【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体测试领域，特别涉及一种通用老化板。
技术介绍
1、老化板作为芯片老化测试的载板，例如htrb(high-temperature reverse-bias，高温反偏测试)考核、高温高湿反偏测试考核和htgb(高温栅偏测试)考核。由于高温高湿反偏测试考核老化板与htrb考核老化板的区别仅在于，高温高湿反偏测试考核老化板表面涂覆有一防水涂层，以防止高湿环境对老化板的损害。因此，n型mosfet器件的htrb考核及高温高湿反偏测试考核的原理相同。如图1所示，n型mosfet器件的htrb考核原理中，n型mosfet器件的漏极引出端d接高电位，源极引出端s和栅极引出端g均接零电位。如图2所示，n型mosfet器件的htgb考核原理中，n型mosfet器件的栅极引出端g接高电位，源极引出端s和漏极引出端d均接零电位。
2、以上原理使得现有的单芯器件，例如n型mosfet器件的htrb考核老化板与n型mosfet器件的htgb考核老化板的走线不相同。同样的，p型mosfet器件的htrb考核老化板与p型mosfet器件的htgb考核老化板的走线也不相同，使得不同类型的待测芯片、不同的考核类型的走线都不相同。高温高湿反偏测试考核老化板的表面存在防水涂层，htrb考核老化板的表面没有防水涂层。这就使得在不同类型器件、不同考核类型(即htgb测试类型、htrb测试类型、高温高湿反偏测试考核)中，所需要的老化板不同。另外，对于形式多样的双芯器件(例如pdfn-8p)的htgb考核需要8种htgb考核老化板，htrb考核需要
技术实现思路
1、本技术提供一种通用老化板，可以解决不同芯片类型、不同考核类型以及双芯器件两侧无法同时考核的老化板通用问题。
2、为了解决以上问题，本技术提供一种通用老化板，能够对待测芯片器件进行高温反偏测试和高温栅偏测试，所述通用老化板包括线路板、电位连接端口组件、多个芯片夹具和多组引脚电压选择组件，所有所述芯片夹具阵列分布在所述线路板上，每个所述芯片夹具中均能够安装一所述待测芯片器件，每个所述芯片夹具外侧均设置有一所述引脚电压选择组件，所述线路板具有内部连接布线，所述内部连接布线将每个所述芯片夹具中的所述待测芯片器件通过对应所述引脚电压选择组件与所述电位连接端口组件电连接，所述电位连接端口组件用于连接外部电源，所述引脚电压选择组件能够向所述待测芯片器件的各引脚提供两种电压选择。
3、可选的，所述电位连接端口组件包括至少一个高电位金手指和至少一个零电位金手指，每个所述高电位金手指分别外接一个电源，所有所述零电位金手指均外接地。
4、进一步的，每个所述芯片连接孔组包括多个芯片引脚连接孔、多个零电位连接孔和多个高电位连接孔，所述芯片引脚连接孔、零电位连接孔和高电位连接孔的数量相同，且每个所述芯片引脚连接孔均与一个所述零电位连接孔和一个所述高电位连接孔对应设置，每个所述芯片引脚连接孔通过所述内部连接布线与所述芯片夹具中的待测芯片器件的至少一个引脚电连接，每个所述零电位连接孔通过所述内部连接布线与一所述零电位金手指电连接，每个所述高电位连接孔通过所述内部连接布线与一所述高电位金手指电连接。
5、进一步的，还包括多个外部导线，每个所述外部导线插设在一所述芯片引脚连接孔与对应所述零电位连接孔中，以使得所述芯片引脚连接孔与对应所述零电位连接孔电连接；或者，每个所述外部导线插设在一所述芯片引脚连接孔与对应所述高电位连接孔中，以使得所述芯片引脚连接孔与对应所述高电位连接孔电连接。
6、进一步的，所述外部导线为u型跳线。
7、进一步的，所述芯片连接孔组包括多个开关，每个所述开关具有空档、零电位档和高电位档，所述零电位档通过所述内部连接布线与一所述零电位金手指电连接，所述高电位档通过所述内部连接布线与一所述高电位金手指电连接，所述空档通过所述内部连接布线与所述芯片夹具中的待测芯片器件的至少一个引脚电连接。
8、进一步的，所述待测芯片器件包括多个引脚，所述芯片夹具包括多个接触片，每个所述引脚能够与一个接触片对应且接触，且每个接触片通过所述内部连接布线与对应所述芯片连接孔组中的一空档或一芯片引脚连接孔电连接。
9、进一步的，所述待测芯片器件包括单芯器件，所述单芯器件为p型mosfet器件、n型mosfet器件、igbt器件或frd器件。
10、进一步的，所述单芯器件为n型mosfet器件，且所述单芯器件包括8个引脚，所述单芯器件具有源极引出端、漏极引出端和栅极引出端，所述漏极引出端对应4个所述引脚，所述源极引出端对应3个所述引脚，所述栅极引出端对应1个所述引脚，所述芯片连接孔组包括6个芯片引脚连接孔或6个空档；
11、所述漏极引出端对应的4个所述引脚通过所述内部连接布线两两并联后，分别与一所述空档或一所述芯片引脚连接孔电连接；所述源极引出端对应的3个所述引脚通过所述内部连接布线，分别与一所述空档或一所述芯片引脚连接孔电连接；所述栅极引出端对应的1个所述引脚通过所述内部连接布线，与一所述空档或一所述芯片引脚连接孔电连接。
12、进一步的，所述待测芯片器件包括双芯器件，所述双芯芯片包括两个p型mosfet器件、两个n型mosfet器件、一个p型mosfet器件和一个n型mosfet器件、两个igbt器件或者两个frd器件。
13、进一步的，所述双芯芯片包括8个引脚，所述双芯器件包括第一n型芯片和第二n型芯片，所述第一n型芯片具有第一源极引出端、第一漏极引出端和第一栅极引出端，所述第二n型芯片具有第二源极引出端、第二漏极引出端和第二栅极引出端，所述第一漏极引出端和第二漏极引出端分别对应2个所述引脚，所述第一源极引出端、第一栅极引出端、第二源极引出端和第二栅极引出端分别对应1个所述引脚，所述芯片连接孔组包括6个芯片引脚连接孔或6个空档；
14、所述第一漏极引出端对应的2个所述引脚通过所述内部连接布线并联后，与一所述空档或一所述芯片引脚连接孔电连接；所述第二漏极引出端对应的2个所述引脚通过所述内部连接布线并联后，与一所述空档或一所述芯片引脚连接孔电连接；所述第一源极引出端、第一栅极引出端、第二源极引出端和第二栅极引出端分别对应的1个所述引脚，通过所述内部连接布线分别与一所述空档或一所述芯片引脚连接孔电连接。
15、可选的，所述通用老化板还包括防水层，所述防水层涂覆所述线路板的表面。
16、与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
17、本实用新本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种通用老化板，其特征在于，所述通用老化板包括线路板、电位连接端口组件、多个芯片夹具和多组引脚电压选择组件，所有所述芯片夹具阵列分布在所述线路板上，每个所述芯片夹具中均能够安装一所述待测芯片器件，每个所述芯片夹具外侧均设置有一所述引脚电压选择组件，所述线路板具有内部连接布线，所述内部连接布线将每个所述芯片夹具中的所述待测芯片器件通过对应所述引脚电压选择组件与所述电位连接端口组件电连接，所述电位连接端口组件用于连接外部电源，所述引脚电压选择组件能够向所述待测芯片器件的各引脚提供两种电压选择。
2.如权利要求1所述的通用老化板，其特征在于，所述电位连接端口组件包括至少一个高电位金手指和至少一个零电位金手指，每个所述高电位金手指分别外接一个电源，所有所述零电位金手指均外接地。
3.如权利要求2所述的通用老化板，其特征在于，每个所述芯片连接孔组包括多个芯片引脚连接孔、多个零电位连接孔和多个高电位连接孔，所述芯片引脚连接孔、零电位连接孔和高电位连接孔的数量相同，且每个所述芯片引脚连接孔均与一个所述零电位连接孔和一个所述高电位连接孔对应设置，每个所述芯片引脚连接孔
4.如权利要求3所述的通用老化板，其特征在于，还包括多个外部导线，每个所述外部导线插设在一所述芯片引脚连接孔与对应所述零电位连接孔中，以使得所述芯片引脚连接孔与对应所述零电位连接孔电连接；或者，每个所述外部导线插设在一所述芯片引脚连接孔与对应所述高电位连接孔中，以使得所述芯片引脚连接孔与对应所述高电位连接孔电连接。
5.如权利要求4所述的通用老化板，其特征在于，所述外部导线为U型跳线。
6.如权利要求2所述的通用老化板，其特征在于，所述芯片连接孔组包括多个开关，每个所述开关具有空档、零电位档和高电位档，所述零电位档通过所述内部连接布线与一所述零电位金手指电连接，所述高电位档通过所述内部连接布线与一所述高电位金手指电连接，所述空档通过所述内部连接布线与所述芯片夹具中的待测芯片器件的至少一个引脚电连接。
7.如权利要求3或6所述的通用老化板，其特征在于，所述待测芯片器件包括多个引脚，所述芯片夹具包括多个接触片，每个所述引脚能够与一个接触片对应且接触，且每个接触片通过所述内部连接布线与对应所述芯片连接孔组中的一空档或一芯片引脚连接孔电连接。
8.如权利要求7所述的通用老化板，其特征在于，所述待测芯片器件包括单芯器件，所述单芯器件为P型MOSFET器件、N型MOSFET器件、IGBT器件或FRD器件。
9.如权利要求8所述的通用老化板，其特征在于，所述单芯器件为N型MOSFET器件，且所述单芯器件包括8个引脚，所述单芯器件具有源极引出端、漏极引出端和栅极引出端，所述漏极引出端对应4个所述引脚，所述源极引出端对应3个所述引脚，所述栅极引出端对应1个所述引脚，所述芯片连接孔组包括6个芯片引脚连接孔或6个空档；
10.如权利要求7所述的通用老化板，其特征在于，所述待测芯片器件包括双芯器件，所述双芯芯片包括两个P型MOSFET器件、两个N型MOSFET器件、一个P型MOSFET器件和一个N型MOSFET器件、两个IGBT器件或者两个FRD器件。
11.如权利要求10所述的通用老化板，其特征在于，所述双芯芯片包括8个引脚，所述双芯器件包括第一N型芯片和第二N型芯片，所述第一N型芯片具有第一源极引出端、第一漏极引出端和第一栅极引出端，所述第二N型芯片具有第二源极引出端、第二漏极引出端和第二栅极引出端，所述第一漏极引出端和第二漏极引出端分别对应2个所述引脚，所述第一源极引出端、第一栅极引出端、第二源极引出端和第二栅极引出端分别对应1个所述引脚，所述芯片连接孔组包括6个芯片引脚连接孔或6个空档；
12.如权利要求1所述的通用老化板，其特征在于，所述通用老化板还包括防水层，所述防水层涂覆所述线路板的表面。
...【技术特征摘要】
1.一种通用老化板，其特征在于，所述通用老化板包括线路板、电位连接端口组件、多个芯片夹具和多组引脚电压选择组件，所有所述芯片夹具阵列分布在所述线路板上，每个所述芯片夹具中均能够安装一所述待测芯片器件，每个所述芯片夹具外侧均设置有一所述引脚电压选择组件，所述线路板具有内部连接布线，所述内部连接布线将每个所述芯片夹具中的所述待测芯片器件通过对应所述引脚电压选择组件与所述电位连接端口组件电连接，所述电位连接端口组件用于连接外部电源，所述引脚电压选择组件能够向所述待测芯片器件的各引脚提供两种电压选择。
2.如权利要求1所述的通用老化板，其特征在于，所述电位连接端口组件包括至少一个高电位金手指和至少一个零电位金手指，每个所述高电位金手指分别外接一个电源，所有所述零电位金手指均外接地。
3.如权利要求2所述的通用老化板，其特征在于，每个所述芯片连接孔组包括多个芯片引脚连接孔、多个零电位连接孔和多个高电位连接孔，所述芯片引脚连接孔、零电位连接孔和高电位连接孔的数量相同，且每个所述芯片引脚连接孔均与一个所述零电位连接孔和一个所述高电位连接孔对应设置，每个所述芯片引脚连接孔通过所述内部连接布线与所述芯片夹具中的待测芯片器件的至少一个引脚电连接，每个所述零电位连接孔通过所述内部连接布线与一所述零电位金手指电连接，每个所述高电位连接孔通过所述内部连接布线与一所述高电位金手指电连接。
4.如权利要求3所述的通用老化板，其特征在于，还包括多个外部导线，每个所述外部导线插设在一所述芯片引脚连接孔与对应所述零电位连接孔中，以使得所述芯片引脚连接孔与对应所述零电位连接孔电连接；或者，每个所述外部导线插设在一所述芯片引脚连接孔与对应所述高电位连接孔中，以使得所述芯片引脚连接孔与对应所述高电位连接孔电连接。
5.如权利要求4所述的通用老化板，其特征在于，所述外部导线为u型跳线。
6.如权利要求2所述的通用老化板，其特征在于，所述芯片连接孔组包括多个开关，每个所述开关具有空档、零电位档和高电位档，所述零电位档通过所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔佳楠，李忠涛，黄钰，罗昌平，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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