【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及一种激光器件，尤其涉及一种III族氮化物半导体激光器件。对于由III族氮化物形成的半导体激光器件，一般采用蓝宝石作衬底。由于蓝宝石不具有清晰的解理面，谐振腔反射镜几乎不能通过切割而形成。因此，这些半导体激光器件的谐振腔反射镜通过干蚀形成，例如通过反应离子蚀刻(RIE)。蓝宝石的化学性能非常稳定，所以很少被蚀刻掉，因此在干蚀过程之后留下蓝宝石衬底101没有被刻蚀。结果，形成了台阶结构(台阶部分103)，如在由III族氮化物形成的多层体102之谐振腔反射镜102’之外延伸，如附图说明图1所示。在这样的情况中，由台阶部分103反射一部分激光104，由此远场图样被形成为多个点而不是单个点。因此，半导体激光器件100不能特别用作光学存储器件的光源。为了克服此问题，已经提出一种用于将该多层体转移到非常易于切开的衬底上并且将此样品切开以形成谐振腔反射镜的方法。具体而言，在蓝宝石衬底上形成该多层体，将此样品粘到非常易于切开的承载衬底(carrier substrate)上。在从该多层体上除去该蓝宝石衬底之后，该多层体与该承载衬底一起被切开，由此获得一个激光...
【技术保护点】
一种氮化物半导体激光器件，包括一个多层体和一个衬底，该多层体包括多个Ⅲ族氮化物半导体（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）晶体层，该衬底是非常易切开的，其中，所述多层体和所述衬底彼此粘合，所述衬底在所述多层体之激光面附近具有至少一个切开部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫地护，太田启之，
申请(专利权)人：先锋株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。