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本发明针对通常情况下成为ｐ型传导但载流子浓度仅得到小于１×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］的值这样的材料，提供得到大于等于１×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］的高ｐ型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件...该专利属于株式会社日立制作所;学校法人上智学院;索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所;学校法人上智学院;索尼株式会社授权不得商用。