【技术实现步骤摘要】
本公开属于显示，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，人们对显示装置的要求也越来越高，例如，基于发光二极管(light-emitting diode，led)的微缩化和矩阵化技术的微米发光二极管micro led，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面相比于有机电致发光器件(organic electroluminescence display，oled)具有更大的优势，因此micro led在高清显示领域被广泛应用。
技术实现思路
1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
2、第一方面，解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的像素单元；所述像素单元包括像素驱动电路和与所述像素驱动电路电连接的微米发光二极管；其中，所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管；所述驱动晶体管的有源层的材料为碳纳米管。
3、在一些实施例中，所述有源层的材料为取向一致的多根碳纳米管。
4、在一些实施例中，所述有源层包括单层碳纳米管；所述单层碳纳米管的密度范围为1根/μm～1000根/μm；所述有源层的厚度范围为0.5nm～3nm。
5、在一些实施例中，所述衬底基板的材料包括硅或二氧化硅。
6、在一些实施例中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有
7、所述驱动晶体管的栅极位于所述源极和所述漏极所在层背离所述有源层所在层的一侧。
8、在一些实施例中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述源极有源层的接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
9、所述驱动晶体管的栅极位于所述有源层所在层背离所述源极和所述漏极所在层的一侧。
10、在一些实施例中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有源层的源极接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
11、所述驱动晶体管的栅极位于所述源极和所述漏极所在层背离所述有源层所在层的一侧。
12、在一些实施例中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有源层的源极接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
13、所述驱动晶体管的栅极位于所述有源层所在层背离所述源极和所述漏极所在层的一侧。
14、第二方面，本公开实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，其中，包括：
15、提供一衬底基板；
16、在所述衬底基板上形成像素单元；所述像素单元包括像素驱动电路和与所述像素驱动电路电连接的微米发光二极管；所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管；所述驱动晶体管的有源层的材料为碳纳米管。
17、在一些实施例中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
18、形成碳纳米管溶液；所述碳纳米管溶液中包含碳纳米管；
19、将所述衬底基板或所述像素单元的限定图形层放入所述碳纳米管溶液中，沉积形成所述有源层；所述限定图形层包括以下至少部分结构所述驱动晶体管的源极、漏极、栅极，以及所述阵列基板的栅极绝缘层。
20、在一些实施例中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
21、在所述衬底基板上形成碳纳米管催化剂；
22、在密闭容器内，利用碳源所喷射的含碳气体，在所述碳纳米管催化剂的催化下，在所述衬底基板上生长出取向一致的多根碳纳米管，以形成所述有源层。
23、在一些实施例中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
24、将所述衬底基板或所述像素单元的限定图形层放入疏水体系溶液中，并对所述衬底基板或所述像素单元的限定图形层所在区域的疏水体系溶液进行固化，得到疏水溶液层；所述限定图形层包括以下至少部分结构所述驱动晶体管的源极、漏极、栅极，以及所述阵列基板的栅极绝缘层；
25、在所述疏水溶液层上形成亲水区，得到疏水溶液图案；
26、对所述疏水溶液图案沉积取向一致的多根碳纳米管，并剥离所述疏水溶液图案，以形成所述有源层。
27、在一些实施例中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
28、将碳纳米管材料与聚合物聚合，形成碳纳米管；
29、将所述碳纳米管放入有机溶剂中，形成碳纳米管溶液；
30、将所述衬底基板或所述像素单元的限定图形层放入所述碳纳米管溶液中按照预设速度提拉，形成取向一致的多根碳纳米管，以形成所述有源层。
31、第三方面，本公开实施例还提供了一种显示设备，其中，包括如上述实施例中任一项所述的阵列基板。
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1.一种阵列基板，其包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的像素单元；所述像素单元包括像素驱动电路和与所述像素驱动电路电连接的微米发光二极管；其中，所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管；所述驱动晶体管的有源层的材料为碳纳米管。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层的材料为取向一致的多根碳纳米管。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层包括单层碳纳米管；所述单层碳纳米管的密度范围为1根/μm～1000根/μm；所述有源层的厚度范围为0.5nm～3nm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述衬底基板的材料包括硅或二氧化硅。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有源层的源极接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
6.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述源极有源层的接触区电连接，所述漏极与所述有源层的
7.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有源层的源极接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
8.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有源层的源极接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
9.一种阵列基板的制备方法，其中，包括：
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
11.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
12.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
13.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其中，形成所述驱动晶体管的有源层的步骤包括：
14.一种显示设备，其中，包括如权利要求1～8中任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的像素单元；所述像素单元包括像素驱动电路和与所述像素驱动电路电连接的微米发光二极管；其中，所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管；所述驱动晶体管的有源层的材料为碳纳米管。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层的材料为取向一致的多根碳纳米管。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层包括单层碳纳米管；所述单层碳纳米管的密度范围为1根/μm～1000根/μm；所述有源层的厚度范围为0.5nm～3nm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述衬底基板的材料包括硅或二氧化硅。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述有源层的源极接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏极接触区电连接；
6.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，且所述源极与所述源极有源层的接触区电连接，所述漏极与所述有源层的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：段正，郭康，陈宏，宋梦亚，李多辉，张笑，顾鹏飞，王浩然，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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