【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种可控硅芯片制作方法及可控硅芯片。
技术介绍
1、目前，常用的高电压可控硅芯片的p-n结的结深较深，通常为60-100微米，一般可以采用注入铝技术制作可控硅芯片；然而，需要注入的铝剂量大，注入机的注入产能低，需要长时间注入，这会导致可控硅芯片的生产成本高，且这种方法不利于可控硅芯片的大规模生产。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种可控硅芯片制作方法及可控硅芯片。
2、第一方面，本申请实施例提供一种可控硅芯片制作方法，所述可控硅芯片制作方法包括：
3、提供一硅片，所述硅片包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面；
4、在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层；
5、根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散，在所述硅片内部靠近所述第一表面的一侧形成第一预扩散层，在所述硅片内部靠近所述第二表面的一侧形成第二预扩散层；
6、在所述第一表面远离所述第一预扩散层的一侧形成第一氧化层，在所述第一氧化层远离所述第一表面的一侧形成第一硼层；在所述第二表面远离所述第二预扩散层的一侧形成第二氧化层，在所述第二氧化层远离所述第二表面的一侧形成第二硼层；
7、根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散，在所述第一表面远离所述第一氧化层的一侧形成第三金属层，在所述第二表面远
8、在一种可能的实现方式中，所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤，包括：
9、设置扩散温度为500-550℃，扩散时间为1-5h，在预扩散炉中根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散。
10、在一种可能的实现方式中，所述在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤，包括：
11、通过蒸发台在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成0.5-2.0μm的第一金属层，在所述第二表面形成0.5-2.0μm的第二金属层。
12、在一种可能的实现方式中，在所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤之后，所述方法还包括：
13、通过硫酸与双氧水混合液去除所述第一金属层及所述第二金属层。
14、在一种可能的实现方式中，所述根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散的步骤，包括：
15、设置扩散温度为1200-1285℃，扩散时间为10-30h，在主扩散炉中根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散。
16、在一种可能的实现方式中，在所述第一表面远离所述第一预扩散层的一侧形成第一氧化层，在所述第一氧化层远离所述第一表面的一侧形成第一硼层；在所述第二表面远离所述第二预扩散层的一侧形成第二氧化层，在所述第二氧化层远离所述第二表面的一侧形成第二硼层的步骤之后，所述方法还包括：
17、对所述硅片进行清洗；
18、在所述第一硼层远离所述第一氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成第一多晶硅薄膜，在所述第二硼层远离所述第二氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成第二多晶硅薄膜。
19、在一种可能的实现方式中，所述在所述第一硼层远离所述第一氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成第一多晶硅薄膜，在所述第二硼层远离所述第二氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成第二多晶硅薄膜的步骤，包括：
20、设置淀积温度为55-65℃，淀积时间为55min，在所述第一硼层远离所述第一氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成的第一多晶硅薄膜，在所述第二硼层远离所述第二氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成的第二多晶硅薄膜。
21、在一种可能的实现方式中，在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤之前，所述方法还包括：
22、对所述硅片进行清洗。
23、第二方面，本申请实施例还提供一种可控硅芯片，所述可控硅芯片使用上述第一方面所述的可控硅芯片制作方法制成。
24、在一种可能的实现方式中，所述可控硅芯片包括第一p型低掺杂区、n型低浓度区以及第二p型低掺杂区；
25、所述第一p型低掺杂区包括第三金属层、第一氧化层及第一硼层；所述第二p型低掺杂区包括第四金属层、第二氧化层及第二硼层。
26、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的可控硅芯片制作方法及可控硅芯片，可以通过在第一表面及第二表面蒸发金属，以形成第一金属层及第二金属层，并根据第一金属层及第二金属层对硅片进行预扩散，从而形成p型低掺杂区，相比于通过注入机形成p型低掺杂区的方法，本申请提高了生产效率，降低了生产成本。
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1.一种可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述第一表面远离所述第一预扩散层的一侧形成第一氧化层，在所述第一氧化层远离所述第一表面的一侧形成第一硼层；在所述第二表面远离所述第二预扩散层的一侧形成第二氧化层，在所述第二氧化层远离所述第二表面的一侧形成第二硼层的步骤之后，所述方法还包括
7.根据权利要求6所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述在所述第一硼层远离所述第一氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成第一多晶硅薄膜，在所述第二硼层远离所述第二氧化层的一侧淀积多晶硅，以形成第二多晶硅薄膜的步骤，包括：
8.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤之前，所述方法还包括：
9.一种可控硅芯片，其特征在于，所述可控硅芯片使用权利要求1-9任意一项所述的可控硅芯片制作方法制成。
10.根据权利要求9所述的可控硅芯片，其特征在于，所述可控硅芯片包括第一P型低掺杂区、N型低浓度区以及第二P型低掺杂区；
...【技术特征摘要】
1.一种可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述第一表面远离所述第一预扩散层的一侧形成第一氧化层，在所述第一氧化层远离所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙传帮，邵长海，李鲲翔，陈霖，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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