单次可编程存储器元件制造技术

本发明专利技术公开一种单次可编程存储器元件，其主要包含一第一存储单元区，其中第一存储单元区又细部包含第一源极线沿着第一方向延伸于基底上，第一字符线沿着该第一方向延伸于第一源极线一侧，第二字符线沿着第一方向延伸于第一源极线另一侧，第一扩散区沿着第二方向延伸于第一字符线与第二字符线两侧以及第一金属内连线连接第一字符线与第二字符线。内连线连接第一字符线与第二字符线。内连线连接第一字符线与第二字符线。

【技术实现步骤摘要】
单次可编程存储器元件


[0001]本专利技术涉及一种非挥发性存储器元件，尤其是涉及一种单次可编程存储器元件。

技术介绍

[0002]半导体存储装置已经普遍用于各种电子装置。举例来说，非挥发性存储器广泛用于移动电话、数字相机、个人数字助理移动运算装置以及其他应用。一般来说，非挥发性存储器主要包含多次可编程(multi
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time programmable,MTP)存储器以及单次可编程(one
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time programmable,OTP)存储器。相较于可复写(rewritable)式存储器，单次可编程存储器具有较低的制造成本和存储数据不易遗失的优点。然而，单次可编程存储器仅能进行一次性的数据烧写，一旦指定存储区块内的特定几个存储胞的位经由一次性数据写入程序而被改写，指定存储区块内的该些特定存储胞便无法被再次执行数据烧绿。
[0003]由于现行单次可编程存储器元件仍有在读取模式下较弱读取电流以及在程序模式下具有较长应力时间(stress time)等缺点，因此如何改良现有单次可编程存储器元件架构以解决上述问题即为现今一重要课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术一实施例揭露一种单次可编程存储器元件，其主要包含一第一存储单元区，其中第一存储单元区又细部包含第一源极线沿着第一方向延伸于基底上，第一字符线沿着该第一方向延伸于第一源极线一侧，第二字符线沿着第一方向延伸于第一源极线另一侧，第一扩散区沿着第二方向延伸于第一字符线与第二字符线两侧以及第一金属内连线连接第一字符线与第二字符线。
附图说明
[0005]图1为本专利技术一实施例的单次可编程存储器元件的布局示意图。
[0006]主要元件符号说明
[0007]12:基底
[0008]14:存储单元区
[0009]16:存储单元区
[0010]18:存储单元区
[0011]20:存储单元区
[0012]22:存储单元区
[0013]24:存储单元区
[0014]26:源极线
[0015]28:字符线
[0016]30:字符线
[0017]32:源极线
[0018]34:字符线
[0019]36:字符线
[0020]38:源极线
[0021]40:字符线
[0022]42:字符线
[0023]44:扩散区
[0024]46:扩散区
[0025]48:接触插塞
[0026]50:金属内连线
[0027]52:金属内连线
[0028]54:金属内连线
具体实施方式
[0029]在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中具有通常知识者应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及后续的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的基准。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。另外，「连接」或「耦接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述一第一装置连接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或透过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
[0030]请参照图1，图1为本专利技术一实施例的一单次可编程存储器元件的布局示意图。如图1所示，本专利技术的单次可编程存储器元件主要先提供一由半导体材料所构成的基底12且半导体材料可选自由硅、锗、硅锗复合物、硅碳化物(silicon carbide)、砷化镓(gallium arsenide)等所构成的群组。然后于基底12上定义出六个存储单元区例如存储单元区14、存储单元区16、存储单元区18、存储单元区20、存储单元区22以及存储单元区24，其中每个存储单元区较佳于后续制作工艺中囊括至少一条源极线、两条字符线设于源极线两侧以及扩散区设于源极线与字符线之间。
[0031]在本实施例中，基底12上主要包含源极线26沿着第一方向例如Y方向延伸于基底12上、字符线28沿着同样Y方向延伸于源极线26一侧、字符线30沿着Y方向延伸于源极线26另一侧、源极线32沿着Y方向延伸于字符线28一侧、字符线34沿着Y方向延伸于源极线32一侧、字符线36沿着Y方向延伸于源极线32另一侧、源极线38沿着Y方向延伸于字符线30一侧、字符线40沿着Y方向延伸于源极线38一侧、字符线42沿着Y方向延伸于源极线38另一侧、扩散区44沿着第二方向例如X方向延伸于源极线26两侧、字符线28、30两侧、源极线32两侧、字符线34、36两侧、源极线38两侧、字符线40、42两侧、扩散区46沿着第二方向例如X方向延伸于源极线26两侧、字符线28、30两侧、源极线32两侧、字符线34、36两侧、源极线38两侧、字符线40、42两侧、接触插塞48设于扩散区44、扩散区46、源极线26、32、38与字符线28、30、34、36、38、40上以及金属内连线50、52、54连接接触插塞48。在本实施例中，设于扩散区44、46上的接触插塞48又可称之为位线接触(bit line contact)。
[0032]以中间的两组存储单元区14、16为例，上方的存储单元区14主要包含前述的源极
线26、源极线26两侧的字符线28与字符线30、扩散区44设于源极线26两侧与字符线28、30两侧、接触插塞48设于字符线28、30两侧的扩散区44上与字符线28、30正上方以及金属内连线50连接接触插塞48，其中金属内连50线较佳为接触插塞48上的第一层金属内连线层并经由接触设于字符线28与字符线30正上方的接触插塞48来连接两条字符线28、30。下方的存储单元区16则包含源极线26、源极26线两侧的字符线28与字符线30、扩散区46设于源极线26两侧与字符线28、30两侧以及接触插塞48设于字符线28、30两侧的扩散区46上与字符线28、30正上方。
[0033]以左侧的两个存储单元区18、20来看，上方的存储单元区18包含源极线32、源极线32两侧的字符线34与字符线36、扩散区44设于源极线32两侧与字符线34、36两侧、接触插塞48设于字符线34、36正上方以及金属内连线52经由接触插塞48来电连接字符线34与字符线36。下方的存储单元区20则包含源极线32、源极线32两侧的字符线34与字符线36、扩散区46设于源极线32两侧与字符线34、36两侧以及接触插塞48设于源极线32正上方。
[0034]如同左侧的两个存储单元区18、20，右侧的两个存储单元区22、24也包括类似配置，例如右侧上方的存储单元区22包含源极线38、源极线38两侧的字符线40与字符线42、扩散区44设于源极线38两侧与字符线40、42两侧、接触插塞48设于字符线40、42正上方以及金属内连线54经由接触插塞48来电连接字符线40与字符线42。下方的存储单元区24则包含源极线38、源极线38两侧的字本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单次可编程存储器元件，其特征在于，包含：第一存储单元区，包含：第一源极线，沿着第一方向延伸于基底上；第一字符线，沿着该第一方向延伸于该第一源极线一侧；第二字符线，沿着该第一方向延伸于该第一源极线另一侧；第一扩散区，沿着第二方向延伸于该第一字符线与该第二字符线两侧；以及第一金属内连线，连接该第一字符线与该第二字符线。2.如权利要求1所述的单次可编程存储器元件，其中该第一扩散区设于该第一字符线以及该第一源极线之间。3.如权利要求1所述的单次可编程存储器元件，其中该第一扩散区设于该第一源极线以及该第二字符线之间。4.如权利要求1所述的单次可编程存储器元件，其中该第一存储单元区另包含第一位线接触设于该第一字符线一侧的该第一扩散区上。5.如权利要求1所述的单次可编程存储器元件，其中该第一存储单元区另包含第二位线接触设于该第二字符线一侧的该第一扩散区上。6.如权利要求1所述的单次可编程存储器元件，另包含第二存储单元区，该第二存储单元区包含：该第一源极线，沿着该第一方向延伸；该第一字符线，沿着该第一方向延伸于该第一源极线一侧；该第二字符线，沿着该第一方向延伸于该第一源极线另一侧；以及第二扩散区，沿着该第二方向延伸于该第一字符线与该第二字符线两侧。7.如权利要求6所述的单次可编程存储器元件，其中该第二扩散区设于该第一字符线以及该第一源极线之间。8.如权利要求6所述的单次可编程存储器元件，其中该第二扩散区设于该第一源极线以及该第二字符线之间。9.如权利要求6所述的单次可编程存储器元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹斌，吴宗训，邱亮维，李国兴，薛胜元，李坤宪，翁彰键，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：