氮化镓半导体激光器制造技术

本发明专利技术提供可以发射接近圆形的基本横模的激光且工作电流及元件电阻低的氮化镓半导体激光器结构。在ＧａＮ构成的基底层的上部，按下部包覆层２、有源层４、上部包覆层７及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和／或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或两个以上的光导层１，以３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下的波长振荡的氮化镓半导体激光器，在设光导层的总层厚为ｈ（μｍ），下部包覆层２的层厚为ｄ↓［１］（μｍ），具有与下部包覆层２的平均折射率相同折射率的ＡｌＧａＮ体结晶的Ａｌ组成为ｘ，具有与上部包覆层７的平均折射率相同折射率的ＡｌＧａＮ体结晶的Ａｌ组成为ｙ时，满足如下条件：０．１５≤ｈ、丨ｘ－ｙ丨≤０．０２、０．０２≤ｘ≤０．０６及０．３４ｘ－０．４９≤ｄ↓［１］＋２ｈ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化镓半导体激光器，涉及工作电流及元件电阻低且能够发射接近圆形的基本横模激光的氮化镓半导体激光器。这样的激光器在光盘应用、激光打印机应用中激光利用率高，能够提高记录面的激光功率而加快记录速度。而且不需要把激光整形为圆形的光学部件，可以达到装置的小型化与低成本化。图6为现有例1的氮化镓半导体激光器的截面简图(例如S.Nakamura之外Appl.Phys.Lett.72(1998年)2014页至2016页)。图6的氮化镓半导体激光器的构成如下在厚度为80μm的GaN基板101上，厚度为3μm的n型GaN接触层102，厚度为0.1μm的n型In0.1Ga0.9N层103，由厚度为2.5nm的n型GaN与厚度为2.5nm的Al0.14Ga0.86N交替层积(层叠)240周期的全层厚度为1.2μm的n型超晶格包覆层104，厚度为0.1μm的n型GaN光导层105，由厚度为2nm的n型In0.15Ga0.85N量子阱层与厚度为5nm的n型In0.02Ga0.98N势垒层交替层积4周期的多重量子阱结构有源层106，厚度为20nm的p型Al0.2Ga0.8N层107，厚度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓半导体激光器，在由ＧａＮ构成的基底层的上部，按下部包覆层、有源层、上部包覆层及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和／或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或两个以上的光导层，以３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下的波长振荡，其特征在于，设光导层的总层厚为ｈ（μｍ），下部包覆层的层厚为ｄ↓［１］（μｍ），具有与下部包覆层的平均折射率相同折射率的ＡｌＧａＮ体结晶的Ａｌ组成为ｘ，具有与上部包覆层的平均折射率相同折射率的ＡｌＧａＮ体结晶的Ａｌ组成为ｙ时满足条件０．１５≤ ｈ│ｘ－ｙ│≤０．０２０．０２≤ｘ≤０．０６及０．３４ｘ－０．４９≤ｄ↓［１］＋２ｈ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：仁道正明，仓本大，山口敦史，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]