System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 调相器件及其驱动方法、电子设备技术_技高网

调相器件及其驱动方法、电子设备技术

技术编号:41253236 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:14
调相器件及其驱动方法、电子设备,涉及微波与无线通信技术领域。调相器件,包括:调相层,包括调相结构,调相结构包括第一介质层和控制电极,控制电极用于接收电压信号,并在电压信号的作用下形成电场,电场用于改变第一介质层的介电常数,以调节电磁波经过调相结构产生的相位变化;以及反射层,层叠设置在调相层的一侧,用于将经过调相层的电磁波反射回调相层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及微波与无线通信,特别是涉及一种调相器件及其驱动方法、电子设备


技术介绍

1、从2014年以来,数字超表面、可重构超表面受到无线通信领域越来越多的研究人员关注。尤其是近几年,发展出了具有市场应用价值的智能超表面技术。


技术实现思路

1、本公开提供了一种调相器件,包括:

2、调相层,包括调相结构,所述调相结构包括第一介质层和控制电极,所述控制电极用于接收电压信号,并在所述电压信号的作用下形成电场,所述电场用于改变所述第一介质层的介电常数,以调节电磁波经过所述调相结构产生的相位变化;以及

3、反射层,层叠设置在所述调相层的一侧,用于将经过所述调相层的电磁波反射回所述调相层。

4、在一些实施方式中,所述反射层为整面连续的板状结构。

5、在一些实施方式中,所述反射层为具有透射孔的板状结构,所述透射孔在所述反射层的法线方向上完全贯穿所述板状结构。

6、在一些实施方式中,所述透射孔在所述调相层上的正投影尺寸小于或等于λ/2,所述λ为所述调相器件的工作波长。

7、在一些实施方式中,所述透射孔包括:沿第一方向延伸的第一条状孔,以及沿第二方向延伸的第二条状孔,所述第一方向与所述第二方向相互交叉。

8、在一些实施方式中,所述第一方向与所述第二方向相互垂直,且所述第一条状孔在所述第一方向的尺寸大于或等于λ/2,所述第二条状孔沿所述第二方向的尺寸小于或等于λ/2,所述λ为所述调相器件的工作波长。

9、在一些实施方式中,所述反射层的厚度大于或等于预设尺寸的两倍,所述预设尺寸为所述调相器件的工作波长在所述反射层内的趋肤深度。

10、在一些实施方式中,所述控制电极与所述反射层之间的间距大于或等于λ/20,所述λ为所述调相器件的工作波长。

11、在一些实施方式中,所述调相器件包括第一调相区域和第二调相区域,所述反射层在所述调相层上的正投影位于所述第一调相区域内,且与所述第二调相区域无交叠。

12、在一些实施方式中,所述第一调相区域和所述第二调相区域的形状为条形,所述第一调相区域和所述第二调相区域在第三方向上交替排布。

13、在一些实施方式中,所述调相层包括多个所述调相结构,多个所述调相结构分别在行方向和列方向上阵列排布;

14、其中,所述第三方向平行于所述行方向或者所述列方向。

15、在一些实施方式中,所述第三方向平行于所述行方向,位于所述第一调相区域内的调相层至少包括一列所述调相结构,位于所述第二调相区域内的调相层至少包括一列所述调相结构。

16、在一些实施方式中,所述第一调相区域和所述第二调相区域的形状为环形,所述第一调相区域与所述第二调相区域在排布中心指向排布边缘的方向上交替排布;

17、其中,所述排布中心为所述第一调相区域与所述第二调相区域所排布区域的中心,所述排布边缘为所述第一调相区域与所述第二调相区域所排布区域的边缘。

18、在一些实施方式中,在排布中心指向排布边缘的方向上,所述第一调相区域的环宽逐渐减小,所述第二调相区域的环宽逐渐减小。

19、在一些实施方式中,所述反射层的材料包括以下至少之一:金属、硅和陶瓷。

20、在一些实施方式中,所述调相结构具有开口区域和非开口区域,所述开口区域用于透射在所述调相结构内发生谐振的电磁波;

21、所述控制电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一介质层的两侧,所述第一电极和所述第二电极在所述第一介质层上的正投影具有交叠区域,且所述第一电极和所述第二电极在所述第一介质层上的正投影均位于所述非开口区域内。

22、在一些实施方式中,所述第一电极上设置有第一挖孔,所述第一挖孔在所述第一介质层的法线方向上完全贯穿所述第一电极,至少部分所述第一挖孔位于所述第一电极与所述第二电极的交叉区域内;

23、所述第二电极上设置有第二挖孔,所述第二挖孔在所述第一介质层的法线方向上完全贯穿所述第二电极,至少部分所述第二挖孔位于所述第一电极与所述第二电极的交叉区域内。

24、在一些实施方式中,所述调相器件的工作波段包括微波段和/或毫米波段。

25、本公开提供了一种电子设备,包括权利要求任一项所述的调相器件。

26、本公开提供了一种驱动方法,应用于任一项所述的调相器件,所述调相器件包括调相层,所述调相层包括调相结构,所述调相结构的驱动方法包括:

27、向所述控制电极施加电压信号,以改变所述第一介质层的介电常数,调节电磁波经过所述调相结构产生的相位变化。

28、上述说明仅是本公开技术方案的概述,为了能够更清楚了解本公开的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本公开的具体实施方式。

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【技术保护点】

1.一种调相器件,包括:

2.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述反射层为整面连续的板状结构。

3.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述反射层为具有透射孔的板状结构,所述透射孔在所述反射层的法线方向上完全贯穿所述板状结构。

4.根据权利要求3所述的调相器件,其中,所述透射孔在所述调相层上的正投影尺寸小于或等于λ/2,所述λ为所述调相器件的工作波长。

5.根据权利要求3所述的调相器件,其中,所述透射孔包括:沿第一方向延伸的第一条状孔,以及沿第二方向延伸的第二条状孔,所述第一方向与所述第二方向相互交叉。

6.根据权利要求5所述的调相器件,其中,所述第一方向与所述第二方向相互垂直,且所述第一条状孔在所述第一方向的尺寸大于或等于λ/2,所述第二条状孔沿所述第二方向的尺寸小于或等于λ/2,所述λ为所述调相器件的工作波长。

7.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述反射层的厚度大于或等于预设尺寸的两倍,所述预设尺寸为所述调相器件的工作波长在所述反射层内的趋肤深度。

8.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述控制电极与所述反射层之间的间距大于或等于λ/20,所述λ为所述调相器件的工作波长。

9.根据权利要求1至8任一项所述的调相器件,其中,所述调相器件包括第一调相区域和第二调相区域,所述反射层在所述调相层上的正投影位于所述第一调相区域内,且与所述第二调相区域无交叠。

10.根据权利要求9所述的调相器件,其中,所述第一调相区域和所述第二调相区域的形状为条形,所述第一调相区域和所述第二调相区域在第三方向上交替排布。

11.根据权利要求10所述的调相器件,其中,所述调相层包括多个所述调相结构,多个所述调相结构分别在行方向和列方向上阵列排布;

12.根据权利要求11所述的调相器件,其中,所述第三方向平行于所述行方向,位于所述第一调相区域内的调相层至少包括一列所述调相结构,位于所述第二调相区域内的调相层至少包括一列所述调相结构。

13.根据权利要求9所述的调相器件,其中,所述第一调相区域和所述第二调相区域的形状为环形,所述第一调相区域与所述第二调相区域在排布中心指向排布边缘的方向上交替排布;

14.根据权利要求13所述的调相器件,其中,在排布中心指向排布边缘的方向上,所述第一调相区域的环宽逐渐减小,所述第二调相区域的环宽逐渐减小。

15.根据权利要求1至8任一项所述的调相器件,其中,所述反射层的材料包括以下至少之一:金属、硅和陶瓷。

16.根据权利要求1至8任一项所述的调相器件,其中,所述调相结构具有开口区域和非开口区域,所述开口区域用于透射在所述调相结构内发生谐振的电磁波;

17.根据权利要求16所述的调相器件,其中,所述第一电极上设置有第一挖孔,所述第一挖孔在所述第一介质层的法线方向上完全贯穿所述第一电极,至少部分所述第一挖孔位于所述第一电极与所述第二电极的交叉区域内;

18.根据权利要求1至8任一项所述的调相器件,其中,所述调相器件的工作波段包括微波段和/或毫米波段。

19.一种电子设备,包括权利要求1至18任一项所述的调相器件。

20.一种驱动方法,应用于权利要求1至18任一项所述的调相器件,所述调相器件包括调相层,所述调相层包括调相结构,所述调相结构的驱动方法包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种调相器件,包括:

2.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述反射层为整面连续的板状结构。

3.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述反射层为具有透射孔的板状结构,所述透射孔在所述反射层的法线方向上完全贯穿所述板状结构。

4.根据权利要求3所述的调相器件,其中,所述透射孔在所述调相层上的正投影尺寸小于或等于λ/2,所述λ为所述调相器件的工作波长。

5.根据权利要求3所述的调相器件,其中,所述透射孔包括:沿第一方向延伸的第一条状孔,以及沿第二方向延伸的第二条状孔,所述第一方向与所述第二方向相互交叉。

6.根据权利要求5所述的调相器件,其中,所述第一方向与所述第二方向相互垂直,且所述第一条状孔在所述第一方向的尺寸大于或等于λ/2,所述第二条状孔沿所述第二方向的尺寸小于或等于λ/2,所述λ为所述调相器件的工作波长。

7.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述反射层的厚度大于或等于预设尺寸的两倍,所述预设尺寸为所述调相器件的工作波长在所述反射层内的趋肤深度。

8.根据权利要求1所述的调相器件,其中,所述控制电极与所述反射层之间的间距大于或等于λ/20,所述λ为所述调相器件的工作波长。

9.根据权利要求1至8任一项所述的调相器件,其中,所述调相器件包括第一调相区域和第二调相区域,所述反射层在所述调相层上的正投影位于所述第一调相区域内,且与所述第二调相区域无交叠。

10.根据权利要求9所述的调相器件,其中,所述第一调相区域和所述第二调相区域的形状为条形,所述第一调相区域和所述第二调相区域在第三方向上交替排布。

11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:王锋彭依丹陶帅鹏陈少棚曲峰李必奇
申请(专利权)人:北京京东方技术开发有限公司
类型:发明
国别省市:

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