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本发明的氮化物半导体元件包括：ｐ型氮化物半导体层、ｎ型氮化物半导体层以及夹持在所述ｐ型氮化物半导体层和所述ｎ型氮化物半导体层之间的激活层。ｐ型氮化物半导体层具有：包含Ａｌ和Ｍｇ的第一ｐ型氮化物半导体层、包含Ｍｇ的第二ｐ型氮化物半导体层。第一...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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