【技术实现步骤摘要】
本公开属于通信，具体涉及一种射频开关器件、天线及电子设备。
技术介绍
1、目前，射频开关在通信领域得到了广泛应用，尤其在频率可重构天线中。频率可重构天线可以通过加载控制开关使天线频率在一定范围内可重构，其特点是不需要增加或减少天线的辐射单元即可对天线的谐振频率进行调整，因此具有结构简单、占用空间小的优点。现有技术中，通常可采用硅基cmos或soi开关、变容二极管、液晶、mems，相变材料等作为控制开关来实现频率可重构，其中硅基开关或变容二极管对天线增益和效率指标影响明显，液晶可重构天线的响应时间较长，mems开关在插损、功耗、体积与成本等方面均具有优势，但是驱动电压高，并且对材料及工艺的要求苛刻，工艺难度大。相变材料需要额外的热管理材料及工艺，同时高低温操作对于信赖性考验较大。
2、基于阻变原理的新型射频开关近年来受到人们的广泛关注与研究。因其具有非易失性可实现低的静态功耗，同时插损，隔离度，响应时间等性能较高，是下一代射频开关的有力候选者。然而，阻变开关的导电开启和关闭是基于原子和离子的随机分布而形成的，使得器件的鲁棒性较差，可靠性和均匀性问题有待解决。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种射频开关器件、天线及电子设备。
2、第一方面，本公开实施例提供一种射频开关器件，其包括：介质基板，设置在所述介质基板上的第一电极、第二电极、半导体有源层；所述半导体有源层位于所述第一电极背离介质基板的一侧；所述第二电极位于所述半
3、其中，
4、所述半导体有源层中的第一子有源层和第二子有源层的材料均包括金属氧化物或者a-si。
5、其中，所述导体层的材料包括钯、铂、银纳米线中的任意一种。
6、其中，所述导电层的镂空图案呈整列排布。
7、其中，所述第一电极和所述第二电极的材料相同。
8、其中，所述第一电极和所述第二电极的材料均为铝、钛、铬中的任意一种。
9、其中，所述第一电极和所述第二电极的材料不同。
10、其中，所述第一电极的材料为铝，第二电极的材料为银。
11、第二方面，本公开实施例提供一种射频开关器件的制备方法，其包括：
12、提供一介质基板；
13、在所述介质基板上形成第一电极；
14、在所述第一电极背离介质基板的一侧形成半导体有源层的第一子有源层；
15、在所述半导体有源层的第一子有源层背离所述介质基板的一侧形成导电层；其中，导电层具有镂空图案；
16、在所述导电结构层背离所述介质基板的一侧形成所述半导体有源层的第二子有源层；
17、在所述半导体有源层背离所述介质基板的一侧形成第二电极。
18、其中，所述导体层的材料包括钯、铂、银纳米线中的任意一种。
19、第三方面，本公开实施例提供一种天线，其包括上述任一所述的射频开关器件。
20、第四方面，本公开实施例提供一种电子设备，其包括上述的天线。
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1.一种射频开关器件，其包括：介质基板，设置在所述介质基板上的第一电极、第二电极、半导体有源层；所述半导体有源层位于所述第一电极背离介质基板的一侧；所述第二电极位于所述半导体有源层背离所述第一电极的一侧；其中，所述半导体有源层包括沿背离介质基板一侧依次设置的第一子有源层和第二子有源层；所述射频开关器件还包括设置在所述第一子有源层和第二子有源层之间的导电层；所述导电层具有镂空图案。
2.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述半导体有源层中的第一子有源层和第二子有源层的材料均包括金属氧化物或者a-Si。
3.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述导体层的材料包括钯、铂、银纳米线中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述导电层的镂空图案呈整列排布。
5.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述第一电极和所述第二电极的材料相同。
6.根据权利要求5所述的射频开关器件，其中，所述第一电极和所述第二电极的材料均为铝、钛、铬中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所
8.根据权利要求7所述的射频开关器件，其中，所述第一电极的材料为铝，第二电极的材料为银。
9.一种射频开关器件的制备方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的射频开关器件的制备方法，其中，所述导体层的材料包括钯、铂、银纳米线中的任意一种。
11.一种天线，其包括权利要求1-8中任一项所述的射频开关器件。
12.一种电子设备，其包括权利要求11所述的天线。
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关器件，其包括：介质基板，设置在所述介质基板上的第一电极、第二电极、半导体有源层；所述半导体有源层位于所述第一电极背离介质基板的一侧；所述第二电极位于所述半导体有源层背离所述第一电极的一侧；其中，所述半导体有源层包括沿背离介质基板一侧依次设置的第一子有源层和第二子有源层；所述射频开关器件还包括设置在所述第一子有源层和第二子有源层之间的导电层；所述导电层具有镂空图案。
2.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述半导体有源层中的第一子有源层和第二子有源层的材料均包括金属氧化物或者a-si。
3.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述导体层的材料包括钯、铂、银纳米线中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的射频开关器件，其中，所述导电层的镂空图案呈整列排布。
【专利技术属性】
技术研发人员：孟虎，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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