【技术实现步骤摘要】
本申请涉及测试电路，具体而言，涉及一种可控硅测试电路。
技术介绍
1、可控硅(silicon controlled rectifier，简称scr)是一种大功率电器元件，也称晶闸管，具有体积小、效率高、寿命长等优点。由于可控硅具有可控性，可以通过外部触发器或控制电路来控制其导通和阻断，使其成为电子和电力应用领域中的重要组件。例如，在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
2、在可控硅应用在整机电路时，可控硅通常被用于控制电源中的高电压和/或高电流输出。然而，在多种设备在运行过程中会产生瞬态脉冲，将会对设备和/或可控硅造成干扰。这种干扰以具有陡峭前沿的脉冲群形式出现，也被称为电快速瞬态突发干扰(eft)。此时，若电快速瞬态突发干扰水平超过可控硅的抗干扰水平，可控硅将发生误动作，可能会导致设备工作异常。
3、如果能够提前确定可控硅的抗干扰水平，可以为产品参数优化提供改进建议，规避设备运行中的电快速瞬态突发干扰风险。但在现有技术中，通常是在整机环境中利用电快速瞬变脉冲群模拟器(也称eft测试仪)对整合在设备中的可控硅的抗干扰能力进行测试。具体地，电快速瞬变脉冲群模拟器发出一种脉冲谐波信号，这种信号通常由高频能量的短脉冲组成，频谱中的谐波分布宽、密集，可以模拟真实环境中的高能瞬态干扰。测试过程大致为：电快速瞬变脉冲群模拟器向被测试的设备发送不同方向的能量脉冲，模拟设备在不同干扰场景下的工作状态，从而确定可控硅的抗扰度水平。该种在整机电路中测试可控硅抗干扰能力的方法，可控硅容易受到设
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种可控硅测试电路。
2、第一方面，本申请实施例提供一种可控硅测试电路，所述可控硅测试电路包括脉冲发生装置、待测可控硅、触发单元及导通指示装置。
3、所述脉冲发生装置包括第一脉冲发生端口及第二脉冲发生端口，所述待测可控硅的第一端、所述待测可控硅的第二端及所述导通指示装置串接于所述第一脉冲发生端口与所述第二脉冲发生端口之间，所述触发单元连接在所述待测可控硅的控制端和所述待测可控硅的第二端之间。
4、所述脉冲发生装置用于产生可变电压的脉冲测试信号，所述触发单元用于控制所述待测可控硅的导通情况，所述导通指示装备用于指示在当前电压下所述待测可控硅是否误触发。
5、在一种可能的实现方式中，所述可控硅测试电路还包括整流电路，所述整流电路具有第一整流端、第二整流端、第三整流端及第四整流端。
6、所述第一脉冲发生端与所述第一整流端连接，所述第二整流端与所述待测可控硅连接，所述第三整流端与所述导通指示装备连接，所述第四整流端与所述第二脉冲发生端连接。
7、在一种可能的实现方式中，所述整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管。
8、所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与第三二极管的阴极连接，所述第一二极管的阳极与所述第四二极管的阳极连接，所述第四二极管的阴极与所述第三二极管的阳极连接。
9、所述第一整流端位于所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极之间，所述第二整流端位于所述第二二极管的阴极与所述第三二极管的阴极之间，所述第三整流位于所述第一二极管的阳极所述第四二极管的阳极之间，所述第四整流端位于所述第四二极管的阴极与所述第三二极管的阳极之间。
10、在一种可能的实现方式中，所述待测可控硅为单向可控硅，所述待测可控硅的第一端对应所述单向可控硅的阳极，所述待测可控硅的第二端对应所述单向可控硅的阴极，所述待测可控硅的控制端对应所述单向可控硅的控制电极。
11、所述单向可控硅的阳极连接所述第二整流端，所述触发单元连接在所述单向可控硅的控制电极与所述单向可控硅的阴极之间，所述导通指示装置的一端与所述单向可控硅的阴极连接，所述导通指示装置的另一端与所述第三整流端连接。
12、在一种可能的实现方式中，所述触发单元包括第一电阻。所述第一电阻一端与所述单向可控硅的控制电极连接，另一端与所述单向可控硅的阴极连接。
13、在一种可能的实现方式中，所述触发单元包括第一电阻、第二电阻及第一电容。
14、所述第一电阻一端与所述单向可控硅的控制电极连接，另一端与所述第二电阻串联，所述第二电阻与所述单向可控硅的阴极连接，所述第一电容与所述第二电阻并联。
15、在一种可能的实现方式中，所述待测可控硅为双向可控硅，所述待测可控硅的第一端对应所述双向可控硅的第一主电极，所述待测可控硅的第二端对应所述双向可控硅的第二主电极，所述待测可控硅的控制端对应所述双向可控硅的控制电极。
16、所述双向可控硅的第一主电极连接所述第一脉冲发生端，所述触发单元连接在所述双向可控硅的控制电极与所述双向可控硅的第二主电极之间，所述导通指示装置的一端与所述双向可控硅的第二主电极连接，所述导通指示装置的另一端与所述第二脉冲发生端连接。
17、在一种可能的实现方式中，所述触发单元包括第一电阻。所述第一电阻一端与所述双向可控硅的第一主电极连接，另一端与所述双向可控硅的第二主电极连接。
18、在一种可能的实现方式中，所述触发单元包括第一电阻、第二电阻及第一电容。所述第一电阻一端与所述双向可控硅的第一主电极连接，另一端与所述第二电阻串联，所述第二电阻与所述双向可控硅的第二主电极连接，所述第一电容与所述第二电阻并联。
19、在一种可能的实现方式中，所述导通指示装置包括灯泡。
20、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的可控硅测试电路，包括脉冲发生装置、待测可控硅、触发单元及导通指示装置。所述脉冲发生装置向所述待测可控硅发送不同方向的能量脉冲，用于模拟所述待测可控硅在不同干扰场景下的工作状态。如果所述导通指示装置指示该测试电路导通，说明所述待测可控硅发生误触发，即说明此时的电快速瞬态突发干扰水平超过所述待测可控硅的抗干扰水平，可以小幅度下调所述脉冲发生装置的电压，直至所述导通指示装置指示该测试电路不导通，即可确定所述待测可控硅的抗干扰水平。本实施例提供的可控硅测试电路可以在非整机电路中单独对可控硅的抗干扰能力进行测试，且相对于现有技术而言，可以快而有效地测试可控硅的抗干扰能力，实验结果的准确性与可靠性更高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种可控硅测试电路，其特征在于，包括脉冲发生装置、待测可控硅、触发单元及导通指示装置；
2.根据权利要求1所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述可控硅测试电路还包括整流电路，所述整流电路具有第一整流端、第二整流端、第三整流端及第四整流端；
3.根据权利要求2所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；
4.根据权利要求3所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述待测可控硅为单向可控硅，所述待测可控硅的第一端对应所述单向可控硅的阳极，所述待测可控硅的第二端对应所述单向可控硅的阴极，所述待测可控硅的控制端对应所述单向可控硅的控制电极；
5.根据权利要求4所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述触发单元包括第一电阻；
6.根据权利要求4所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述触发单元包括第一电阻、第二电阻及第一电容；
7.根据权利要求1所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述待测可控硅为双向可控硅，所述待测可控硅的第一端对应所述双向可控硅的第一主电极，所述待测可控硅的
8.根据权利要求7所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述触发单元包括第一电阻；
9.根据权利要求7所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述触发单元包括第一电阻、第二电阻及第一电容；
10.根据权利要求1所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述导通指示装置包括灯泡。
...【技术特征摘要】
1.一种可控硅测试电路，其特征在于，包括脉冲发生装置、待测可控硅、触发单元及导通指示装置；
2.根据权利要求1所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述可控硅测试电路还包括整流电路，所述整流电路具有第一整流端、第二整流端、第三整流端及第四整流端；
3.根据权利要求2所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；
4.根据权利要求3所述的可控硅测试电路，其特征在于，所述待测可控硅为单向可控硅，所述待测可控硅的第一端对应所述单向可控硅的阳极，所述待测可控硅的第二端对应所述单向可控硅的阴极，所述待测可控硅的控制端对应所述单向可控硅的控制电极；
5.根据权利要求4所述的可控硅测试电路，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙俊波，赵文博，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。