防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法，所述防护薄膜框架为构成光刻用的防护薄膜的防护薄膜框架，所述防护薄膜框架的外周侧面形成为流线形状，且形成为所述流线形状的外周部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。本发明专利技术通过将防护薄膜框架的外周侧面部设为特定的流线型的形状，而空气的剥离变小，可减小空气阻力，并且，结果可抑制高速扫描运动中的乱流，可抑制曝光后的覆盖的恶化。盖的恶化。盖的恶化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种防护薄膜框架(pellicle frame)、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置(device)或液晶显示器等时的光刻步骤中，通过对涂布有抗蚀剂的半导体晶片或液晶用原版照射光来制作图案，若此时使用的光掩模及网线(reticle)(以下，光掩模)附着有异物，则所述异物会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。
[0003]这些光刻步骤通常是在无尘室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净，因此，通常采用在曝光原版设置被称为防护薄膜的异物去除器而进行曝光的方法。
[0004]此种防护薄膜通常包括：框状的防护薄膜框架、张设于防护薄膜框架的上端面的防护薄膜膜片、以及形成于防护薄膜框架的下端面的气密用衬垫(gasket)等。其中的防护薄膜膜片包含对于曝光光显示出高的透过率的材料，且气密用衬垫使用粘着剂等。
[0005]若将此种防护薄膜设置于光掩模，则异物不会直接附着于光掩模，而是附着于防护薄膜上。而且，若在光刻中使焦点在光掩模的图案上对焦，则防护薄膜上的异物便与转印无关，可抑制图案的变形等问题。
[0006]且说，在此种光刻技术中，作为提高分辨率的手段，正推进曝光光源的短波长化。直至目前为止，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)，并且，近年来，在需要进行微细的加工时最频繁地使用ArF准分子激光(193nm)。
[0007]近年来，为了使用ArF准分子激光进行更微细的加工，而使用液浸曝光装置。通过利用液体将曝光装置的接物镜与硅晶片之间填满，而实现更高的数值孔径(numerical aperture，NA)，结果，获得更高的分辨率。若如此将曝光装置设为高NA化，则在透过防护薄膜的光中，在周边部中斜入射的角度变大。防护薄膜的透过率通常是以对于垂直入射光可获得极大透过率的方式设定，但可见随着入射角变大而透过率下降的现象。关于所述透过率的减少的程度，可见在防护薄膜膜片的膜厚厚的情况下显著。因此，为了对于斜入射光也获得高的透过率，通常将防护薄膜膜片薄膜化。
[0008]但是，若将防护薄膜膜片薄膜化，则存在膜的强度随之下降的问题。即，曝光时，将防护薄膜贴附于光掩模基板而制作的光掩模单元进行高速扫描运动，因此，在防护薄膜膜片的强度小的情况下，膜容易因高速扫描运动中的乱流的影响而振动。即，因防护薄膜膜片振动，而曝光光在通过防护薄膜膜片时容易紊乱，有图案自原本设为目标的位置偏移而图案的位置精度(覆盖(overlay))恶化的可能性。
[0009]再者，作为与提高覆盖的工艺相关联的现有技术，可列举以下的公开公报。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1：日本专利特开2018
‑
508048号公报
[0013]专利文献2：国际公开第2012/080008号

技术实现思路

[0014]专利技术所要解决的问题
[0015]本专利技术是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种防护薄膜框架及使用其的防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法，所述防护薄膜框架可抑制高速扫描运动中容易产生的乱流，缓和曝光时的高速扫描运动时的防护薄膜膜片的振动，抑制覆盖恶化。
[0016]解决问题的技术手段
[0017]本专利技术人为了解决所述课题而进行了努力研究，结果获得了如下见解，从而形成了本专利技术：通过将防护薄膜框架的外周侧面部设为特定的流线型的形状，而空气的剥离变小，可减小空气阻力，并且，结果可抑制高速扫描运动中的乱流，可抑制曝光后的覆盖的恶化。
[0018]因此，本专利技术提供以下的防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半导体或液晶显示器的制造方法。
[0019]1.一种防护薄膜框架，其为构成光刻用的防护薄膜的防护薄膜框架，且其特征在于：所述防护薄膜框架的外周侧面形成为流线形状，并且形成为所述流线形状的外周侧面部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。
[0020]2.一种防护薄膜框架，其特征在于：外周侧面具有形成为流线形状的部分，并且形成为所述流线形状的外周侧面部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。
[0021]3.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中流线形状为圆弧形状。
[0022]4.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中设置于曝光原版的一侧(下端面侧)的防护薄膜框架的宽度(w)大于设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)的防护薄膜框架的宽度(B)。
[0023]5.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中所述防护薄膜框架的宽度(B)为所述防护薄膜框架的宽度(w)的60％以下。
[0024]6.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中外周侧面的宽度是自设置于曝光原版的一侧(下端面侧)朝向设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)逐渐减小。
[0025]7.一种防护薄膜，其特征在于包括：根据所述1或2记载的防护薄膜框架以及防护薄膜膜片。
[0026]8.根据所述7记载的防护薄膜，其中所述防护薄膜膜片的膜厚为500nm以下。
[0027]9.根据所述7记载的防护薄膜，其为300mm/秒以上的扫描速度下的曝光中所使用的防护薄膜。
[0028]10.一种带防护薄膜的曝光原版，其特征在于：在曝光原版装设有根据所述7记载的防护薄膜。
[0029]11.一种曝光方法，其特征在于：通过根据所述10记载的带防护薄膜的曝光原版来进行基板的曝光。
[0030]12.根据所述11记载的曝光方法，其中以300mm/秒以上的扫描速度对基板进行曝光。
[0031]13.一种半导体的制造方法，其特征在于包括：使用根据所述10记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。
[0032]14.根据所述13记载的半导体的制造方法，其中对基板进行曝光的步骤为以300mm/秒以上的扫描速度进行基板的曝光的步骤。
[0033]15.一种液晶显示器的制造方法，其特征在于包括：使用根据所述10记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。
[0034]16.根据所述15记载的液晶显示器的制造方法，其中对基板进行曝光的步骤为以300mm/秒以上的扫描速度进行基板的曝光的步骤。
[0035]专利技术的效果
[0036]根据本专利技术的防护薄膜框架，与现有的防护薄膜框架相比，通过将框架的外侧形状设为流线型，可抑制高速扫描运动中容易产生的乱流，缓和曝光时的高速扫描运动时的防护薄膜膜片的振动，可抑制覆盖恶化，在微细的图案形成步骤中有效。因此，使用本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防护薄膜框架，其为构成光刻用的防护薄膜的防护薄膜框架，且其特征在于：所述防护薄膜框架的外周侧面形成为流线形状，并且形成为所述流线形状的外周侧面部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。2.一种防护薄膜框架，其特征在于：外周侧面具有形成为流线形状的部分，并且形成为所述流线形状的外周侧面部分的宽度为防护薄膜框架的高度的50％以上。3.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中流线形状为圆弧形状。4.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中设置于曝光原版的一侧(下端面侧)的防护薄膜框架的宽度(w)大于设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)的防护薄膜框架的宽度(B)。5.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中所述防护薄膜框架的宽度(B)为所述防护薄膜框架的宽度(w)的60％以下。6.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中外周侧面的宽度是自设置于曝光原版的一侧(下端面侧)朝向设置防护薄膜膜片的一侧(上端面侧)逐渐减小。7.一种防护薄膜，其特征在于包括：如权利要求1或2所述的防护薄膜框架以及防护薄膜膜片。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：西村晃范，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：