System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种多层陶瓷芯片及其制备模具、方法技术_技高网

一种多层陶瓷芯片及其制备模具、方法技术

技术编号:40966081 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-18 20:46
本发明专利技术公开了一种多层陶瓷芯片及其制备模具、方法,在该多层陶瓷芯片的两端烧结外部电极形成电容器,多层陶瓷芯片包括多个介质‑电极层和一个U型叠合层,所有介质‑电极层从下至上依次叠压,且相邻的两个介质‑电极层交错布置,U型叠合层倒扣设置,且所有介质‑电极层叠压在U型叠合层的内腔,介质‑电极层通过第一模具制成,所述第一模具的结构呈“Ⅰ”型结构,U型叠合层通过第二模具制成,第二模具的结构能够从“一”字型结构折叠成U型结构。本发明专利技术解决焊盘的两边电极上锡量不同的问题,避免交错叠加的内部电极的错位,避免各层间出现裂纹或脱层,降低焊盘锡层的锡用量以及陶瓷浆料的用量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多层陶瓷芯片及其制备模具、方法,属于陶瓷芯片元件领域。


技术介绍

1、电容器随着电子器件小型化的发展也逐渐小型化,其核心部件是多层陶瓷芯片,多层陶瓷芯片是多个单层带有内部电极的陶瓷介电体板交错重叠在一起。目前,有的多层陶瓷芯片存在一定问题:(1)在焊料形成外部电极时,由于焊盘上的锡量不相同,导致外部电极的两端电极的张力不平衡;(2)现有的焊盘上的锡层一般是通过焊接或烧接形成,锡的用量较多,另外锡层后期与陶瓷介电体板会出现分离,导致锡层与内电极连接不稳定;(3)由于电容的尺寸较小,陶瓷芯片加工时会导致交错叠加的内部电极的些许错位,造成电容器残次品率比较高;(4)高温烧结,陶瓷芯片各层间出现裂纹或脱层的问题。


技术实现思路

1、针对上述现有技术存在的问题,本专利技术提供一种多层陶瓷芯片及其制备模具、方法,解决焊盘的两边电极上锡量不同的问题,避免交错叠加的内部电极的错位,避免各层间出现裂纹或脱层,降低焊盘锡层的锡用量以及陶瓷浆料的用量。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种多层陶瓷芯片,在多层陶瓷芯片的两端烧结外部电极形成电容器,包括多个介质-电极层和一个u型叠合层,所有所述介质-电极层从下至上依次叠压,且相邻的两个介质-电极层交错布置,所述u型叠合层倒扣设置,且所有所述介质-电极层叠压在u型叠合层的内腔;

3、每个所述介质-电极层包括上下依次设置的介质底衬和内电极层,所述内电极层的周边流延接有第一介质过渡层,所述第一介质过渡层呈u型结构;

4、所述u型叠合层包括竖直对称布置的锡层,所述两个锡层底部之间叠压有介质保护层,每个所述锡层的两侧流延接有第二介质过渡层,每个所述锡层与对应的内电极层设置。

5、优选地,所述介质-电极层通过第一模具制成,所述第一模具的结构呈“ⅰ”型结构,且“ⅰ”结构从下至上套接形成;所述u型叠合层通过第二模具制成,所述第二模具的结构能够从“一”字型结构折叠成u型结构。

6、本专利技术还提供了一种多层陶瓷芯片的制备模具,包括第一模具和第二模具,所述第一模具的结构呈“ⅰ”型结构,且“ⅰ”结构从下至上套接形成;所述第二模具的结构能够从“一”字型结构折叠成u型结构。

7、优选地,所述第一模具包括从下至上依次设置在第一底座、定模框、可移下模框以及可移上模框,所述定模框与定模框固定连接,所述可移下模框分别与定模框、可移上模框插接,所述定模框的框口的每个内壁与可移下模框、可移上模框的框口相对应的内壁在同一竖直面内。

8、优选地,定模框、可移下模框的顶面设置有方型环槽,所述可移下模框、可移上模框的底面设置有与方型环槽匹配的方型环插脚。

9、优选地,所述第二模具包括从下至上依次固定设置的第二底座和第一支座,所述第二底座还固定连接有限定插接台,所述限定插接台套接在第一支座的外壁上,所述限定插接台插接有限定移动模框,且限定移动模框的框口抵坐在第一支座上,所述第二底座沿锡层长度的两端分别转动连接有第二支座,所述第二支座上固定设置有限定模框,所述限定模框呈u型结构且限定模框的开口朝向第二底座与第二支座连接的位置设置;

10、所述限定移动模框还包括倒l型支板,所述倒l型支板的水平部与限定移动模框固定连接,所述倒l型支板的竖直部插接在限定模框的开口处,所述倒l型支板的竖直部远离限定移动模框的侧面设置有限定模板,所述限定模板密封接限定模框的开口。

11、优选地,所述限定移动模框插接在限定插接台时,所述倒l型支板抵接在在第二底座上,所述第二底座与第二底座抵紧连接,所述第二模具呈“一”字型结构,所述限定移动模框撤除,所述第二底座能够转动,所述限定模框抵接在限定插接台上,所述第二模具呈u型结构。

12、优选地,所述限定插接台的顶面设置方型环槽,所述限定移动模框的底部设置有与方型环槽匹配的方型环插脚,所述限定模框开口处的两端设置对称的插槽,所述倒l型支板的竖直部底部两端插接在对应的插槽内。

13、本专利技术还提供了一种多层陶瓷芯片的制备方法,具体步骤如下:

14、(1)将陶瓷浆料的原料混合,经球磨得到陶瓷浆料;

15、(2)将可移下模框插接在定模框上,将部分陶瓷浆料流延形成薄膜,烘干,得到介质底衬;

16、(3)将可移上模框插接在可移下模框上,在介质底衬的表面上覆盖印有内电极图案的pet离型膜,通过热转印工艺在介质底衬的表面形成内电极层;

17、(4)将部分陶瓷浆料流延覆盖在介质底衬没有内电极层的位置处,烘干,形成第一介质过渡层,从第一模具上取出,得到单层的介质-电极层;

18、(5)将限定移动模框插接在限定插接台上,限定模板对限定模框封限,将陶瓷浆料在限定移动模框的框口流延形成薄膜,烘干,得到介质保护层;

19、(6)在限定模框内覆盖印有锡电极图案的pet离型膜,将部分陶瓷浆料流延覆盖在pet离型膜没有锡电极的位置处,烘干,形成第二介质过渡层,去除限定移动模并将两个第二支座转动使使第二模具呈u型结构;

20、(7)将多个单层的介质-电极层叠合在u型基座的内腔中,且内电极层交错布置,再将步骤(6)的第二模具与u型基座交叉使其倒扣在叠合的陶瓷芯片上,锡层对应抵接内电极层,后对第一支座、第二支座施压进行压合,完成压合后去除第二模具和u型基座,再排胶、烧结、切割,得到多层陶瓷芯片。

21、优选地,所述陶瓷浆料的原料由陶瓷粉、粘合剂、均化剂和溶剂组成,且所述陶瓷粉的粒径在0.01~0.02μm。

22、优选地,所述陶瓷粉、粘合剂、均化剂、溶剂的质量比为4:0.15~0.2:0.03~0.04:1~1.2;所述粘合剂选用聚乙烯醇缩丁醛,均化剂选用异丙醇,溶剂选用无水乙醇。

23、优选地,所述流延温度控制在60~65℃。

24、优选地,所述压合的条件为压力35mpa、温度75℃,压合时间40~50min。

25、本专利技术的有益效果:本专利技术的锡层通过u型叠合层叠压在介质-电极层上,解决外部电极的两端锡量不相同的问题,减少两端电极因锡量而导致的张力不平衡的问题;同时也锡层与内电极层的连接更加稳定;本专利技术多层陶瓷芯片使用第一模具、第二模具制作,介质-电极层、u型叠合层更加规整,避免边角由于浆料的延伸而出现废料,不需要废料切割,提高了多层陶瓷芯片的制作效率,多层陶瓷芯片的产率得到提高;本专利技术的第二模具设置“一”字型结构和u型结构,两者结构转换,形成所需的u型叠合层更加有助于锡层在介质-电极层的叠压结合,避免锡层从多层陶瓷芯片脱落;本专利技术的制备工艺,结合第一模具、第二模具操作,在适宜的工艺条件下,解决了多层陶瓷芯片各层间出现裂纹或脱层的问题。

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【技术保护点】

1.一种多层陶瓷芯片,在多层陶瓷芯片的两端烧结外部电极形成电容器,其特征在于,包括多个介质-电极层和一个U型叠合层,所有所述介质-电极层从下至上依次叠压,且相邻的两个介质-电极层交错布置,所述U型叠合层倒扣设置,且所有所述介质-电极层叠压在U型叠合层的内腔;

2.一种根据权利要求1所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述介质-电极层通过第一模具制成,所述第一模具的结构呈“Ⅰ”型结构,且“Ⅰ”结构从下至上套接形成;

3.根据权利要求2所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述第一模具包括从下至上依次设置在第一底座、定模框、可移下模框以及可移上模框,所述定模框与定模框固定连接,所述可移下模框分别与定模框、可移上模框插接,所述定模框的框口的每个内壁与可移下模框、可移上模框的框口相对应的内壁在同一竖直面内。

4.根据权利要求2所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述第二模具包括从下至上依次固定设置的第二底座和第一支座,所述第二底座还固定连接有限定插接台,所述限定插接台套接在第一支座的外壁上,所述限定插接台插接有限定移动模框,且限定移动模框的框口抵坐在第一支座上,所述第二底座沿锡层长度的两端分别转动连接有第二支座,所述第二支座上固定设置有限定模框,所述限定模框呈U型结构且限定模框的开口朝向第二底座与第二支座连接的位置设置;

5.根据权利要求3所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述限定移动模框插接在限定插接台时,所述倒L型支板抵接在在第二底座上,所述第二底座与第二底座抵紧连接,所述第二模具呈“一”字型结构,所述限定移动模框撤除,所述第二底座能够转动,所述限定模框抵接在限定插接台上,所述第二模具呈U型结构。

6.一种根据权利要求1所述的多层陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,所述陶瓷浆料的原料由陶瓷粉、粘合剂、均化剂和溶剂组成,且所述陶瓷粉的粒径在0.01~0.02μm。

8.根据权利要求6所述的多层陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,所述陶瓷粉、粘合剂、均化剂、溶剂的质量比为4:0.15~0.2:0.03~0.04:1~1.2;所述粘合剂选用聚乙烯醇缩丁醛,均化剂选用异丙醇,溶剂选用无水乙醇。

9.根据权利要求6所述的多层陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,所述流延温度控制在60~65℃。

10.根据权利要求6所述的多层陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,所述压合的条件为压力35MPa、温度75℃,压合时间40~50min。

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【技术特征摘要】

1.一种多层陶瓷芯片,在多层陶瓷芯片的两端烧结外部电极形成电容器,其特征在于,包括多个介质-电极层和一个u型叠合层,所有所述介质-电极层从下至上依次叠压,且相邻的两个介质-电极层交错布置,所述u型叠合层倒扣设置,且所有所述介质-电极层叠压在u型叠合层的内腔;

2.一种根据权利要求1所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述介质-电极层通过第一模具制成,所述第一模具的结构呈“ⅰ”型结构,且“ⅰ”结构从下至上套接形成;

3.根据权利要求2所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述第一模具包括从下至上依次设置在第一底座、定模框、可移下模框以及可移上模框,所述定模框与定模框固定连接,所述可移下模框分别与定模框、可移上模框插接,所述定模框的框口的每个内壁与可移下模框、可移上模框的框口相对应的内壁在同一竖直面内。

4.根据权利要求2所述的多层陶瓷芯片的制备模具,其特征在于,所述第二模具包括从下至上依次固定设置的第二底座和第一支座,所述第二底座还固定连接有限定插接台,所述限定插接台套接在第一支座的外壁上,所述限定插接台插接有限定移动模框,且限定移动模框的框口抵坐在第一支座上,所述第二底座沿锡层长度的两端分别转动连接有第二支座,所述第二支座上固定设置有限定模框,所述限定模框呈...

【专利技术属性】
技术研发人员:皇晓辉郝军朋
申请(专利权)人:连云港感瓷电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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