热辅助磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及热辅助磁记录介质和使用了该介质的磁存储装置。
技术介绍
对介质照射近场光等，局部地加热表面，使介质的矫顽力降低来进行写入的热辅助记录，作为能够实现约ITbit/英寸2或其以上的面记录密度的下一代记录方式受到关注。在使用热辅助记录的情况下，即使是在室温下的矫顽力为数十kOe的记录介质，也可以通过现有磁头的记录磁场容易地进行写入。因此，记录层可使用具有106J/m3程度的高的晶体磁各向异性Ku的材料，可以在维持热稳定性的状态下将磁性粒径微细化到6nm以下。作为这样的高Ku材料，已知具有Lltl型晶体结构的FePt合金(Ku 乂 7X 106J/m3)和CoPt合金 (Ku ^ 5X106J/m3)等。在磁性层使用具有Lltl型晶体结构的FePt合金的情况下，该FePt层需要取得(001)取向。因此，优选基底层使用进行了(100)取向的MgO。MgO的(100)面与LI。型FePt的(001)面晶格匹配性良好，因此通过在(100)取向了的MgO基底层上形成LI。型FePt磁性层，可以使该磁性层取得(001)取向。另一方面，在热辅助磁记录介质中，为了降低介质噪声，使SN比提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：神边哲也，桥本笃志，福岛隆之，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：
国别省市：