防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法，所述防护薄膜框架为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于：在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。本发明专利技术可提供一种防止源自框架的散射光、且附着于框架表面的异物检查容易的防护薄膜框架及使用所述防护薄膜框架的防护薄膜组件。述防护薄膜框架的防护薄膜组件。述防护薄膜框架的防护薄膜组件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种作为除尘器而装设于光刻(lithography)用光掩模的防护薄膜框架(pellicle frame)、防护薄膜组件(pellicle)、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向次四分之一微米(sub
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quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)光的EUV曝光。
[0003]在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的光刻用光掩模及标线(reticle)(以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有尘埃，则所述尘埃会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。
[0004]这些作业通常是于洁净室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，通常采用于在曝光原版表面贴附防护薄膜组件作为除尘器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜组件上，因此，若在光刻时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜组件上的异物便与转印无关。
[0005]所述防护薄膜组件的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护膜，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫通常使用粘合剂层，并贴附有以保护所述粘合剂层为目的的保护片。防护膜包含使曝光中使用的光(基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用途中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护膜。
[0006]防护薄膜组件的目的在于保护曝光原版以便异物不会附着于曝光原版，因此，对防护薄膜组件要求非常高的洁净度。因此，在防护薄膜组件制造步骤中，需要在出货前检查防护膜、防护薄膜框架、粘合剂及保护片是否没有附着异物。
[0007]通常，对防护薄膜框架的异物检查是在暗室中将聚光照射到框架，并以目视检测来自异物的散射光。或者，使用异物检查装置，对防护薄膜框架照射He
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Ne激光或半导体激光，并利用半导体检测器(电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD))等检测来自异物的散射光。
[0008]在专利文献1中，提出有通过降低框架内表面处的对于检查光的反射率来提高检查性。然而，即便减低反射率，存在于框架表面的凹部或凸部有时也会产生散射光，从而存
在如下问题：难以判断所侦测到的散射光是源自异物还是源自框架。
[0009]另外，由于EUV曝光是在高真空下进行，因此EUV用防护薄膜组件暴露在自大气压向真空、以及自真空向大气压的压力变化中。此时，通过设置于防护薄膜框架的通气部而产生空气的移动。在EUV用防护薄膜组件中，由于产生ArF用防护薄膜组件中不存在的防护薄膜组件内部的空气的移动，因此附着于防护薄膜框架表面的异物落下至曝光原版的风险高。因此，在EUV用防护薄膜组件中，需要比ArF用防护薄膜组件更严格的异物检查。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1：日本专利特开2001
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249442号公报

技术实现思路

[0013]专利技术所要解决的问题
[0014]本专利技术是鉴于所述情况而成，目的在于提供一种可防止源自框架的散射光、确实且容易地检测到附着于框架表面的异物的防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法。
[0015]解决问题的技术手段
[0016]本专利技术人获得了如下见解：在具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架中，对所述防护薄膜框架进行表面处理，以便在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域，结果，可抑制防护薄膜框架表面的尖锐部，可对所述防护薄膜框架表面的微小的异物进行检查。通常，防护薄膜框架的表面粗糙度是由算术平均粗糙度Ra表示，但单纯地减低Ra，也存在检查性差的情况，本专利技术人通过着眼于峭度(Rku)来代替所述表面粗糙度的指标，结果，发现可确实且容易地检测到防护薄膜框架表面的异物，从而形成了本专利技术。
[0017]因此，本专利技术提供以下的防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法。
[0018]1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于：在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。
[0019]2.根据所述1记载的防护薄膜框架，其中：粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域是防护薄膜框架的内侧面全部的区域或防护薄膜框架的表面全部的区域。
[0020]3.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：所述粗糙度曲线的峭度(Rku)为0.1以上。
[0021]4.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，平均粗糙度(Ra)为0.001～1.0的范围。
[0022]5.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，均方根高度(Rq)为0.001～1.0的范围。
[0023]6.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：对于检查光的反射率为20％以下。
[0024]7.根据所述6记载的防护薄膜框架，其中：检查光的波长为550nm。
[0025]8.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的材料是选自由钛、钛
合金、铝及铝合金所组成的群组中。
[0026]9.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度小于2.5mm。
[0027]10.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。
[0028]11.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的表面形成有氧化膜。
[0029]12.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面被黑色化。
[0030]13.根据所述1或2记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于：在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。2.根据权利要求1所述的防护薄膜框架，其中：粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域是防护薄膜框架的内侧面全部的区域或防护薄膜框架的表面全部的区域。3.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：所述粗糙度曲线的峭度(Rku)为0.1以上。4.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，平均粗糙度(Ra)为0.001～1.0的范围。5.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，均方根高度(Rq)为0.001～1.0的范围。6.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：对于检查光的反射率为20％以下。7.根据权利要求6所述的防护薄膜框架，其中：检查光的波长为550nm。8.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的材料是选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。9.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度小于2.5mm。10.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。11.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的表面形成有氧化膜。12.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面被黑色化。13.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面施加有物理性研磨或化学性研磨。14.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其为用于极紫外光用防护薄膜组件的防护薄膜框架。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：簗瀬优，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：