【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路，特别涉及一种接触孔结构及其制作方法。
技术介绍
1、sgt(shield gate trench，屏蔽栅沟槽)功率器件如sgt mosfet与沟槽(trench)mosfet相比，是在器件的纵向加入了源极场板即和源极相连的屏蔽多晶硅。源极场板跟漂移区进行横向耗尽，从而可以在不降低器件击穿电压的情况下，大幅提高漂移区的掺杂浓度，从而实现极低的导通电阻。此外，sgt mosfet跟trench mosfet相比，因为栅漏耦合电容(cgd)更低，开关速度更快。因此，在越来越多的场合，sgt mosfet开始替代trench mosfet。
2、现有的sgt mosfet器件的制作方法一般是在衬底内形成沟槽，在所述沟槽内形成源极多晶硅(即屏蔽多晶硅)与栅极多晶硅，然后在衬底上形成层间介质层，接着在所述层间介质层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光与显影形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀层间介质层形成暴露所述衬底的第一接触孔，然后去除图形化的光刻胶层，对所述第一接触孔底部的衬底继续进行刻...
【技术保护点】
1.一种接触孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一接触孔的方法包括：
3.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成保护层的方法包括：
4.根据权利要求3所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，采用等离子体干法刻蚀去除所述第一接触孔底部的所述材料保护层。
5.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅酸盐玻璃或高分子材料；所述保护层的材料包含氧化硅、氮化硅
...【技术特征摘要】
1.一种接触孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一接触孔的方法包括：
3.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成保护层的方法包括：
4.根据权利要求3所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，采用等离子体干法刻蚀去除所述第一接触孔底部的所述材料保护层。
5.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅酸盐玻璃或高分子材料；所述保护层的材料包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
6.根据权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述保护层与所述衬底具有高刻蚀选择比。
7.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李翠平，何云，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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