锂电池充电器控制集成电路及其短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种避免正负极端口短路的锂电池充电器控制集成电路及其短路保护电路。本实用新型专利技术的短路保护电路包括锂电池正、负极端口（ＢＴ＋、ＢＴ－）、电源输入端（ＶＤＤ）、异或门（ＸＯＲ）、两个Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８７、Ｐ８８）、两个Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８、Ｎ７９），正、负极端口（ＢＴ＋、ＢＴ－）分别与两个Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８、Ｎ７９）的栅极相连接，两个Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８、Ｎ７９）的源极、两个Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８７、Ｐ８８）的栅极均接地，两个Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８７、Ｐ８８）的源极均与电源输入端（ＶＤＤ）相连接，第一Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８７）、第一Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８）的漏极均与异或门（ＸＯＲ）的一个输入端相连接，第二Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８８）、第二Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７９）的漏极均与异或门（ＸＯＲ）的另一个输入端相连接。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种锂电池充电器控制集成电路及其短路保护电路。
技术介绍
目前在移动电话等电子产品上普遍使用可反复充电的锂离子电池作为供 电电源，这种锂离子电池需要采用充电器进行充电。目前锂电池充电器大都采用各种各样的专用控制集成电路(IC)和各种采样电路。在锂电池充电器的充电控制电路中需要对锂电池的正负极端口设置短路保护电路，以避免发 生短路事故。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种避免 正负极端口短路的锂电池充电器控制集成电路的短路保护电路。另外，本技术还提供一种采用该短路保护电路的锂电池充电器控制集成电路。本技术锂电池充电器控制集成电路的短路保护电路所采用的技术方案是本技术锂电池充电器控制集成电路的短路保护电路包括锂电池正极端口、负极端口、电源输入端、接地端、异或门、第一 P—MOSFET、第 —N—MOSFET、第二P—MOSFET、第二N—MOSFET，所述负极端口、所 述正极端口分别与所述第一 N—MOSFET、所述第二 N—MOSFET的栅极相 连接，所述第一N—MOSFET的源极、所述第二N—MOSFET的源极、第一 P—MOSFET的栅极、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锂电池充电器控制集成电路的短路保护电路，其特征在于：包括锂电池正极端口（ＢＴ＋）、负极端口（ＢＴ－）、电源输入端（ＶＤＤ）、接地端、异或门（ＸＯＲ）、第一Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８７）、第一Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８）、第二Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８８）、第二Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７９），所述负极端口（ＢＴ－）、所述正极端口（ＢＴ＋）分别与所述第一Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８）、所述第二Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７９）的栅极相连接，所述第一Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７８）的源极、所述第二Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ７９）的源极、第一Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８７）的栅极、所述第二Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ８８）的栅极均与所述接地端相连接...

【技术特征摘要】
1、一种锂电池充电器控制集成电路的短路保护电路，其特征在于包括锂电池正极端口(BT+)、负极端口(BT—)、电源输入端(VDD)、接地端、异或门(XOR)、第一P—MOSFET(P87)、第一N—MOSFET(N78)、第二P—MOSFET(P88)、第二N—MOSFET(N79)，所述负极端口(BT—)、所述正极端口(BT+)分别与所述第一N—MOSFET(N78)、所述第二N—MOSFET(N79)的栅极相连接，所述第一N—MOSFET(N78)的源极、所述第二N—MOSFET(N79)的源极、第一P—MOSFET(P87)的栅极、所述第二P—MOSFET(P88)的栅极均与所述接地端相连接，所述第一P—MOSFET(P87)的源极、所述第二P—MOSFET(P88)的源极均与所述电源输入端(VDD)相连接，所述第一P—MOSFET(P87)、所述第一N—MOSFET(N78)的漏极均与所述异或门(XOR)的一个输入端相连接，所述第二P—MOSFET(P88)、所述第二N—MOSFET(N79)的漏极均与所述异或门(XOR)的另一个输入端相连接，所述负极端口(BT—)与所述正极端口(BT+)的电压相等时，所述异或门(XOR)的输出端输出低电平以使充电电路停止充电。2、 一种锂电池充电器控制集成电路，包括短路保护电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴纬国，范建新，
申请(专利权)人：广州南科集成电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81[中国|广州]