【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，具体涉及一种发光二极管芯片、显示基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
1、微发光二极管具有高亮度、高对比度、快速响应以及低功耗的优点，通过在衬底上集成微发光二极管形成的高密度发光器件阵列，可以实现显示面板的薄膜化、微小化和矩阵化。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种发光二极管芯片、显示基板及其制备方法和显示装置。
2、第一方面，本公开实施例提供一种发光二极管芯片，包括：
3、多个外延结构，任意两个外延结构之间具有间隙，所述外延结构上包括层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，所述多个外延结构的第二半导体图案相互连通构成第二半导体层；
4、钝化层，所述钝化层位于第一半导体图案远离所述第二半导体层的一侧，所述钝化层上形成有与所述第一半导体图案一一对应的多个第一过孔；
5、多个第一电极，位于所述钝化层远离所述第二半导体层的一侧，所述第一电极与所述第一半导体图案一一对应，所述第一电极通过对应的所述第一过孔与对应的所述第一半导体图案电连接；
6、多个第二电极，所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述发光图案的一侧，且与所述第二半导体层电连接。
7、在一些实施例中，所述外延结构对应多个第二电极，所述外延结构对应的多个第二电极在所述第二半导体层上的正投影围绕同一所述外延结构内所述发光图案在所述第二半导体层上的正投影。
8、第二方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括驱动背板和位于
9、所述驱动背板包括多个连接焊盘；
10、所述发光二极管芯片中的第一电极与对应的所述连接焊盘电连接。
11、在一些实施例中，所述显示基板还包括：
12、导电连接层，位于所述第二电极远离所述驱动背板的一侧，所述导电连接层与所述发光二极管芯片内的所述第二电极电连接。
13、在一些实施例中，所述导电连接层的材料为导电遮光材料，所述导电连接层上设置有与所述外延结构一一对应的多个第一出光孔；
14、所述第一出光孔在所述第二半导体层上的正投影与对应的所述外延结构内所述发光图案在所述第二半导体层上的正投影存在交叠；
15、所述显示基板还包括：与所述第一出光孔一一对应的多个光处理图案，所述光处理图案位于对应的所述第一出光孔内，至少一个所述光处理图案为色转换图案，所述色转换图案配置为将所述发光图案所发出的预设颜色光转换为其他颜色光。
16、在一些实施例中，显示基板还包括：
17、彩膜层，位于所述导电连接层远离所述外延结构的一侧，所述彩膜层包括黑矩阵图案71和多个彩色滤光图案；
18、所述黑矩阵图案71上设置有多个与所述第一出光孔一一对应的多个第二出光孔，所述第一出光孔在所述黑矩阵上的正投影与对应的所述第二出光孔存在交叠，所述彩色滤光图案位于所述第二出光孔内。
19、在一些实施例中，所述第二出光孔在所述黑矩阵上的正投影完全覆盖对应的所述第一出光孔。
20、在一些实施例中，显示基板还包括：
21、封装层，位于所述光处理图案和所述第二半导体层之间，所述封装层上形成有多个第二过孔，所述封装层在所述导电连接层上的正投影覆盖所述光处理图案，所述第二过孔在所述第二半导体层上的正投影覆盖所述第二电极；
22、所述导电连接层通过所述第二过孔与所述第二电极电连接。
23、在一些实施例中，所述预设颜色光为蓝色光；
24、所述其他颜色光包括红色光、绿色光、青色光、品红色光和黄色光中至少之一。
25、在一些实施例中，所述导电连接层的厚度为10-100μm。
26、在一些实施例中，显示基板还包括：
27、填充层，所述填充层填充于所述驱动背板与所述发光二极管芯片之间，以及填充于相邻发光二极管芯片之间。
28、第三方面，本公开实施例提供一种发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法用于制备第一方面所述发光二极管芯片，所述制备方法包括：
29、形成多个外延结构，任意两个外延结构之间具有间隙，所述外延结构上包括层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，所述多个外延结构的第二半导体图案相互连通构成第二半导体层；
30、形成钝化层，所述钝化层位于第一半导体图案远离所述第二半导体层的一侧，所述钝化层上形成有与所述第一半导体图案一一对应的多个第一过孔；
31、形成多个第一电极，所述第一电极位于所述钝化层远离所述第二半导体层的一侧，所述第一电极与所述第一半导体图案一一对应，所述第一电极通过对应的所述第一过孔与对应的所述第一半导体图案电连接；
32、形成多个第二电极，所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述发光图案的一侧，且与所述第二半导体层电连接。
33、在一些实施例中，所述形成多个外延结构的步骤，包括：
34、提供第一衬底基板；
35、在所述第一衬底基板一侧依次形成缓冲层和外延层；所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层和所述缓冲层接触；
36、对所述外延层进行图案化处理，形成多个外延结构。
37、在一些实施例中，所述形成多个第二电极的步骤之前，所述制备方法还包括：
38、提供一过渡基板，将所述钝化层远离所述第二半导体层图形的一侧表面与所述过渡基板相固定；
39、依次去除所述第一衬底基板、所述缓冲层，以使得所述第二半导体层暴露；
40、所述形成多个第二电极的步骤包括：在所述第二半导体层远离所述发光图案的一侧形成多个第二电极。
41、第四方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
42、采用第三方面所述的制备方法制备出发光二极管芯片；
43、提供一驱动背板，所述驱动背板上包括多个连接焊盘；
44、将所述发光二极管芯片中的第一电极与对应的所述连接焊盘电连接。
45、在一些实施例中，将所述发光二极管芯片中的第一电极与对应的所述连接焊盘电连接的步骤之前包括，所述制备方法还包括：
46、去除所述过渡基板。
47、在一些实施例中，将所述发光二极管芯片中的第一电极与对应的所述连接焊盘电连接的步骤之后，所述制备方法还包括：
48、形成对盒基板，所述对盒基板包括：第二衬底基板和位于第二衬底基板一侧的导电连接层；
49、将所述对盒基板与形成在所述驱动背板上的多个发光二极管芯片进行对盒固定，所述导电连接层位于所述第二电极远离所述驱动背板的一侧，且所述导电连接层与所述发光二极管芯片内的所述第二电极电连接。
50、在一些实施例中，所述形成对盒基板的步骤包括：
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1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外延结构对应多个第二电极，所述外延结构对应的多个第二电极在所述第二半导体层上的正投影围绕同一所述外延结构内所述发光图案在所述第二半导体层上的正投影。
3.一种显示基板，其特征在于，包括驱动背板和位于所述驱动背板上且呈阵列排布的多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片采用上述权利要求1-2中任一所述发光二极管芯片；其中，
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电连接层的材料为导电遮光材料，所述导电连接层上设置有与所述外延结构一一对应的多个第一出光孔；
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二出光孔在所述黑矩阵上的正投影完全覆盖对应的所述第一出光孔。
8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求5所述的显示基板，其特
10.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电连接层的厚度为10-100μm。
11.根据权利要求3-10中任意一项所述的显示基板，其特征在于，还包括：
12.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备上述权利要求1-2中任一所述发光二极管芯片，所述制备方法包括：
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述形成多个外延结构的步骤，包括：
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述形成多个第二电极的步骤之前，所述制备方法还包括：
15.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述发光二极管芯片为权利要求14所述的发光二极管芯片；
17.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，将所述发光二极管芯片中的第一电极与对应的所述连接焊盘电连接的步骤之后，所述制备方法还包括：
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述形成对盒基板的步骤包括：
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，在形成彩膜层的步骤之前，所述制备方法还包括：在所述第二衬底基板上形成牺牲层；
20.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求3-11中任意一项所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外延结构对应多个第二电极，所述外延结构对应的多个第二电极在所述第二半导体层上的正投影围绕同一所述外延结构内所述发光图案在所述第二半导体层上的正投影。
3.一种显示基板，其特征在于，包括驱动背板和位于所述驱动背板上且呈阵列排布的多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片采用上述权利要求1-2中任一所述发光二极管芯片；其中，
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电连接层的材料为导电遮光材料，所述导电连接层上设置有与所述外延结构一一对应的多个第一出光孔；
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二出光孔在所述黑矩阵上的正投影完全覆盖对应的所述第一出光孔。
8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述预设颜色光为蓝色光；
10.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电连接层的厚度为10-100...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明星，曲燕，李伟，闫华杰，孙倩，焦志强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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