一种静电保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种静电保护装置，用于保护集成电路的免受静电损坏，包括ESD管，所述ESD管包括源端(S)与漏端(D)；源端(S)与漏端(D)金属线宽度均为6.6u；ESD管外围设置多层保护环(G)。提高了集成电路的抗静电泄放能力。提高了集成电路的抗静电泄放能力。提高了集成电路的抗静电泄放能力。

【技术实现步骤摘要】
一种静电保护装置


[0001]本技术属于结构
，尤其涉及电路板结构
，具体涉及一种静电保护装置。

技术介绍

[0002]静电放电对电子元器的性能影响很大，同时也是集成电路IC在制造、运输、以及使用过程中经常发生并且导致IC芯片损坏或失效的重要原因之一。由于在芯片的制造、封装、测试和使用过程中都可能产生静电，生产过程中，COF(Chip On Flex，or，Chip On Film，覆晶薄膜)冲切、COF与FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)的贴合、屏体后期TP(touchpanel，触摸屏)贴合等等都会对IC造成ESD(Electronic Static Discharge，静电泄放)冲击，在整机应用时，干燥、恶劣的环境同样会造成严重的ESD冲击，产生静电，而且静电的瞬间电压非常高，可以高达几千伏，可能对电路造成永久性和毁灭性的损坏。
[0003]为了获得性能更好，更可靠的IC芯片，增加ESD管，通过ESD的静电保护是非常重要的。常规的通常的处理方式不会对ESD管的source端(也称源端)做特殊处理，导致source端相对drain端(也称漏端)过流能力相对较弱，同时也可能在对二者连线时，source端和drain端混淆，导致其过流能力不足，极端情况下可能导致芯片损毁。内部器件布局相对比较分散和复杂，整体形状也不规整，在其外部添加保护环guangring会进一步增加复杂度和布局难度，面积也会相应地大幅增加。
[0004]图1所示，drain端D有源区宽度为6.6u，source端S则仅有2.2u，其上的通孔数量和金属宽度相对不足，过流能力远不如drain端D。同时，面积较大区域为ESD管，其余部分为内部器件，其布局相对较散乱且不规整，造成了一定的面积浪费。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种静电保护装置，提高集成电路的抗静电泄放能力。
[0006]本技术提供的技术方案如下：
[0007]一种静电保护装置，包括ESD管，所述ESD管包括源端S与漏端D；源端S与漏端D金属线宽度均为6.6u；
[0008]ESD管外围设置多层保护环G。
[0009]所述的ESD管与其它器件的距离大于77u。
[0010]由上述本技术提供的技术方案可以看出，本技术实施例提供的一种静电保护装置，提高集成电路的抗静电泄放能力。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施
例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0012]图1为现有技术的静电保护装置的结构示意图；
[0013]图2为本技术实施例提供的静电保护装置的示意图。
具体实施方式
[0014]下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。
[0015]首先对本文中可能使用的术语进行如下说明：
[0016]术语“和/或”是表示两者任一或两者同时均可实现，例如，X和/或Y表示既包括“X”或“Y”的情况也包括“X和Y”的三种情况。
[0017]术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”或其它类似语义的描述，应被解释为非排它性的包括。例如：包括某技术特征要素(如原料、组分、成分、载体、剂型、材料、尺寸、零件、部件、机构、装置、步骤、工序、方法、反应条件、加工条件、参数、算法、信号、数据、产品或制品等)，应被解释为不仅包括明确列出的某技术特征要素，还可以包括未明确列出的本领域公知的其它技术特征要素。
[0018]术语“由
……
组成”表示排除任何未明确列出的技术特征要素。若将该术语用于权利要求中，则该术语将使权利要求成为封闭式，使其不包含除明确列出的技术特征要素以外的技术特征要素，但与其相关的常规杂质除外。如果该术语只是出现在权利要求的某子句中，那么其仅限定在该子句中明确列出的要素，其他子句中所记载的要素并不被排除在整体权利要求之外。
[0019]术语“质量份”是表示多个组分之间的质量比例关系，例如：如果描述了X组分为x质量份、Y组分为y质量份，那么表示X组分与Y组分的质量比为x:y；1质量份可表示任意的质量，例如：1质量份可以表示为1kg也可表示3.1415926kg等。所有组分的质量份之和并不一定是100份，可以大于100份、小于100份或等于100份。除另有说明外，本文中所述的份、比例和百分比均按质量计。
[0020]除另有明确的规定或限定外，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如：可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本文中的具体含义。
[0021]当浓度、温度、压力、尺寸或者其它参数以数值范围形式表示时，该数值范围应被理解为具体公开了该数值范围内任何上限值、下限值、优选值的配对所形成的所有范围，而不论该范围是否被明确记载；例如，如果记载了数值范围“2～8”时，那么该数值范围应被解释为包括“2～7”、“2～6”、“5～7”、“3～4和6～7”、“3～5和7”、“2和5～7”等范围。除另有说明外，本文中记载的数值范围既包括其端值也包括在该数值范围内的所有整数和分数。
[0022]术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、
“
左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是明示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本文的限制。
[0023]下面将结合附图对本技术实施例作进一步地详细描述。
[0024]如图2所示，一种静电保护装置，用于保护集成电路的免受静电损坏，包括ESD管，所述ESD管包括源端S与漏端D；源端S与漏端D金属线宽度均为6.6u；本例将Source端同Drain端进行同样的处理，根据相关ESD管的设计规则，把source端从原来的2.2微米拓宽到6.6微米，同时增加与之相连接的通孔与金属宽度，拉大source端边界与栅边界的距离，提高Source端过流能力。本例通过增加MOS管的source端和drain端的宽度和面积来提升MOS管整体的过流能力，通常，dr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电保护装置，其特征在于，包括ESD管，所述ESD管包括源端(S)与漏端(D)；源端(S)与漏端(D)金属线宽度均为6.6u；E...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗继福，
申请(专利权)人：豪威集成电路成都有限公司，
类型：新型
国别省市：