用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板制造技术

技术编号:34804219 阅读:71 留言:0更新日期:2022-09-03 20:11
本公开提供了一种用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板,涉及半导体技术领域。用于改善远端串扰的导体结构包括相互平行的两个导体、第一导线和第二导线,第一导线的至少部分和第二导线的至少部分设置于两个导体之间,两个导体其中之一与第一导线连接,两个导体其中另一与第二导线连接;第一导线和第二导线用于产生电容,电容用于抵消两个导体之间产生的远端串扰。在本公开中,通过在相邻的两个导体之间设置第一导线和第二导线,且第一导线和第二导线之间能够产生电容,能够抵消两个导体之间的互感耦合,达到改善远端串扰的效果。扰的效果。扰的效果。

【技术实现步骤摘要】
用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板


[0001]本公开涉及半导体
,尤其涉及一种用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板。

技术介绍

[0002]串扰是指当信号在信号线上传输时,因电磁耦合对相邻的信号线产生的不期望的电压噪声干扰,这种噪声干扰由于信号线之间的互感和互容耦合引起的。串扰包括近端串扰(Near

end cross talk,NEXT)和远端串扰(Far

end cross talk,FEXT),沿导体中电流的流动方向,电流的输入端处产生的噪声干扰即为近端串扰,电流的输出端处产生的噪声干扰即为远端串扰。远端串扰随信号线之间的互感和互容耦合长度的增加而叠加,由于远端串扰存在这样的叠加特征,因此,相比于近端串扰,远端串扰对信号的传输过程产生的影响更加显著。
[0003]相关技术中,通过在相邻的信号线之间直接设置地线,以改善远端串扰。但是,随着半导体结构或者电路板的集成度越来越高,相邻的信号线之间的间距过小,导致无法设置地线进行改善,远端串扰问题越来越严重。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供了一种用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板。
[0006]本公开的第一方面提供了一种用于改善远端串扰的导体结构,所述用于改善远端串扰的导体结构包括:
[0007]相互平行的两个导体;
[0008]第一导线和第二导线,所述第一导线的至少部分和所述第二导线的至少部分设置于两个所述导体之间,两个所述导体其中之一与所述第一导线连接,两个所述导体其中另一与所述第二导线连接;
[0009]所述第一导线和所述第二导线用于产生电容,所述电容用于抵消两个所述导体之间产生的远端串扰。
[0010]其中,沿所述导体的延伸方向,所述第一导线的至少部分与所述第二导线的至少部分层叠设置。
[0011]其中,以垂直于所述导体的延伸方向的平面为参考平面,所述第一导线和所述第二导线分别平行于所述参考平面,且所述第一导线和所述第二导线位于同一平面;
[0012]所述第一导线的侧边和所述第二导线的侧边至少部分相对设置。
[0013]其中,所述第一导线包括第一延伸段,所述第二导线包括第二延伸段,所述第一延伸段和所述第二延伸段位于两个所述导体之间。
[0014]其中,所述第一导线还包括与所述第一延伸段相连的第一环绕段,和/或,所述第
二导线还包括与所述第二延伸段相连的第二环绕段;
[0015]两个所述导体为第一导体和第二导体;
[0016]所述第一延伸段与所述第一导体连接,沿所述第二导体的周向方向,所述第一环绕段环绕至少部分所述第二导体;和/或,所述第二延伸段与所述第二导体连接,沿所述第一导体的周向方向,所述第二环绕段环绕至少部分所述第一导体。
[0017]其中,所述第一延伸段与所述第二延伸段相对的区域之间具有第一预设距离,所述第一预设距离与所述电容呈负相关。
[0018]其中,所述第一环绕段的内圈与所述第二导体之间具有第二预设距离,所述第二环绕段的内圈与所述第一导体之间具有第三预设距离;
[0019]所述第二预设距离和所述第三预设距离分别与所述电容呈负相关。
[0020]其中,所述第一环绕段的内圈与外圈之间具有第一预设环宽,所述第二环绕段的内圈与外圈之间具有第二预设环宽;
[0021]所述第一预设环宽和所述第二预设环宽分别与所述电容呈正相关。
[0022]其中,所述第一环绕段环绕所述第二导体的环绕角度为第一预设角度,所述第二环绕段环绕所述第一导体的环绕角度为第二预设角度;
[0023]所述第一预设角度和所述第二预设角度分别与所述电容呈正相关。
[0024]其中,所述第一导线和所述第二导线层叠设置时,所述第一预设角度和所述第二预设角度的范围均为0
°
至360
°

[0025]其中,所述第一导线和所述第二导线均呈片状,沿所述导体的延伸方向,所述第一导线具有第一预设厚度,所述第二导线具有第二预设厚度,所述第一预设厚度和所述第二预设厚度分别与所述电容呈正相关。
[0026]其中,所述第一导线和所述第二导线设置于两个所述导体的信号流出端。
[0027]其中,所述导体包括过孔或布线。
[0028]其中,所述导体、所述第一导线和所述第二导线均由金属材料制成;
[0029]用于制成所述导体的材料与用于制成所述第一导线和所述第二导线的材料相同;或者,用于制成所述导体的材料与用于制成所述第一导线和所述第二导线的材料不同。
[0030]本公开的实施例第二方面提供了一种半导体封装结构,所述半导体封装结构包括基底,所述基底设置多个相互平行的导体,相邻的两个所述导体被设置为如第一方面所述的用于改善远端串扰的导体结构。
[0031]本公开的实施例第三方面提供了一种电路板,所述电路板包括基板,所述基板设置多个相互平行的导体,相邻的两个所述导体被设置为如第一方面所述的用于改善远端串扰的导体结构。
[0032]本公开提供的用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板,通过在相邻的两个导体之间设置第一导线和第二导线,且第一导线和第二导线之间能够产生电容,相当于形成一个电容器,通过增加第一导线和第二导线之间的互容耦合,能够抵消两个导体之间的互感耦合,达到改善远端串扰的效果。
[0033]在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
circuit boards,PCB)。改善远端串扰的导体结构包括相互平行的两个导体,以及第一导线3和第二导线4。第一导线3的至少部分结构,以及第二导线4的至少部分结构设置于两个导体之间,即第一导线3和第二导线4可以全部设置两个导体之间,第一导线3和第二导线4也可以分别之后部分设置在两个导体之间,其余的部分设置在两个导体的侧部。两个导体其中之一与第一导线3连接,两个导体其中另一与第二导线4连接。本实施例中为了便于对本公开的技术方案进行解释,将两个导体区分为第一导体1和第二导体2。其中,第一导体1和第二导体2可以为半导体封装结构中相邻的两个过孔中的金属层,也可以为印刷电路板中位于同一平面中相邻的两条金属走线。
[0053]本实施例中,以第一导体1与第一导线3连接,第二导体2与第二导线4连接为示例进行说明。第一导体1和第二导体2中有电信号通过,第一导体1和第二导体2在出现远端串扰问题时,当第一导体1为攻击线时,第二导体2为受害线;当第二导体2为攻击线时,第一导体1为受害线。攻击线会在受害线上产生串扰噪声,对于远端串扰而言,串扰噪声中以电感信号干扰为主导。但是,由于相邻的导体之间对于电感耦合的优化空间受限,无法进一步通过改善电感耦合解决远端串扰问题。因此,本实施例中,采用通过改善电容耦合的方式,解决远端串扰问题。<本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,所述用于改善远端串扰的导体结构包括:相互平行的两个导体;第一导线和第二导线,所述第一导线的至少部分和所述第二导线的至少部分设置于两个所述导体之间,两个所述导体其中之一与所述第一导线连接,两个所述导体其中另一与所述第二导线连接;所述第一导线和所述第二导线用于产生电容,所述电容用于抵消两个所述导体之间产生的远端串扰。2.根据权利要求1所述的用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,沿所述导体的延伸方向,所述第一导线的至少部分与所述第二导线的至少部分层叠设置。3.根据权利要求1所述的用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,以垂直于所述导体的延伸方向的平面为参考平面,所述第一导线和所述第二导线分别平行于所述参考平面,且所述第一导线和所述第二导线位于同一平面;所述第一导线的侧边和所述第二导线的侧边至少部分相对设置。4.根据权利要求2或3所述的用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,所述第一导线包括第一延伸段,所述第二导线包括第二延伸段,所述第一延伸段和所述第二延伸段位于两个所述导体之间。5.根据权利要求4所述的用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,所述第一导线还包括与所述第一延伸段相连的第一环绕段,和/或,所述第二导线还包括与所述第二延伸段相连的第二环绕段;两个所述导体为第一导体和第二导体;所述第一延伸段与所述第一导体连接,沿所述第二导体的周向方向,所述第一环绕段环绕至少部分所述第二导体;和/或,所述第二延伸段与所述第二导体连接,沿所述第一导体的周向方向,所述第二环绕段环绕至少部分所述第一导体。6.根据权利要求5所述的用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,所述第一延伸段与所述第二延伸段相对的区域之间具有第一预设距离,所述第一预设距离与所述电容呈负相关。7.根据权利要求5所述的用于改善远端串扰的导体结构,其特征在于,所述第一环绕段的内圈与所述第二导体之间具有第二预设距离,所述第二环绕段的内圈与所述第一导体之间具有第三预设距离;所述第二预设距离和所述第三预设距离分别与所述电容呈负相关。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:方亚德纪广猛
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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