半导体激光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成，电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层，保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地，涉及一种，其能防止倒装芯片工艺(flip-chip process)期间脊部分(ridge portion)上的应力集中。
技术介绍
因为半导体激光二极管具有较小尺寸和比传统激光器件低的用于激光振荡的低阈值电流，所以它们在通讯领域和激光盘播放器中被广泛用于高速数据传输、记录和读取。特别地，氮化物半导体激光二极管提供在绿至紫外区域的波，使得它们被广泛用于各种应用例如高密度光数据记录和再现、高解析度激光印刷机、以及投影TV。图1示出美国专利申请公开No.2004/0174918A1中公开的一种半导体激光二极管。参照图1，半导体激光二极管包括顺序形成在衬底110上的第一材料层120、有源层130、以及第二材料层140。第一材料层120包括顺序形成在衬底110与有源层130之间的缓冲层121、第一包层(cladding layer)122、以及第一波导层123。第二材料层140包括从有源层130顺序形成的第二波导层141、第二包层142、以及帽层(cap layer)143。在第二材料层140的上部分上，形成脊部分151和凸出部分(protrusion port本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光二极管，包括：第一材料层、有源层、以及第二材料层，其顺序形成在衬底上；脊部分和第一凸出部分，其沿与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧；第二电极层，其与所述脊部分的顶表面接触地形成；电流限制层，其形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层；保护层，其形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性；以及键合金属层，其与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：成演准，张泰勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]