磁记录介质制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供具有更优异的磁特性的磁记录介质，其具有含有L10系有序合金的磁记录层。就磁记录介质的一个构成而言，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质。具体而言，涉及用于硬盘磁记录装置(HDD)的磁记录介质。
技术介绍
作为实现磁记录的高密度化的技术，采用垂直磁记录方式。垂直磁记录介质至少包含非磁性基板和由硬质磁性材料形成的磁记录层。垂直磁记录介质还可以任意选择性地包括由软磁性材料形成并发挥使磁头所产生的磁通集中到磁记录层的作用的软磁衬里层、用于使磁记录层的硬质磁性材料取向目的方向的基底层、保护磁记录层的表面的保护膜等。以得到良好的磁特性为目的，提出了使用粒状磁性材料形成垂直磁记录介质的磁记录层。粒状磁性材料包含磁性晶粒和以包围磁性晶粒周围的方式偏析的非磁性体。粒状磁性材料中的各个磁性晶粒通过非磁性体进行磁分离。近年来，进一步提高垂直磁记录介质的记录密度作为目的，迫切需要缩小粒状磁性材料中的磁性晶粒的粒径。另一方面，磁性晶粒的粒径的缩小使记录的磁化(信号)的热稳定性下降。因此，为了补偿磁性晶粒的粒径的缩小引起的热稳定性的下降，要求使用具有更高的结晶磁各向异性的材料而形成粒状磁性材料中的磁性晶粒。作为要求的具有高的结晶磁各向异性的材料，提出了L10系有序合金。代表性的L10系有序合金包含FePt、CoPt、FePd、CoPd等。特开2005-285207号公报中提出了磁记录介质的制造方法，所述磁记录介质具有FePr磁性薄膜，通过在650℃～850℃的基板温度的溅射法沉积FePt，接着，施加4kOe～10kOe的磁场，由此，使FePr磁性薄
膜具有大的矫顽力(参照专利文献1)。在此，作为用于沉积FePt的基底层，还提出了使用选自由MgO、ZnO、Cr、及Pt构成的组的材料的薄膜。但是，虽然研究使用了(001)MgO单晶基板时的作用效果，但未证实由上述材料构成的基底层的效果。另外，特开2005-285207号公报中未公开也未暗示任何将由不同种类的材料构成的层叠结构用作基底层。另外，尝试着利用形成于磁记录层下的层提高包含L10系有序合金的磁记录层的磁特性。例如，特开2011-165232号公报中提案了磁记录介质，在含有作为主成分的MgO及1种或多种追加的氧化物的基底层上形成有磁记录层(参照专利文献2)。这个提案中，通过追加的氧化物的添加，缩小基底层的结晶粒径，且在基底层的1个晶粒上形成磁记录层的1个磁性晶粒(以下，称为“1对1形成”)，由此，可以进行磁性晶粒间的分离的促进、交换结合的降低、及矫顽力分散的降低。另外，特开2011-165232号公报中未公开也未暗示任何将由不同种类的材料构成的层叠结构用作基底层。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2005-285207号公报专利文献2：特开2011-165232号公报非专利文献非专利文献1：R.F.Penoyer，“Automatic Torque Balance forMagnetic Anisotropy Measurements”，The Review of ScientificInstruments，1959年8月，第30卷第8号，711-714非专利文献2：近角聪信，强磁性体的物理(下)裳华房，10-21
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于，提供具有更优异的磁特性的磁记录介质，其具有含有L10系有序合金的磁记录层。用于解决课题的手段本专利技术提供磁记录介质，其特征在于，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。在此，也可以在基板和第1籽晶层之间还包含面心立方晶格结构或六方密排结构的基底层。另外，有序合金也可以为含有选自Fe及Co中的至少一种元素、和选自由Pt、Pd、Au及Ir构成的组中的至少一种元素的L10型有序合金。在此，有序合金也可以还含有选自由Ni、Mn、Cu、Ru、Ag、Au、及Cr构成的组中的至少一种元素。有序合金优选为选自由FePt、CoPt、FePd、及CoPd构成的组中的L10型有序合金。另外，磁记录层也可以具有包含磁性晶粒和包围磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构，所述磁性晶粒含有有序合金。在此，非磁性晶界也可以含有选自由碳、氧化物、及氮化物构成的组中的非磁性材料。专利技术效果通过采用上述构成，减少在其之上形成磁记录层的第1及第2籽晶层的结晶取向分散、算术平均粗糙度Ra、及最大高度Rz，由此，使减少磁记录层材料的结晶取向分散Δθ50，并改善M-H磁滞回线的α值成为可能。另外，减少按照面内方向有序化的成分，并使降低面内方向的矫顽力Hc＿in成为可能。本专利技术的磁记录介质适于能量辅助记录方式中的使用。附图说明图1是表示本专利技术的磁记录介质的一个结构例的剖视图；图2是表示实验例A、实验例B及实验例C的磁记录介质表面的AFM图像的图，(a)～(g)是表示各样品的AFM图像的图；图3A是表示实施例4及5以及比较例4及5的磁记录介质的MgO第2籽晶层的膜厚和磁记录层的FePt(001)的峰的面积强度的关系的图；图3B是表示实施例4及5以及比较例4及5的磁记录介质的MgO第2籽晶层的膜厚和磁记录层的结晶取向分散Δθ50的关系的图；图3C是表示实施例4及5以及比较例4及5的磁记录介质的MgO
第2籽晶层的膜厚和磁记录介质表面的算术平均粗糙度Ra的关系的图，是表示本专利技术的磁记录介质的一个结构例的剖视图；图4A是表示实施例6及比较例1的磁记录介质的ZnO第1籽晶层的膜厚和磁记录层的FePt(001)的峰的面积强度的关系的图；图4B是表示实施例6及比较例1的磁记录介质的ZnO第1籽晶层的膜厚和磁记录层的结晶取向分散Δθ50的关系的图；图4C是表示实施例6及比较例1的磁记录介质的ZnO第1籽晶层的膜厚和磁记录介质表面的算术平均粗糙度Ra的关系的图；图5A是表示实施例7及比较例1的磁记录介质的ZnO第1籽晶层的膜厚和磁记录层的FePt(001)的峰的面积强度的关系的图；图5B是表示实施例7及比较例1的磁记录介质的ZnO第1籽晶层的膜厚和磁记录层的结晶取向分散Δθ50的关系的图；图5C是表示实施例7及比较例1的磁记录介质的ZnO第1籽晶层的膜厚和磁记录介质表面的算术平均粗糙度Ra的关系的图；图6A是说明实施例8的磁记录介质的构造解析的图，(a)表示XRD光谱的一部分，(b)是表示进行了峰分离的结果的图；图6B是说明比较例6的磁记录介质的构造解析的图，(a)表示XRD光谱的一部分，(b)是表示进行了峰分离的结果的图；图7A是说明实施例9的磁记录介质的构造解析的图，(a)表示XRD光谱的一部分，(b)是表示进行了峰分离的结果的图；图7B是说明比较例7的磁记录介质的构造解析的图，(a)表示XRD光谱的一部分，(b)是表示进行了峰分离的结果的图。具体实施方式本专利技术的磁记录介质的特征在于，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。本专利技术的磁记录介质也可以在基板和第1籽晶层之间还包含含有Pt的基底层。另外，本专利技术的磁记录介质也可以在基板和第1籽晶层之间，或在基板和基底层之间还包含：粘接层、软磁衬里层、及/或散热层那
样的该技术中已知的层。此外，本专利技术的磁记录介质也可以在磁记录层上还包含保护层及/或液体润滑剂层那样的该技术中已知的层。图1中表示包含基板10、基本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁记录介质，其特征在于，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.12 JP 2014-1642861.磁记录介质，其特征在于，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，在所述基板和所述第1籽晶层之间还含有面心立方晶格结构或六方密排结构的基底层。3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述有序合金为含有选自Fe及Co中的至少一种元素、和选自由Pt、Pd、Au及Ir构成的组中的至少一种元素的L10型有序合金。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田旭，内田真治，森谷友博，中田仁志，岛津武仁，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP