【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体激光器及其制作方法,尤其是关于用于光盘驱动的拾音器而具有合适高的光输出功率的半导体激光器及其制作方法的专利技术。
技术介绍
近几年来,广泛使用了以DVD和CD为首的各种光盘。尤其对可写入光盘的需求激增。这些当中,使用波长780nm段的AlGaAs(砷化镓铝)系半导体激光器的CD-R(可记录)/RW(可擦写)、使用波长650nm段的InGaAlP(铟镓铝磷)系半导体激光器的DVD-R(可记录)/RW(可擦写)、DVD-RAM(随机存储器),用于这些盘的光拾取器,为了加快写入速度,需要光输出功率较高的半导体激光器,加大激光器光输出功率的需求日益在增高。附图说明图11是表示以往InGaAlP系的脊形有效折射率波导型半导体激光器的模式图。也就是说,该图表示的是在平行于激光器光射出端面方向进行截面的截面结构。以下,按照制作顺序,说明其构成。首先,在第1导电型n型GaAs衬底402上叠加n型InGaAlP覆盖层403、InGaAlP系MQW(多量子阱)活性层407、第2导电型P型InGaAlP覆盖层408。其次,将P覆盖层408的局部条状以外的部分, ...
【技术保护点】
一种半导体激光器,其特征在于具有:第1导电型覆盖层;设置在上述第1导电型覆盖层上面的活性层;第2导电型覆盖层,其设置在上述活性层的上面,并带有在其上部平行于激光谐振的方向上延设的脊;设置在上述脊的两肋上的电流抑制层;上述 第1导电型及第2导电型的覆盖层由具有大致相同组成的半导体构成,上述第1导电型覆盖层的层厚,比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚还要厚。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:玄永康一,田中明,伊藤义行,渡边实,奥田肇,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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