【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种激光器，特别涉及多有源层垂直腔面激光器。
技术介绍
垂直腔面激光发射器(VCSEL)，是继边发射激光器后，产生激光的一种重要电光转换器件，由于激光是以小角度向垂直腔面发射，易于集成陈列，非常适合用作高密度的发射器件和芯片间的通信总线。但普通的VCSEL，需要多层分布布拉格反射器(DBR)，所用的材料与有源层不同，生产工序相当复杂。电光转换效率，也因反射器导致的高内阻，受到限制。另一方面，传统的垂直腔面激光发射器的激射波长为单一波长，无法在同一器件中获得多个波长，因此，在某些应用中，人们不得不使用多个不同波长的垂直腔面发射激光器来获得多个波长，这样不仅增加了成本，而且不能够很好的集成，降低密度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能提高光电转换效率的多有源层垂直腔面激光器件；本专利技术的另一个目的是提供一种上述多有源层垂直腔面发光器件构成的激光器。本专利技术的目的可通过以下的技术措施来实现一种多有源层垂直腔面发光器件，其光谐振单元主要包括高掺杂导电区、绝缘层、负电极、限制层、有源层和正电极，其特征在于由所述的光谐振单元以半波长垂直厚度重复叠...
【技术保护点】
一种多有源层垂直腔面发光器件，其光谐振单元主要包括高掺杂导电区、绝缘层、负电极、限制层、有源层和正电极，其特征在于：由所述的光谐振单元以半波长垂直厚度重复叠加构成发光谐振腔。
【技术特征摘要】
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