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本发明提供的半导体激光器装置，具有：第１导电型覆盖层（１０３）、设置在其上的活性层（１０７）、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第２导电型覆盖层（１０８、１１０）和设置在上述脊两肋的电流抑制层（１１３）；由上述电流抑制层限制的...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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