氮化物半导体元件和其制造方法技术

本发明专利技术的氮化物半导体元件包括：ｐ型氮化物半导体层、ｎ型氮化物半导体层以及夹持在所述ｐ型氮化物半导体层和所述ｎ型氮化物半导体层之间的激活层。ｐ型氮化物半导体层具有：包含Ａｌ和Ｍｇ的第一ｐ型氮化物半导体层、包含Ｍｇ的第二ｐ型氮化物半导体层。第一ｐ型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二ｐ型氮化物半导体层之间，第二ｐ型氮化物半导体层具有比第一ｐ型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氮化物半导体元件，特别涉及一种期待在光电子信息处理装置和照明光源等中应用的半导体发光元件、包含双极型晶体管的氮化物半导体元件以及它们的制造方法。
技术介绍
具有V族元素氮(N)的III-V族氮化物半导体，因为其带隙的大小，有望作为短波长发光元件的材料。其中正盛行研究氮化镓系列化合物半导体(GaN系列半导体AlGaInN)，蓝色发光二极管(LED)、绿色LED已经进行了实际应用。而且，为了实现光盘装置的大容量化，渴望在400nm带上具有振荡波长的半导体激光器，被注目的将GaN系列半导体作为材料的半导体激光器现在已达到实用水平。GaN系列半导体激光器，在例如特开平10-126006号公报、JapaneseJournal of Applied Physics，Vol.38，L226-L229(1999)、physica status solidi(a)194，No.2，407-413(2002)等中已公开。下面，参照图1和图2，对以往的GaN系列半导体激光器进行说明。首先，参照图1(a)。图1(a)所示的半导体激光器具有低位错ELO-GaN基板101和在ELO-GaN基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体元件，包括：ｐ型氮化物半导体层、ｎ型氮化物半导体层以及夹持在所述ｐ型氮化物半导体层和所述ｎ型氮化物半导体层之间的激活层，其中，所述ｐ型氮化物半导体层具有：包含Ａｌ和Ｍｇ的第一ｐ型氮化物半导体层；和包含 Ｍｇ的第二ｐ型氮化物半导体层，所述第一ｐ型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二ｐ型氮化物半导体层之间，　所述第二ｐ型氮化物半导体层具有比所述第一ｐ型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口靖利，岛本敏孝，石桥明彦，木户口勋，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]