通过补偿在非线性光学介质中的波的传播相移来产生波制造技术

技术编号:3313459 阅读:202 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在一个如砷化镓这样的非线性光学介质(M)中,两个(作为变型,一个)共线入射单色波(O↓[1],O↓[2])被注入,以便产生一个(作为变型,两个)单色波(O↓[3])。如果各个波经过一个相干长度,该介质就在这三个波之间引发一个大小为π的传播相移,并且,每当各个波在该介质中经过一个周期距离(D)后,所述传播相移就在0模2π处被补偿。为了显著提高转换效率,各个波的之字形的全内反射的两个连续反弹(R)之间的周期性距离严格小于所述相干长度。一个长度很短的材料上的高转换效率促成生产尤其是波长为10μm左右的大功率相干光源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及来自于射入具有非线性光学特性的介质中的两个入射共线单色波的相互作用的一个单色波的参数产生。本专利技术的应用领域之一是光谱的谱带III,即波长介于8μm与12μm之间,对于这个谱带,为数不多的可调谐相干源当前是由如量子级联激光器(lasers àcascade quantique)这样的半导体激光器构成的。
技术介绍
然而,即使光学参数产生要求稀缺材料,它却提供了一个前景广阔的研究途径。因此,电子工业的常用半导体,例如砷化镓GaAs、硒化锌ZnSe、或磷化铟InP,都是用于将光谱的谱带I(即波长介于1μm与3μm之间)的光辐射向谱带III进行参数转换的优良候选材料。事实上,前述半导体(i)属于光学材料中具有最大非线性特性的材料之一;(ii)具有极宽的透明光谱区(因此,光谱可调谐性),例如,对于ZnSe为从0.5μm至20μm;(iii)得益于从微电子技术继承而来的非常成熟的技术;(iv)可以容易地从世界市场上获得,并且不会受到任何禁运;以及(v)具有很好的市场潜力。然而,这些材料是各向同性的,这使得任何通过自然双折射进行相位匹配的方案成为不可能。这了弥补这一限制,J.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来由穿过非线性光学介质(M)的共线的第一和第二单色波(O↓[1],O↓[2])产生第三单色波(O↓[3])的方法,该介质在这三个波之间引发这样一个传播相移:如果这三个波在该介质中经过一个相干长度(C),该传播相移的值就为π,并且,每当这三个波在该介质中经过一个周期距离(D)后,该传播相移在值0模2π处被补偿,所述方法的特征在于:该周期距离(D)严格小于该相干长度(C)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:瑞德海达伊迈纽罗森切尔杰罗姆普莱默特
申请(专利权)人:国家航空与空间研究事务局
类型:发明
国别省市:FR[法国]

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