大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件制造技术

大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件，涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体，该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明专利技术采用水热法生长ＫＢＢＦ晶体，完全克服了晶体层状生长习性，晶体实现有晶面的块状生长，晶体厚度尺寸超过５毫米。

【技术实现步骤摘要】

该专利技术涉及人工晶体领域，特别是涉及大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件。
技术介绍
氟硼铍酸钾分子式为KBe2(BO3)F2，简称KBBF。属三方晶系，空间群为R32，点群为D3。晶格中主要非线性活性的阴离子基团为垂直与晶体学C轴同向排列的(BO3)平面三角形基团，(BO3)基团之间通过与(BeO3F)四面体基团共用氧原子连接形成(Be2BO3F2)∞二维层状结构，层与层之间依靠K与层中的F原子的离子键相连。KBBF的结构特征决定了它是一种优秀的深紫外倍频晶体。它的倍频系数为0.49pm/V，双折射率为0.07，晶体紫外吸收边达165纳米。KBBF是目前唯一能够实现直接倍频产生200纳米以下激光输出的晶体，通过KBBF晶体的倍频效应可产生高质量的深紫外激光，在激光医疗、光谱学、半导体光刻技术等方面都有十分重要的应用。KBBF的层状结构也决定了其层状的生长习性。如果生长方法选择不当，晶体沿晶体学C轴方向生长很慢，晶体不易长厚。目前KBBF晶体是采用高温熔盐法来生长，层状生长习性十分严重，晶体无法长厚，用熔盐法生长的完整KBBF晶体目前最大厚度不超过2毫米。由于厚度有限，本文档来自技高网...

【技术保护点】
用水热法生长氟硼铍酸钾晶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶宁，唐鼎元，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]