温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。