述升降板(4)上还安装有与所述第一水平螺杆(63)的一端连接的第一水平电机(66)，所述探头(8)安装在所述第一水平滑动板(64)上。
4.根据权利要求3所述的晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括安装在所述第一水平滑动板(64)上的第二水平调节机构(7)，所述第二水平调节机构(7)的调节方向与所述第一水平调节机构(6)的调节方向相交，所述探头(8)安装在所述第二水平调节机构(7)上。
5.根据权利要求4所述的晶圆腐蚀检测装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周锋，孙宏斌，张佳鑫，王斌，边绍成，孟鹤，邢文超，耿智蔷，常影，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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