【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种可控硅芯片制作方法及可控硅芯片。
技术介绍
1、目前，常用的高电压可控硅芯片的p-n结的结深较深，通常为60-100微米，一般可以采用注入铝技术制作可控硅芯片；然而，需要注入的铝剂量大，注入机的注入产能低，需要长时间注入，这会导致可控硅芯片的生产成本高，且这种方法不利于可控硅芯片的大规模生产。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种可控硅芯片制作方法及可控硅芯片。
2、第一方面，本申请实施例提供一种可控硅芯片制作方法，所述可控硅芯片制作方法包括：
3、提供一硅片，所述硅片包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面；
4、在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层；
5、根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散，在所述硅片内部靠近所述第一表面的一侧形成第一预扩散层，在所述硅片内部靠近所述第二表面的一侧...
【技术保护点】
1.一种可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面及所述第二表面蒸发金属，在所述第一表面形成第一金属层，在所述第二表面形成第二金属层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述根据所述第一金属层及所述第二金属层对所述硅片进行预扩散的步骤之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述第一预扩散层及所述第二预扩散层对所述硅片进行主扩散的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的可控硅芯片制作方法，其特征在于，在所述第一表面远离所述第一预扩散层的一侧形成第一氧化层，在所述第一氧化层远离所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙传帮，邵长海，李鲲翔，陈霖，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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