半导体器件的版图结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的版图结构，包括有源区及栅极区，所述栅极区沿第一方向穿过所述有源区，并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区，当向所述栅极区施加电压时，电场线的方向垂直于所述栅极区的轮廓，由于所述栅极区的轮廓与所述有源区的两个交叠部分均呈弧形，可以分散电场，防止电场集中，减小器件被击穿的风险。减小器件被击穿的风险。减小器件被击穿的风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的版图结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的版图结构。

技术介绍

[0002]半导体器件的版图设计是芯片制备最为重要步骤之一，版图是对应于器件结构的几何图形组合，这些几何图形是由不同层的图形相互组合而成，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。
[0003]MOS管是场效应管的一种，场效应管是一种电压控制型半导体器件，是提供主板稳定供电的关键元器件，相对于通常的MOS器件，高压MOS器件应用在电压较高(如大于或等于100V)的工作场合中，由于高压MOS器件工作时电压较高，器件内电场集中，容易被击穿，导致器件损坏，因此如何通过版图设计降低器件被击穿的风险，是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的版图结构，以解决现有的MOS器件容易被击穿，导致器件损坏等问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的版图结构，包括有源区及栅极区，所述栅极区沿第一方向穿过所述有源区，并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区，所述栅极区的轮廓与所述有源区的两个交叠部分均呈弧形。
[0006]可选的，所述交叠部分为相对所述栅极区的中心内凹或外凸的弧形。
[0007]可选的，还包括若干源极接触孔区及若干漏极接触孔区，所述源极接触孔区均位于所述源区内且沿所述第一方向排布，所述漏极接触孔区均位于所述漏区内且沿所述第一方向排布；以及，
[0008]相邻所述源极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形且与相近的所述交叠部分的弧形走势一致，相邻所述漏极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形且与相近的所述交叠部分的弧形走势一致。
[0009]可选的，所述有源区的轮廓平滑。
[0010]可选的，所述有源区为圆形、椭圆形或圆角多边形。
[0011]可选的，还包括至少一个体区，所述体区位于所述有源区及所述栅极区外且周向环绕至少部分所述有源区，所述体区的轮廓平滑。
[0012]可选的，所述体区为环形，且所述体区为整环或1/n环，n大于1。
[0013]可选的，所述体区的部分轮廓与所述有源区的部分轮廓重合。
[0014]可选的，还包括若干沿所述第二方向排布的栅极接触孔区，所述栅极接触孔区均位于所述栅极区中且位于所述有源区之外，相邻所述栅极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形。
[0015]可选的，所述半导体器件为工作电压大于或等于100V的MOS管。
[0016]在本专利技术提供的半导体器件的版图结构中，包括有源区及栅极区，所述栅极区沿
第一方向穿过所述有源区，并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区，当向所述栅极区施加电压时，电场线的方向垂直于所述栅极区的轮廓，由于所述栅极区的轮廓与所述有源区的两个交叠部分均呈弧形，可以分散电场，防止电场集中，减小器件被击穿的风险。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例一提供的半导体器件的版图结构的示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例二提供的半导体器件的版图结构的示意图；
[0019]图3为本专利技术实施例三提供的半导体器件的版图结构的示意图；
[0020]图4为本专利技术实施例四提供的半导体器件的版图结构的示意图；
[0021]其中，附图标记为：
[0022]AA
‑
有源区；S
‑
源区；S1
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第一源区；S2
‑
第二源区；D
‑
漏区；PG
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栅极区；PG1
‑
第一栅极区；PG2
‑
第二栅极区；L1
‑
所有源极接触孔区的中心的虚拟连线；L2
‑
所有漏极接触孔区的中心的虚拟连线；L3
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栅极区沿所述第一方向的每一端的所有栅极接触孔区的中心的虚拟连线；B
‑
体区；B1
‑
第一体区；B2
‑
第二体区；CT1
‑
源极接触孔区；CT11
‑
第一源极接触孔区；CT12
‑
第二源极接触孔区；CT2
‑
漏极接触孔区；CT21
‑
第一漏极接触孔区；CT22
‑
第二漏极接触孔区；CT3
‑
栅极接触孔区；CT31
‑
第一栅极接触孔区；CT32
‑
第二栅极接触孔区；
[0023]X
‑
第一方向；Y
‑
第二方向。
具体实施方式
[0024]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0025]实施例一
[0026]本实施例提供了一种半导体器件的版图结构，所述半导体器件可以为工作电压大于或等于100V的高压MOS管，如高压NMOS管、高压PMOS管或高压CMOS管，但不应以此为限，所述半导体器件也可以是工作电压小于100V的常压或低压MOS管。
[0027]图1为本实施例提供的半导体器件的版图结构的示意图。如图1所示，所述半导体器件的版图结构包括有源区AA和栅极区PG。其中，所述栅极区PG沿第一方向X穿过所述有源区AA，并将所述有源区AA分为沿第二方向Y排布在所述栅极区PG两侧的源区S和漏区D。可以理解的是，所述有源区AA并非只包括源区S和漏区D，还包括位于所述源区S和所述漏区D之间的沟道区，所述沟道区为所述有源区AA与所述栅极区PG的交叠区域。
[0028]请继续参阅图1，所述栅极区PG的轮廓与所述有源区AA具有两个交叠部分，两个所述交叠部分实际上是所述栅极区PG的轮廓位于所述有源区AA内的部分，为了便于描述，将两个所述交叠部分中更靠近所述源区S的一者称为第一交叠部分，将两个所述交叠部分中更靠近所述漏区D的一者称为第二交叠部分。
[0029]本实施例中，当向所述栅极区PG施加电压时，电场线的方向始终垂直于所述栅极区PG的轮廓，由于所述第一交叠部分及所述第二交叠部分均呈弧形，可以分散电场，防止电场集中，减小器件被击穿的风险，尤其适用于工作电压较高的高压MOS管。
[0030]本实施例中，所述栅极区PG为椭圆形，因此所述第一交叠部分及所述第二交叠部分为相对所述栅极区PG的中心外凸的弧形，但本专利技术不限于此，所述第一交叠部分及所述第二交叠部分也可以为相对所述栅极区PG的中心内凹的弧形，或者所述第一交叠部分及所述第二交叠部分中的一者可以为相对所述栅极区PG的中心内凹的弧形，另一者为相对所述栅极区PG的中心外凸的弧形。
[0031]类似的，本专利技术中的所述栅极区PG不限于是椭圆形，还可以是圆形、沿所述第一方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的版图结构，其特征在于，包括有源区及栅极区，所述栅极区沿第一方向穿过所述有源区，并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区，所述栅极区的轮廓与所述有源区的两个交叠部分均呈弧形。2.如权利要求1所述的半导体器件的版图结构，其特征在于，所述交叠部分为相对所述栅极区的中心内凹或外凸的弧形。3.如权利要求1或2所述的半导体器件的版图结构，其特征在于，还包括若干源极接触孔区及若干漏极接触孔区，所述源极接触孔区均位于所述源区内且沿所述第一方向排布，所述漏极接触孔区均位于所述漏区内且沿所述第一方向排布；以及，相邻所述源极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形且与相近的所述交叠部分的弧形走势一致，相邻所述漏极接触孔区的中心的虚拟连线呈弧形且与相近的所述交叠部分的弧形走势一致。4.如权利要求1所述的半导体器件的版图结构，其特征在于，所述有源区的轮廓平滑。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仁豪，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：