氮化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备ｎ－ＧａＮ基板（１０１）的工序（Ａ）；在基板（１０１）上形成具有与基板（１０１）的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序（Ｂ）；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有ｎ型杂质的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ晶体（０≤ｘ、ｙ、ｚ≤１；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）（１０４）的工序（Ｃ）；在Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ晶体（１０４）上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有ｎ型杂质的Ａｌ↓［ｘ’］Ｇａ↓［ｙ’］Ｉｎ↓［ｚ’］Ｎ晶体（０≤ｘ’、ｙ’、ｚ’≤１；ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１）（１０６），将相邻的２个Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ晶体（１０４）用Ａｌ↓［ｘ’］Ｇａ↓［ｙ’］Ｉｎ↓［ｚ’］Ｎ晶体（１０６）连结而形成１个氮化物半导体层（１２０）的工序（Ｄ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体激光器元件或发光二极管的。
技术介绍
使用以氮化镓为代表的III-V族氮化物类半导体材料制作的蓝紫色半导体激光器元件是用于实现光盘装置的超高密度记录的关键设备，现在正渐趋实用水平。该蓝紫色半导体激光器元件的高输出化不仅能够实现光盘的高速写入，而且开拓出向激光器显示器中的应用等新的
以往虽然已经开发出使用蓝宝石基板的GaN类半导体激光器元件，然而近年来，正在研究使用GaN基板等氮化物半导体基板来制作GaN类半导体激光器元件。例如，非专利文献1公布有处于实用水平的GaN类半导体激光器元件。以下，在参照图20的同时，对以往的GaN类半导体激光器元件的制造方法进行说明。如图20所示，该半导体激光器元件是使用主面被SiO2掩膜层1602覆盖的GaN基板1601制作的。在SiO2掩膜层1602上形成有多个条纹状开口部1603。在GaN基板1601上，利用使用了有机金属气相生长法(MOVPE法)的选择横向生长(ELO)，生长GaN层1604。该GaN层1604在透过SiO2掩膜层1602的各个条纹状开口部1603而露出的GaN基板1601的主面上进行外延生长，GaN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备氮化物半导体基板的工序（Ａ）；在所述氮化物半导体基板上形成具有与所述氮化物半导体基板的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序（Ｂ）；在所述多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有 ｎ型杂质的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ晶体（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１：ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）的工序（Ｃ）；在所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ晶体上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有ｎ型杂质的Ａｌ↓［ｘ’］Ｇａ↓［ｙ’］Ｉｎ ↓［ｚ’］Ｎ晶体（０≦ｘ’、ｙ’、ｚ’≦１：ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１），将相邻的２个Ａｌ↓［...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥明彦，横川俊哉，岛本敏孝，长谷川义晃，川口靖利，木户口勋，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]