【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有InP衬底的光半导体装置，主要涉及具有在由II族元素和VI族元素构成的化合物半导体中，通过向具有宽带隙但难以高浓度掺杂的半导体包覆层等中插入可以得到p型高载流子浓度的半导体层，能够得到充分的(大于等于1×1017cm-3)p型载流子浓度和宽带隙的p型包覆层等的光半导体装置。另外，本专利技术还涉及使用了上述方法的p型包覆层的半导体激光二极管(LD)、发光二极管(LED)、光敏元件(PD)等光学元件，其适宜用于光学装置中。
技术介绍
在可见光至紫外光区域发光的半导体器件即半导体激光或发光二极管，在光信息记录装置(压缩光盘(CD)、数字多功能光盘(DVD)、蓝光光盘(BD))、彩色显示装置用的光源、固体激光激发用、加工用、传感器用、测定仪用、医疗用或者白色灯用等现代社会/产业界正成为重要的半导体器件之作为这些光学元件的半导体材料，迄今为止，在780nm、808nm、860nm、915nm、980nm波段等的红外光器件中使用了AlGa(In)As III-V族化合物。发光波长为600nm波段(特别是635～670nm)的红色光器件中使用AlGaInP...
【技术保护点】
光半导体装置，其特征在于，在ＩｎＰ衬底上具有ｎ型包覆层、活性层和ｐ型包覆层，所述ｐ型包覆层具有第１层和第２层，作为所述第１层使用下面的（ａ）～（ｅ）中的至少一种，（ａ）ＭｇＺｎＣｄＳｅ层，（ｂ）具有ＭｇＳｅ层和ＺｎＣｄＳｅ层 的超晶格，（ｃ）具有ＭｇＺｎＳｅＴｅ、ＢｅＺｎＣｄＳｅ或ＢｅＺｎＳｅＴｅ中的至少一种的层，（ｄ）使用具有ＭｇＳｅ层和ＺｎＳｅ层的超晶格，包括在所述ＭｇＳｅ层含有Ｂｅ、Ｚｎ或Ｔｅ中的至少一种的情况，也包括在所述ＺｎＳｅ层含有Ｂ ｅ、Ｃｄ、Ｍｇ或Ｔｅ中的至少一种的情况，（ｅ）作为所述第１层使用Ⅱ－...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：岸野克巳，野村一郎，玉村好司，中村均，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，学校法人上智学院，索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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